【技术实现步骤摘要】
晶圆的处理装置及处理方法、化学机械抛光系统
本专利技术属于半导体工艺
，尤其是涉及一种晶圆的处理装置，晶圆的化学机械抛光系统，以及晶圆的处理方法。
技术介绍
相关技术中的化学机械抛光系统，在对晶圆进行清洗的方式或多或少会对晶圆产生磨损或者损坏，而且容易对晶圆产生二次污染清洗效果差，因此有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种晶圆的处理装置，该处理装置在对晶圆进行处理时，可以防止损坏晶圆，处理效果好。本专利技术还提出一种具有该晶圆的处理装置的化学机械抛光系统。本专利技术还提出一种应用上述晶圆的处理装置进行的晶圆的处理方法。根据本专利技术第一方面实施例的晶圆的处理装置，包括：驱动组件以及处理组件，所述驱动组件带动所述晶圆旋转的同时所述处理组件绕垂直于所述晶圆表面的轴线摆动以向所述晶圆表面喷射流体。根据本专利技术实施例的晶圆的处理装置，在使晶圆旋转的过程中，利用处理组件朝向晶圆表面进行喷射流体，从而可以避免处理组件与晶圆接触，这样大大降低了晶圆在被处理的过程中受到损坏的可能性，这样在很大程度上，对晶圆起到保...
【技术保护点】
1.一种晶圆的处理装置，包括：驱动组件以及处理组件，所述驱动组件带动所述晶圆旋转的同时所述处理组件绕垂直于所述晶圆表面的轴线摆动以向所述晶圆表面喷射流体。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的处理装置，包括：驱动组件以及处理组件，所述驱动组件带动所述晶圆旋转的同时所述处理组件绕垂直于所述晶圆表面的轴线摆动以向所述晶圆表面喷射流体。2.根据权利要求1所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述流体包括用于清洗所述晶圆的液体和/或用于干燥所述晶圆的气体。3.根据权利要求1所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述轴线位于所述晶圆圆周外侧。4.根据权利要求1所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述处理组件在其末端固定设置至少一个喷嘴，所述喷嘴的出口距所述晶圆5～30mm。5.根据权利要求1所述的晶圆的处理装置，其特征在于，还包括：外壳，所述外壳内限定出工作腔，所述处理组件设在所述工作腔内且可在竖直面内摆动，所述驱动组件用于带动所述晶圆在竖直面内旋转；驱动结构，所述驱动结构用于驱动所述清洗组件摆动。6.根据权利要求5所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述驱动结构包括连接轴，所述连接轴水平延伸且绕其轴线可自转地设在所述工作腔内，所述处理组件包括：清洗杆，所述清洗杆连接在所述连接轴的自由端且在与所述连接轴垂直的平面内延伸；导管，所述导管设在所述清洗杆上且朝向所述晶圆可喷出所述流体。7.根据权利要求6所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述导管包括：第一导管，所述第一导管上设有兆声喷头；第二导管，所述第二导管的自由端设有所述喷嘴。8.根据权利要求7所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述喷嘴被构造成使朝向所述晶圆喷出的流体呈锥体形状或扇形。9.根据权利要求7所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述清洗杆内限定出的安装空间内，所述第一导管和所述第二导管均设在所述安装空间内。10.根据权利要求7所述的晶圆的处理装置，其特征在于，所述第一导管包括：第一管段和第二管段，所述第二管段经兆声发生装置连接在所述第一管段的自由端，所述第二管段的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许振杰，王剑，贾弘源，王同庆，赵德文，李俊俊，路新春，
申请(专利权)人：清华大学，天津华海清科机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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