【技术实现步骤摘要】
一种湿敏晶体管传感器
本技术涉及微电子领域,具体涉及一种湿敏晶体管传感器。
技术介绍
湿度传感器的核心元件是在其用感湿材料制成的薄膜,当空气中的水蒸气吸附在感湿膜上时,元件的电学信号都发生变化,利用这一特性即可测量湿度。湿度传感器的主要原理是在环境中通过湿敏材料在不同湿度下的电导变化,从而反映出相应的气体变化量。基于微纳加工工艺的高速发展下,各种器件尺寸的不断集成化,微型化,而传统的传感器因为其本身材料的限制,在产品持续微型化、灵敏度、稳定性、相应速度等方面得到的改善越来越小,已经不能适应科技进步的要求。因此,需对现有技术加以改进。
技术实现思路
为克服现有技术所存在的缺陷,现提供一种湿敏晶体管传感器,其灵敏度、稳定性和响应范围等性能都有巨大的改善。本技术提供了一种湿敏晶体管传感器,包括高掺硅层和二氧化硅层(SiO2),所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部,所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层(MoS2),所述二氧化硅层上设有源极和漏极,所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧,所述高掺硅层上设有栅极。相对于现有技术而言,本技术的晶体管传感器在尺寸上得到了高度的压缩,利用MoS2独特的电子性质,起到很好的气体吸附的性能,对环境中的水气具有灵敏度高、稳定性好、与传统的微纳加工工艺兼容等优点。进一步的改进在于,所述二氧化硅层的厚度为300nm。对于晶体管传感器的尺寸进行的高度的压缩。进一步的改进在于,所述二硫化钼层的厚度为0.6nm。同样比传统的传感器尺寸减少很多。附图说明图1为本技术第一实施例的一种湿敏晶体管传感器的结构示意图。说明书中的附图标记具体如下;高掺硅 ...
【技术保护点】
1.一种湿敏晶体管传感器,其特征在于:包括高掺硅层和二氧化硅层,所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部,所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层,所述二氧化硅层上设有源极和漏极,所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧,所述高掺硅层上设有栅极。
【技术特征摘要】
1.一种湿敏晶体管传感器,其特征在于:包括高掺硅层和二氧化硅层,所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部,所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层,所述二氧化硅层上设有源极和漏极,所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两...
【专利技术属性】
技术研发人员:王中健,肖兵,梁欢,黄肖艳,
申请(专利权)人:季优科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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