【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电力变换装置
本专利技术涉及使用半导体开关元件的电力变换装置。
技术介绍
在电力变换装置中,有将直流电力变换为交流电力的DC/AC逆变器、将交流电力变换为直流电力的AC/DC转换器、使直流电力的电压值升压或者降压的DC/DC转换器等,电力变换装置大多使用MOSFET(Metal-Oxcide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(InsulatedGateBipolarTransistorr,绝缘栅双极型晶体管)等绝缘栅极型的半导体开关元件来进行电力变换。此外,在此,在半导体开关元件为MOSFET的情况下,将漏极电极称为正电极,将源极电极称为负电极,将栅极电极称为控制电极,在半导体开关元件为IGBT的情况下,将集电极电极称为正电极,将发射极电极称为负电极,将栅极电极称为控制电极。绝缘栅极型的半导体开关元件根据从连接于负电极与控制电极之间的驱动电路输出的驱动电压的大小来控制正电极与负电极之间的接通和断开。驱动电路与驱动电源连接,从驱动电源供给驱动电力。在以往的电力变换装置中,半导体开关元件被 ...
【技术保护点】
1.一种电力变换装置,具备:第1半导体开关元件,具有正电极、负电极以及以所述负电极为基准而被施加驱动电压的控制电极;驱动电源,具有正极和负极,该驱动电源将使所述第1半导体开关元件导通的驱动电流供给到所述控制电极;驱动电路,与所述驱动电源的正极、所述驱动电源的负极、所述第1半导体开关元件的负电极以及所述第1半导体开关元件的控制电极连接,将所述驱动电压输出到所述第1半导体开关元件的控制电极;阻抗元件,设置于流过所述驱动电流且包括所述驱动电源的正极、所述第1半导体开关元件的控制电极、所述第1半导体开关元件的负电极以及所述驱动电源的负极的闭合电路内,具有使所述闭合电路的电感增加的电感。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.16 JP 2016-0522931.一种电力变换装置,具备:第1半导体开关元件,具有正电极、负电极以及以所述负电极为基准而被施加驱动电压的控制电极;驱动电源,具有正极和负极,该驱动电源将使所述第1半导体开关元件导通的驱动电流供给到所述控制电极;驱动电路,与所述驱动电源的正极、所述驱动电源的负极、所述第1半导体开关元件的负电极以及所述第1半导体开关元件的控制电极连接,将所述驱动电压输出到所述第1半导体开关元件的控制电极;阻抗元件,设置于流过所述驱动电流且包括所述驱动电源的正极、所述第1半导体开关元件的控制电极、所述第1半导体开关元件的负电极以及所述驱动电源的负极的闭合电路内,具有使所述闭合电路的电感增加的电感。2.根据权利要求1所述的电力变换装置,其中,所述驱动电路连接于将所述驱动电源的负极与所述第1半导体开关元件的负电极连接的基准电位连接点,所述阻抗元件设置于所述第1半导体开关元件的负电极与所述基准电位连接点之间。3.根据权利要求2所述的电力变换装置,其中,具备:负极连接点,与供给主电路电流的直流电源的负极连接;共用布线,与所述第1半导体开关元件的负电极连接,流过所述主电路电流和所述驱动电流;主电路布线,连接所述共用布线和所述负极连接点,流过所述主电路电流;以及驱动电路布线,连接所述共用布线和所述基准电连接点,流过所述驱动电流,所述阻抗元件设置于所述驱动电路布线内。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的电力变换装置,其中,所述驱动电路具有与所述第1半导体开关元件的控制电极连接的栅极电阻,所述阻抗元件与所述栅极电阻分开设置。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的电力变换装置,其中,所...
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