【技术实现步骤摘要】
一种无电阻网络可编程增益放大器电路
本专利技术涉及通用模拟电路
,尤其是一种无电阻网络可编程增益放大器电路。
技术介绍
可编程增益放大器的应用范围广泛,如低中频结构的无线通信接收机、音频和视频混合信号集成电路等。可编程增益放大器是能够调节自身增益,以一定的增益将接收的信号传输给后级电路,对于细微的输入信号,可编程增益放大器通常实现放大功能,保证后级电路正常地接收信号;对于幅度较大的输入信号,可编程放大器也能工作在负增益模式,防止后级电路进入非线性。常见的可编程增益放大器由高增益运算放大器、可编程电阻阵列构成反馈网络,实现增益可调。这种结构的缺点在于:电阻阵列面积大、电阻匹配难度大、电路功耗大等。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种无电阻网络可编程增益放大器电路,能够实现较高的增益精度,同时灵活地应对环境变化对性能的影响。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种无电阻网络可编程增益放大器电路,包括:两级数字控制增益级STAGE1和STAGE2,两级共模负反馈电路CMFB1和CMFB2,模拟控制增益级STAGE3;输入信号接第一级数字控制增益级STAGE1的输入端,第一级数字控制增益级STAGE1的输出端接第二级数字控制增益级STAGE2的输入端,第二级数字控制增益级STAGE2的输出端接模拟控制增益级STAGE3的输入端,模拟控制增益级STAGE3的输出端输出最终信号;同时第一级数字控制增益级STAGE1的输出端接第一级共模负反馈电路CMFB1的输入端,第一级共模负反馈电路CMFB1的输出端接第一级数字控制增益级STAGE1的CMFB_ ...
【技术保护点】
1.一种无电阻网络可编程增益放大器电路,其特征在于,包括:两级数字控制增益级STAGE1和STAGE2,两级共模负反馈电路CMFB1和CMFB2,模拟控制增益级STAGE3;输入信号接第一级数字控制增益级STAGE1的输入端,第一级数字控制增益级STAGE1的输出端接第二级数字控制增益级STAGE2的输入端,第二级数字控制增益级STAGE2的输出端接模拟控制增益级STAGE3的输入端,模拟控制增益级STAGE3的输出端输出最终信号;同时第一级数字控制增益级STAGE1的输出端接第一级共模负反馈电路CMFB1的输入端,第一级共模负反馈电路CMFB1的输出端接第一级数字控制增益级STAGE1的CMFB_OUT端;第二级数字控制增益级STAGE2的输出端接第二级共模负反馈电路CMFB2的输入端,第二级共模负反馈电路CMFB2的输出端接第二级数字控制增益级STAGE2的CMFB_OUT端;两级数字控制增益级STAGE1和STAGE2实现增益的粗调节,两级共模负反馈电路CMFB1和CMFB2实现每一级输出共模电平的钳位,模拟控制增益级STAGE3实现增益的细调节,减小增益步进和增益误差。
【技术特征摘要】
1.一种无电阻网络可编程增益放大器电路,其特征在于,包括:两级数字控制增益级STAGE1和STAGE2,两级共模负反馈电路CMFB1和CMFB2,模拟控制增益级STAGE3;输入信号接第一级数字控制增益级STAGE1的输入端,第一级数字控制增益级STAGE1的输出端接第二级数字控制增益级STAGE2的输入端,第二级数字控制增益级STAGE2的输出端接模拟控制增益级STAGE3的输入端,模拟控制增益级STAGE3的输出端输出最终信号;同时第一级数字控制增益级STAGE1的输出端接第一级共模负反馈电路CMFB1的输入端,第一级共模负反馈电路CMFB1的输出端接第一级数字控制增益级STAGE1的CMFB_OUT端;第二级数字控制增益级STAGE2的输出端接第二级共模负反馈电路CMFB2的输入端,第二级共模负反馈电路CMFB2的输出端接第二级数字控制增益级STAGE2的CMFB_OUT端;两级数字控制增益级STAGE1和STAGE2实现增益的粗调节,两级共模负反馈电路CMFB1和CMFB2实现每一级输出共模电平的钳位,模拟控制增益级STAGE3实现增益的细调节,减小增益步进和增益误差。2.如权利要求1所述的无电阻网络可编程增益放大器电路,其特征在于,数字控制增益级电路包括40个NMOS管,2个PMOS管,其中NM1、NM2、NM3、NM4和NM13、NM14、NM15、NM16分别构成主输入支路和主负载支路;NM5、NM6、NM7、NM8和NM9、NM10、NM11、NM12分别构成由数字控制信号S0、控制的输入阵列和负载阵列;NM1的漏极接NM2的源极,NM2的栅极接电源VDD,NM2的漏极接NM3和NM4的源极;NM5的漏极接NM6的源极,NM6的栅极接S0,NM6的漏极接NM7和NM8的源极;NM3、NM8的漏极相连,NM3、NM8的栅极与输入信号VIN+相连;NM4、NM7的漏极相连,NM4、NM7的栅极与输入信号VIN-相连;NM13的漏极接NM14的源极,NM14的栅极接电源VDD,NM14的漏极接NM15和NM16的源极;NM9的漏极接NM10的源极,NM10的栅极接NM10的漏极接NM11和...
【专利技术属性】
技术研发人员:樊祥宁,陈鑫,朱斌超,陶健,花再军,廖一龙,王志功,
申请(专利权)人:东南大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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