一种太阳能异质结电池及其制备方法技术

一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一掺水ITO透明导电层、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅掺杂层、第二掺水ITO透明导电层和第二电极。本申请还提供了上述太阳能异质结电池的制备方法。本申请的太阳能异质结电池具有优异的光电性能。本申请提供的太阳能异质结电池，有效解决了掺水ITO透明导电层与掺杂非晶硅和丝网印刷银栅极接触不良的问题，从而能够展现出优异的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种太阳能异质结电池及其制备方法本申请基于申请号为201711397697.0、申请日为2017年12月21日的中国专利申请提出，并要求该中国专利申请的优先权，该中国专利申请的全部内容在此引入本申请作为参考。
本申请涉及但不限于太阳能电池
，特别涉及但不限于一种太阳能异质结电池及其制备方法。
技术介绍
在太阳能异质结电池领域，氧化铟锡(Indiumtinoxide，简称ITO)薄膜发挥着重要作用，它不仅负责收集光生载流子，同时还要让多数的太阳光能顺利进入电池体内。这就要求ITO薄膜要同时满足三个条件：高的透过率；良好的导电性；良好的陷光效果。因此，有必要研发一种能够更好的满足上述条件的包括ITO薄膜的太阳能异质结电池。
技术实现思路
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。本申请的专利技术人在研究硅异质结太阳能电池的过程中，深入发现了现有的ITO薄膜及其制备方法存在一些问题，总结如下：一般情况下，ITO薄膜的透过率和电导率是一对矛盾体，电导率的提高往往依赖于ITO材料体内载流子浓度的提升，但是一味地追求载流子浓度的提升会引起光透过率的下降。这是因为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能异质结电池，其特征在于：所述太阳能异质结电池包括上下依次设置的第一电极、第一掺水透明导电层、第一硅掺杂层、第一本征硅钝化层、硅片、第二本征硅钝化层、第二硅掺杂层、第二掺水透明导电层和第二电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.12.21 CN 20171139769701.一种太阳能异质结电池，其特征在于：所述太阳能异质结电池包括上下依次设置的第一电极、第一掺水透明导电层、第一硅掺杂层、第一本征硅钝化层、硅片、第二本征硅钝化层、第二硅掺杂层、第二掺水透明导电层和第二电极。2.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一硅掺杂层为第一非晶硅掺杂层或第一微晶硅掺杂层；和/或，所述第一本征硅钝化层为第一本征非晶硅钝化层或第一本征微晶硅钝化层；和/或，所述硅片为单晶硅片或多晶硅片；和/或，所述第二本征硅钝化层为第二本征非晶硅钝化层或第二本征微晶硅钝化层；和/或，所述第二硅掺杂层为第二非晶硅掺杂层或第二微晶硅掺杂层。3.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一掺水透明导电层和所述第二掺水透明导电层的厚度均为50-110nm。4.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于：还包括不掺水透明导电层，所述不掺水透明导电层包括第一不掺水层和第二不掺水层；所述第一不掺水层设置在所述第一硅掺杂层与所述第一掺水透明导电层之间；所述第二不掺水层设置在所述第二硅掺杂层与所述第二掺水透明导电层之间。5.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述不掺水透明导电层还包括第三不掺水层和第四不掺水层；所述第三不掺水层设置在所述第一掺水透明导电层与所述第一电极之间；所述第四不掺水层设置在所述第二掺水透明导电层与所述第二电极之间。6.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：定义透明导电层至少包括第一掺水透明导电层、第二掺水透明导电层和不掺水透明导电层中的一种，所述透明导电层为ITO透明导电层或AZO透明导电层。7.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一不掺水层和所述第二不掺水层的厚度均为5-10nm。8.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一不掺水层的方块电阻为20-80Ω/□，所述第二不掺水层的方块电阻为130-200Ω/□；或者，所述第一不掺水层的方块电阻为130-200Ω/□，所述第二不掺水层的方块电阻为20-80Ω/□。9.根据权利要求5所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第三不掺水层和所述第四不掺水层的厚度均为5-10nm，方块电阻均为20-80Ω/□。10.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述单晶硅片为n型单晶硅片，厚度为50-300μm。11.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅钝化层和所述第二本征非晶硅钝化层的厚度均为1-20nm。12.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一非晶硅掺杂层和所述第二非晶硅掺杂层的厚度均为3-20nm；和/或，所述第一非晶硅掺杂层为P型非晶硅掺杂层，所述第二非晶硅掺杂层为N型非晶硅掺杂层；和/或，所述第一非晶硅掺杂层为N型非晶硅掺杂层，所述第二非晶硅掺杂层为P型非晶硅掺杂层。13.一种太阳能异质结电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在硅片的第一表面上依次沉积第一本征硅钝化层、第一硅掺杂层，在所述硅片的第二表面上依次沉积第二本征硅钝化层、第二硅掺杂层；在所述第一硅掺杂层上沉积第一掺水透明导电层；在所述第二硅掺杂层上沉积第二掺水透明导电层；分别在所述第一掺水透明导电层和所述第二掺水透明导电层上形成第一电极和第二电极。14.根据权利要求13所述的太阳能异质结电池的制备方法，其特征在于：所述第一掺水透明导电层为第一掺水ITO透明导电层或第一掺水AZO透明导电层；和/或，所述第一硅掺杂层为第一非晶硅掺杂层或第一微晶硅掺杂层；和/或，所述第一本征硅钝化层为第一本征非晶硅钝化层或第一本征微晶硅钝化层；和/或，所述硅片为单晶硅片或多晶硅片；和/或，所述第二本征硅钝化层为第二本征非晶硅钝化层或第二本征微晶硅钝化层；和/或，所述第二硅掺杂层为第二非晶硅掺杂层或第二微晶硅掺杂层；和/或，所述第二掺水透明导电层为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：董刚强，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11