一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂及利用该助熔剂的晶体生长方法技术

本发明专利技术涉及一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂及利用该助熔剂的晶体生长方法，采用Rb2O‑P2O5体系作为Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂体系，所述的Rb2O‑P2O5体系的原料中包含Rb2O和P2O5，所述的Rb2Ba(PO3)5粉末、Rb2O和P2O5的摩尔比为1～2:1:1～2。使用该助熔剂体系生长该晶体，有效的降低了晶体的生长温度，增大了晶体的析晶温度区间，有利于晶体生长过程中溶质传输，有效地避免了包裹体的产生，从而可以稳定的生长出厘米级，高光学质量的Rb2Ba(PO3)5单晶。

【技术实现步骤摘要】
一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂及利用该助熔剂的晶体生长方法
本专利技术涉及一种单晶的生长方法，特别是涉及一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂及利用该助熔剂的晶体生长方法。技术背景使用非线性光学晶体，通过倍频，混频，光参量振荡等非线性光学效应，可将有限的激光波长转换成新波段的相干光。利用这种技术可以填补各类激光器件发射激光波长的空白光谱区，使激光器得到更广泛的应用，因此在激光
有巨大的应用前景和经济价值。利用非线性光学晶体进行频率变换的全固态激光器是未来激光器的一个发展方向，而其关键在于获得优秀的非线性光学晶体。尽管目前广泛应用的两种磷酸盐非线性光学晶体是KH2PO4(KDP)和KTiOPO4，但是这两种晶体由于透过范围的限制并不适合于紫外和深紫外激光输出。在专利CN103950912A的报道中，专利技术了一种优秀的非线性光学晶体RbBa2(PO3)5。该晶体不含对称中心，属于单斜晶系Pc空间群，晶胞参数为β＝128.94(1)°，Z＝2；该非线性光学晶体的倍频转换效率约为KDP晶体的1.4倍，其紫外吸收截止边在163nm，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂，其特征在于：采用Rb2O‑P2O5体系作为Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂体系，所述的Rb2O‑P2O5体系的原料中包含Rb2O和P2O5，所述的Rb2Ba(PO3)5粉末、Rb2O和P2O5的摩尔比为1～2:1:1～2。

【技术特征摘要】
1.一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂，其特征在于：采用Rb2O-P2O5体系作为Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂体系，所述的Rb2O-P2O5体系的原料中包含Rb2O和P2O5，所述的Rb2Ba(PO3)5粉末、Rb2O和P2O5的摩尔比为1～2:1:1～2。2.根据权利要求1所述的一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂，其特征在于：所述的Rb2O-P2O5体系的原料中包含铷源和磷源，所述的铷源为氧化铷、碳酸铷或者硝酸铷中的一种或者两种以上任意比例混合，所述的磷源为NH4H2PO4和/或(NH4)2H2PO4。3.根据权利要求1所述的一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂，其特征在于：所述的RbBa2(PO3)5粉末是由含Rb化合物、含Ba化合物和含P化合物反应制得。4.一种利用权利要求1-3中任意一项所述的助熔剂的晶体生长方法，其特征在于：包括如下依序的步骤：1)配料及预处理：称量摩尔比为1～2:1:1～2的RbBa2(PO3)5粉末、Rb2...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗军华，赵炳卿，赵三根，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建,35