低频双极化全波辐射单元制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低频双极化全波辐射单元，包括辐射单元主体、支撑座以及馈电电缆，辐射单元主体包括介质基板、设置在介质基板正面的两条对角线上的第一振子组和第二振子组以及设置在介质基板背面四周的四个折合微带线；第一振子组和第二振子组分别包括两个关于介质基板的中心对称的折合振子；每个折合振子包括两个关于对应的介质基板正面的对角线对称的振子臂，两个振子臂的靠近介质基板中心的一端之间相互连接，两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间具有一定的距离；介质基板的背面在对应每个振子臂的靠近介质基板中心的一端的位置分别设有调节件。本实用新型专利技术可实现较好的驻波及隔离度指标以及可适用不同的边界条件。

【技术实现步骤摘要】
低频双极化全波辐射单元
本技术涉及移动通信
，尤其是涉及一种低频双极化全波辐射单元。
技术介绍
目前多频化和小型化成为移动通信天线的重要发展趋势，但随着天线的多频化和小型化发展，天线的电磁环境越来越复杂，辐射单元受边界条件影响越来越严重。传统的低频双极化半波压铸辐射单元受复杂电磁环境干扰后，很难实现较好的驻波和隔离度指标。即使辐射单元在特定的边界条件下实现了较好的驻波和隔离度指标，但当边界条件发生较大变化后，辐射单元的驻波和隔离度指标会严重恶化，此时则需要重新开发辐射单元。然而辐射单元的加工、调试、开模周期长，开发成本高，重新开发辐射单元会延长天线产品的开发周期以及提高天线产品的成本。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述技术的不足，提供一种低频双极化全波辐射单元，可实现较好的驻波和隔离度指标以及可适用不同的边界条件。本技术提供的一种低频双极化全波辐射单元，包括辐射单元主体、设置在辐射单元主体上的支撑座以及设置在支撑座上用于给辐射单元主体进行馈电的馈电电缆，所述辐射单元主体包括介质基板、设置在介质基板正面的两条对角线上的第一振子组和第二振子组以及设置在介质基板背面四周的四个折合微带线，所述第一振子组和第二振子组呈极化正交设置；所述第一振子组和第二振子组分别包括两个关于介质基板的中心对称的折合振子；每个所述折合振子包括两个关于对应的介质基板正面的对角线对称的振子臂，所述两个振子臂的靠近介质基板中心的一端之间相互连接，两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间具有一定的距离；所述介质基板的背面在对应每个振子臂的靠近介质基板中心的一端的位置分别设有调节件。进一步地，所述介质基板正面的四周分别设有三角形耦合片，所述三角形耦合片位于对应的相邻两个折合振子的相邻两个振子臂之间。进一步地，所述介质基板正面的四个角上分别设有矩形耦合片，所述矩形耦合片位于对应的折合振子的相邻两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间。进一步地，所述矩形耦合片设有金属过孔，所述金属过孔的底端延伸至所述介质基板的背面并焊接有金属圆柱，所述金属圆柱沿远离介质基板背面的方向延伸。进一步地，每个振子臂的靠近所述介质基板中心的一端设有通孔，所述通孔贯穿至介质基板的背面；所述调节件通过紧固件固定到所述介质基板的背面，所述紧固件安装到对应的通孔。进一步地，所述支撑座设置在所述介质基板背面的中心位置，介质基板背面的调节件位于支撑座的四周；所述支撑座包括支撑座本体以及形成在支撑座本体顶部的呈正交设置的第一巴伦组、第二巴伦组，所述第一巴伦组、第二巴伦组分别位于所述介质基板背面的两条对角线上，且第一巴伦组与所述第一振子组对应，第二巴伦组与所述第二振子组对应。进一步地，所述第一巴伦组和第二巴伦组分别包括第一平衡臂和第二平衡臂，所述第一平衡臂的顶部设有连接柱，所述第二平衡臂的顶部设有电缆孔；所述第一巴伦组的第一平衡臂的连接柱穿设到所述介质基板、第一振子组的其中一个折合振子并突出于该折合振子，所述第二巴伦组的第一平衡臂的连接柱穿设到所述介质基板、第二振子组的其中一个折合振子并突出于该折合振子。进一步地，所述第一振子组的两个折合振子通过第一微带线连接，所述第二振子组的两个折合振子通过第二微带线连接。进一步地，所述馈电电缆包括第一同轴电缆和第二同轴电缆；所述第一同轴电缆的外导体焊接到第一巴伦组的第二平衡臂的外周，第一同轴电缆的内导体的末端穿过第二平衡臂的电缆孔并穿设到所述介质基板、所述第一微带线且焊接到第一微带线，第一同轴电缆的内导体的末端突出于该第一微带线；所述第二同轴电缆的外导体焊接到第二巴伦组的第二平衡臂的外周，第二同轴电缆的内导体的末端穿过第二平衡臂的电缆孔并穿设到所述介质基板、所述第二微带线且焊接到第二微带线，第二同轴电缆的内导体的末端突出于该第二微带线。进一步地，所述辐射单元主体还包括寄生片，所述寄生片通过支撑柱设置在所述介质基板的正面。本技术的低频双极化辐射单元可实现较好的驻波及隔离度指标，并且不同的边界条件可通过改变调节件的数量来实现较好的驻波及隔离度指标，因而可适用不同的边界条件。同时本技术制造简单，调试、开模周期短，成本低。【附图说明】图1为本技术一实施例提供的低频双极化全波辐射单元的结构示意图；图2是图1所示低频双极化全波辐射单元的俯视示意图；图3是图1所示低频双极化全波辐射单元的底部的结构示意图；图4是图1所示低频双极化全波辐射单元去掉寄生片后的结构示意图；图5是图4所示低频双极化全波辐射单元去掉寄生片后的俯视示意图；图6是图1所示低频双极化全波辐射单元的支撑座的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术作进一步的描述。参考图1至图6，本技术提供的一种低频双极化全波辐射单元，包括辐射单元主体、设置在辐射单元主体上的支撑座30以及设置在支撑座30上用于给辐射单元主体进行馈电的馈电电缆。低频双极化全波辐射单元的工作频段为690-960MHz(兆赫)。辐射单元主体包括方形的介质基板10、设置在介质基板10正面的两条对角线上的第一振子组11和第二振子组12以及设置在介质基板10背面四周的四个折合微带线14。介质基板10为单层PCB介质基板。第一振子组11和第二振子组12呈极化正交设置。第一振子组11和第二振子组12分别对应辐射单元的两个极化。第一振子组11和第二振子组12分别包括两个关于介质基板10的中心对称的折合振子13。每个折合振子13包括两个关于对应的介质基板10正面的对角线对称的振子臂131，两个振子臂131的靠近介质基板10中心的一端之间相互连接，两个振子臂131的远离介质基板10中心的一端之间具有一定的距离。每个折合微带线14用于与对应的相邻两个折合振子13的相邻两个振子臂131实现耦合连接，以调节对应的相邻两个折合振子13之间的耦合度及阻抗匹配，从而改善辐射单元的驻波及隔离度指标。介质基板10的背面在对应每个振子臂131的靠近介质基板10中心的一端的位置分别设有调节件15，因而本技术共有八个调节件15。调节件15用于与对应的振子臂131实现耦合连接，或者用于与对应的相邻两个折合振子13的相邻两个振子臂131实现耦合连接，可调节对应的相邻两个折合振子13的相邻两个振子臂131之间的耦合效果，改善了对应的相邻两个折合振子13的相邻两个振子臂131之间的能量耦合和S参数，从而实现较好的驻波及隔离度指标。优选地，调节件15为一金属片。调节件15通过紧固件133例如铆钉固定到介质基板10的背面，从而调节件15可拆装，当辐射单元的边界条件发生变化后，可通过增加或减少调节件15的数量来实现较好的驻波及隔离度指标，从而本技术的辐射单元可适应不同的边界条件，并且当调节件15出现故障时，可快速更换新的调节件15，调试加工周期短，成本低。本实施例中，该紧固件133为两个。每个振子臂131的靠近介质基板10中心的一端设有通孔132，通孔132贯穿至介质基板10的背面。通孔132用于增强对应的调节件15的耦合调节作用。通孔132为多个，多个通孔132沿平行于对应的介质基板10的轴线并排设置。通孔132的个数可根据实际情况进行设置，通孔132的个数不构成对本技术的限制。用于固定调节件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低频双极化全波辐射单元，包括辐射单元主体、设置在辐射单元主体上的支撑座以及设置在支撑座上用于给辐射单元主体进行馈电的馈电电缆，其特征在于：所述辐射单元主体包括介质基板、设置在介质基板正面的两条对角线上的第一振子组和第二振子组以及设置在介质基板背面四周的四个折合微带线，所述第一振子组和第二振子组呈极化正交设置；所述第一振子组和第二振子组分别包括两个关于介质基板的中心对称的折合振子；每个所述折合振子包括两个关于对应的介质基板正面的对角线对称的振子臂，所述两个振子臂的靠近介质基板中心的一端之间相互连接，两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间具有一定的距离；所述介质基板的背面在对应每个振子臂的靠近介质基板中心的一端的位置分别设有调节件。

【技术特征摘要】
1.一种低频双极化全波辐射单元，包括辐射单元主体、设置在辐射单元主体上的支撑座以及设置在支撑座上用于给辐射单元主体进行馈电的馈电电缆，其特征在于：所述辐射单元主体包括介质基板、设置在介质基板正面的两条对角线上的第一振子组和第二振子组以及设置在介质基板背面四周的四个折合微带线，所述第一振子组和第二振子组呈极化正交设置；所述第一振子组和第二振子组分别包括两个关于介质基板的中心对称的折合振子；每个所述折合振子包括两个关于对应的介质基板正面的对角线对称的振子臂，所述两个振子臂的靠近介质基板中心的一端之间相互连接，两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间具有一定的距离；所述介质基板的背面在对应每个振子臂的靠近介质基板中心的一端的位置分别设有调节件。2.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述介质基板正面的四周分别设有三角形耦合片，所述三角形耦合片位于对应的相邻两个折合振子的相邻两个振子臂之间。3.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述介质基板正面的四个角上分别设有矩形耦合片，所述矩形耦合片位于对应的折合振子的相邻两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间。4.根据权利要求3所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述矩形耦合片设有金属过孔，所述金属过孔的底端延伸至所述介质基板的背面并焊接有金属圆柱，所述金属圆柱沿远离介质基板背面的方向延伸。5.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：每个振子臂的靠近所述介质基板中心的一端设有通孔，所述通孔贯穿至介质基板的背面；所述调节件通过紧固件固定到所述介质基板的背面，所述紧固件安装到对应的通孔。6.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述支撑座设置在所述介...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡茂兵，敖孟燚，吴丽萍，黄勇，陈国，
申请(专利权)人：深圳国人通信股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44