【技术实现步骤摘要】
一种多孔花瓣状的锐钛矿TiO2纳米晶薄膜及其制备方法
本专利技术涉及纳米材料制备以及光电化学
,具体是公开了一种多孔花瓣状的锐钛矿TiO2纳米晶制备及其制备方法。
技术介绍
TiO2是一种常用的半导体纳米材料,自1972年被发现具有光催化效应以来,TiO2就因为其光催化活性高,物理化学稳定性好,生物无毒性等优势而广泛被科研工作者研究。TiO2半导体纳米材料在紫外光照射下,位于价带(VB)上电子(e-)被激发而跃迁至其导带(CB),价带上留下空穴(h+),二者形成光生电子-空穴对。其中所生成的部分光生电子被水中的溶解氧捕获,从而生成强氧化性的超氧离子(·O2-);空穴本身也具有很强的氧化性,他可以将H2O分子或者OH-氧化成羟基自由基(·OH),羟基自由基,超氧离子,以及空穴三者都具有非常强的氧化性。具体在光催化应用领域来说,其光反应过程中所生成的光生电子可以用于光解水制氢,众所周知,氢能是公认的清洁能源,对于未来低碳世界的实现有着不可或缺的重要作用;另基于TiO2半导体纳米材料优异的氧化性,可以将环境中的有机污染物降解成CO2、H2O以及其它无机小分子等,故 ...
【技术保护点】
1.一种多孔花瓣状的锐钛矿TiO2纳米晶薄膜,其特征在于:该薄膜由多孔TiO2纳米晶组成,比表面积大,光生电子空穴复合几率低;TiO2纳米晶薄膜为锐钛矿相,光生空穴氧化能力强;TiO2纳米晶薄膜由Ti基底直接水热生长而成,与基底结合良好,既具有较低的电荷迁移电阻,也不易产生薄膜的脱落。
【技术特征摘要】
1.一种多孔花瓣状的锐钛矿TiO2纳米晶薄膜,其特征在于:该薄膜由多孔TiO2纳米晶组成,比表面积大,光生电子空穴复合几率低;TiO2纳米晶薄膜为锐钛矿相,光生空穴氧化能力强;TiO2纳米晶薄膜由Ti基底直接水热生长而成,与基底结合良好,既具有较低的电荷迁移电阻,也不易产生薄膜的脱落。2.一种如权利要求1所述的多孔花瓣状的锐钛矿TiO2纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:采用水热合成和高温晶化法制备,具体步骤如下:(1)将钛片依次置于丙酮、去离子水、酒精、去离子水中进行超声表面清洗,将清洗后的钛片置于38-42℃的烘箱内烘干保存;(2)将步骤(1)处理后的钛片置于含有HF酸溶液的聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应得到TiO2纳米晶薄膜;(3)将TiO2纳米晶薄膜清洗后进行高温晶化处理,获得多孔花瓣状的锐钛矿TiO2纳米晶薄膜。3.如权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张勇,庞亚俊,冯强,徐光青,吕珺,吴玉程,
申请(专利权)人:合肥工业大学,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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