光波导集成光接收元件及其制造方法技术

一种光波导集成光接收元件设置有光波导(105)，该光波导设置在第二接触层(102)的与设置有光吸收层(103)的一侧相反的一侧上，并且该光波导与第二接触层(102)光学耦合并具有与光吸收层(103)的平面平行的波导方向。第二接触层(102)在平面图中具有比光吸收层(103)的面积小的面积，并且设置在光吸收层(103)的内侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光波导集成光接收元件及其制造方法
本专利技术涉及集成了光波导和光接收元件的光波导集成光接收元件及其制造方法。
技术介绍
光通信中的通用光接收器通常包括：光接收元件，诸如光电二极管(PD)或雪崩式光电二极管(APD)，该光接收元件构造成将入射光转换为电流；以及跨阻放大器，该跨阻放大器构造成放大由光接收元产生的光电流。在光接收元件中，就量子效率而言，PD的光电转换效率的上限为100％。另一方面，APD具有下述功能：在高电场下使元件中产生的光电子加速，并因此使它们与晶格碰撞以便离子化，从而放大载流子。为此，在APD中，对应于一个光子输出多个载流子。因此，就量子转换效率而言，APD可以获得大于100％的灵敏度，并且应用于高灵敏度光接收器(非专利文献1)。APD的通用结构是“竖直入射结构”，其中，光从元件的上表面或下表面(基板侧)进入。在APD中，光响应性和操作速度基本上保持折衷关系。也就是说，在竖直入射结构中，为了增加光响应性，光吸收层需要厚。然而，当光吸收层被制作得较厚时，通过光接受在光吸收层中产生的电子和空穴需要行进更长的距离，因此，高频域中的特性降低。在“竖直入射型”中，光响应性和操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光波导集成光接收元件，包括：第一接触层，所述第一接触层由第一导电类型的化合物半导体制成；第二接触层，所述第二接触层由第二导电类型的化合物半导体制成；光吸收层，所述光吸收层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层和所述第二接触层之间；增倍层，所述增倍层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层及所述第二接触层中的一者与所述光吸收层之间；以及光波导，所述光波导布置在所述第二接触层的与布置所述光吸收层的一侧相反的一侧上，具有与所述光吸收层的平面平行的波导方向，并且与所述第二接触层光学耦合，其中，所述第二接触层在平面图中具有比所述光吸收层的面积小的面积，并且在所述平面图中布置在所述光吸收层的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.19 JP 2016-0834551.一种光波导集成光接收元件，包括：第一接触层，所述第一接触层由第一导电类型的化合物半导体制成；第二接触层，所述第二接触层由第二导电类型的化合物半导体制成；光吸收层，所述光吸收层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层和所述第二接触层之间；增倍层，所述增倍层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层及所述第二接触层中的一者与所述光吸收层之间；以及光波导，所述光波导布置在所述第二接触层的与布置所述光吸收层的一侧相反的一侧上，具有与所述光吸收层的平面平行的波导方向，并且与所述第二接触层光学耦合，其中，所述第二接触层在平面图中具有比所述光吸收层的面积小的面积，并且在所述平面图中布置在所述光吸收层的内侧。2.根据权利要求1所述的光波导集成光接收元件，还包括所述第二导电类型的光学匹配层，所述光学匹配层形成为与所述第二接触层的布置所述光吸收层的一侧接触，并且所述光学匹配层的杂质浓度等于或小于所述第二接触层的杂质浓度。3.根据权利要求1或2所述的光波导集成光接收...

【专利技术属性】
技术研发人员：名田允洋，村本好史，松崎秀昭，
申请(专利权)人：日本电信电话株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP