一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法技术

本发明专利技术实施例提供一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法，用于解决现有技术中GaN功率放大器供电控制电路结构复杂，制造成本高昂的技术问题。其中，所述供电控制电路包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器；所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连，通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连；所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法
本专利技术涉及电子
，特别涉及一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法。
技术介绍
随着中国制造2025宏伟蓝图的提出，能源成为了制约当今社会发展的一个重要因素，低碳环保成为了当今社会的主基调。在高速发展的通信领域，系统效率高低直接决定了能源消耗快慢。GaN功率放大器作为一种宽带高效率器件，其自身独特的宽带高效性能，能够极大程度的降低通信系统的功耗，减少能源的浪费，实现低碳节能环保。GaN功率放大器作为一种耗尽型功率放大器，在上电时必须先偏置栅极的负压，待栅极的负压稳定后才能偏置漏极的正压，在掉电时必须要先掉漏极的正压，待漏极的正压完全掉电后，再掉栅极的负压。基于这种特殊的上掉电时序，为GaN功率放大器设计合理的供电控制电路至关重要，稳定可靠的供电控制电路是保证GaN器件正常偏置与正常工作的前提。目前，业内比较普遍的供电控制电路是采用负压芯片来控制GaN功率放大器的上掉电时序，这种负压芯片必须要有负压输出指示，通过该指示来控制漏极正压开关。但是，这种方法电路结构复杂，制造成本高昂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN功率放大器供电控制电路，其特征在于，包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器；其中，所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连，通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连；所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。

【技术特征摘要】
1.一种GaN功率放大器供电控制电路，其特征在于，包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器；其中，所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连，通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连；所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。2.如权利要求1所述的供电控制电路，其特征在于，所述处理器用于生成脉宽调制PWM信号；所述栅极电压生成电路根据所述PWM信号生成负电压直流信号，并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极；其中，所述负电压直流信号的电压大小与所述PWM信号的占空比的大小负相关；所述处理器通过控制所述PWM信号的占空比控制所述GaN功率放大器的栅极电压的大小。3.如权利要求2所述的供电控制电路，其特征在于，所述栅极电压生成电路包括：PWM滤波电路，与所述处理器相连，用于根据所述PWM信号生成正电压直流信号；运放电路，与所述PWM滤波电路相连，用于对所述PWM滤波电路生成的正电压直流信号进行放大和反向处理，生成负电压直流信号，并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极。4.如权利要求3所述的供电控制电路，其特征在于，所述PWM滤波电路包括PWM滤波模块或电阻电容RC电路。5.如权利要求3所述的供电控制电路，其特征在于，所述运放电路具体包括正向调理运放、反向隔离运放以及正负压电源；其中，所述正向调理运放与所述PWM滤波电路相连，用于对所述PWM滤波电路生成的正电压直流信号进行放大处理，生成放大后的正电压直流信号；所述反向隔离运放与所述正向调理运放相连，用于对所述放大后的正电压直流信号进行反向处理，生成负电压直流信号，并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极；所述正负压电源与所述正向调理运放、所述反向隔离运放分别相连，用于为所述正向调理运放、所述反向隔离运放供电。6.如权利要求1所述的供电控制电路，其特征在于，所述漏极电压开关电路包括漏压开关，以及与所述漏压开关相连的正电源；所述处理器通过所述漏压开关与所述GaN功率放大器的漏极相连；所述处理器用于向所述漏压开关发送电压信号以控制所述GaN功率放大器漏极电压的大小；其中，当所述处理器发送给所述漏压开关的电压信号为低逻辑时，所述漏压开关导通，所述正电源的电压通过所述漏压开关偏置到所述GaN功率放大器的漏极；当所述处理器发送给所述漏压开关的电压信号为高逻辑时，所述漏压开关断开，所述GaN功率放大器漏极电压为0。7.如权利要求1-6任一项所述的供电控制电路，其特征在于，所述处理器用于：在需要对GaN功率放大器进行上电时，向所述漏极电压开关电路发送高逻辑的电压信号，使得所述GaN功率放大器的漏极电压为0；将所述GaN功率放大器的栅极电压设置为所述GaN夹断电压以下，实现对所述GaN功率放大器的栅极上电；在确定所述GaN功率放大器使能后，向所述漏极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雪平，刘海涛，刘兴现，陈太蒙，李娣，姚顺奇，
申请(专利权)人：京信通信系统中国有限公司，京信通信系统广州有限公司，京信通信技术广州有限公司，天津京信通信系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44