用于从入射电磁波形成近区中的至少一个聚焦波束的设备制造技术

本公开涉及用于从入射在设备上的电磁波形成近区中的至少一个聚焦波束的设备。这样的设备的显著之处在于其包括至少一个介电材料的层，所述至少一个介电材料的层至少部分地包括第一元件，所述第一元件具有第一折射指数值，所述第一元件至少部分地包括第二元件，所述第二元件具有大于所述第一指数值的第二折射指数值，并且其中所述第二元件包括相对于所述电磁波的到达方向定义的至少一基部表面，并且其中所述至少一基部表面包括至少两个相对的边缘线区段，其形状和相对于所述至少一基部表面的垂直平面中的、所述至少一基部表面与所述第二元件的侧向表面之间的关联底角控制所述至少一个聚焦波束的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于从入射电磁波形成近区中的至少一个聚焦波束的设备
本公开一般地涉及用于从电磁波(可见光在其中)形成场强图案的技术。更具体地但非排他地，本公开涉及用于近区中的近场聚焦和波束形成的技术，其可以用于许多设备(例如数据储存设备、眼镜电子设备(诸如AR(增强现实)和VR(虚拟现实)眼镜)、光学传感器、天线等)中。就近区而言，其在这里并且贯穿本文档意指根据本公开的设备周围的区域，该区域的尺寸可以从主体介质中的一小部分波长延伸到约10个波长。它可以不明显限于非辐射(反应)区域，而是还可以包括菲涅尔辐射区、过渡区和部分远场区，这取决于设备的大小。
技术介绍
本部分旨在向读者介绍技术的各个方面，其可能与下面描述和/或要求保护的本专利技术的各个方面相关。相信该讨论有助于向读者提供背景信息以便于更好地理解本专利技术的各个方面。因此，应理解，这些陈述要在该角度来阅读，而不是作为对现有技术的承认。在下文中，呈现了在近区中的聚焦和波束形成的背景中描述的问题。然而，本技术也可以用于电磁波的引导的更广泛的背景中。电磁波的聚焦和准直(即波束形成)是局部增加电场数量级的既定方式，并且以这样的方式来提高其工作原理依赖于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于从电磁波形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，所述电磁波入射在所述设备上，所述设备的特征在于，其包括至少一个介电材料的层，所述至少一个介电材料的层至少部分地包括第一元件，所述第一元件具有第一折射指数值，所述第一元件至少部分地包括第二元件，所述第二元件具有大于所述第一指数值的第二折射指数值，并且其中所述至少一个聚焦波束获得自从所述第一元件在向所述第二元件的方向上生成的波束的组合，并且其中所述至少一个聚焦波束与入射的所述电磁波的传播方向相比是倾斜的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.24 EP 16305342.41.一种用于从电磁波形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，所述电磁波入射在所述设备上，所述设备的特征在于，其包括至少一个介电材料的层，所述至少一个介电材料的层至少部分地包括第一元件，所述第一元件具有第一折射指数值，所述第一元件至少部分地包括第二元件，所述第二元件具有大于所述第一指数值的第二折射指数值，并且其中所述至少一个聚焦波束获得自从所述第一元件在向所述第二元件的方向上生成的波束的组合，并且其中所述至少一个聚焦波束与入射的所述电磁波的传播方向相比是倾斜的。2.根据权利要求1所述的用于形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，其中所述第二元件包括相对于所述电磁波的到达方向定义的至少一基部表面，并且所述至少一基部表面包括至少两个相对的边缘线，每个边缘线是其形状和相对于所述至少一基部表面的垂直平面中的所述至少一基部表面与所述第二元件的侧向表面之间的关联底角控制所述至少一个聚焦波束的形状的线。3.根据权利要求1至2中任一项所述的用于形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，其中所述第二元件的目标为具有属于包括以下的组的几何形状：-柱；-棱柱；-锥；并且其中所述几何形状具有任意横截面。4.根据权利要求3所述的用于形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，其中所述几何形状是斜向的和/或截断的和/或包括圆角顶表面。5.根据权利要求2至4中任一项所述的用于形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，其中所述至少两个相对的边缘线之间的距离具有至少λ2/2的最小长度，其中λ2是所述电磁波在所述第二元件的材料中的波长。6.根据权利要求2至5中任一项所述的用于形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，其中每个线具有至少λ2的长度，其中λ2是所述电磁波在所述第二元件的材料中的波长。7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于形成近区中的至少一个聚焦波束的设备，其中所述介电材料具有等于所述第二折射指数的第三折射指...

【专利技术属性】
技术研发人员：A鲍里斯金，L布隆德，
申请(专利权)人：汤姆逊许可公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR