像素补偿电路及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种像素补偿电路以及显示装置，其中所述像素补偿电路包括第一晶体管，其用于响应于一第一扫描信号对一第一节点和一第二节点之间的电流路径进行切换；第四晶体管，其用于响应于所述第二节点处的电压信号对所述第一节点和一第三节点之间的电流路径进行切换；第七晶体管，其用于响应于一使能信号对所述第三节点和一第四节点之间的电流路径进行切换；一电容器；以及一发光二极管。本发明专利技术的OLED显示器件的驱动电路的漏电情况得到了很好的补偿，提高薄膜晶体管栅极电压稳定性，不会因漏电而影响黑态的亮度和降低对比度；降低存储电容的值，进而可以减少存储电容所占的空间，增加可用布局空间，可以增加产品的显示像素个数，提高显示效果。

【技术实现步骤摘要】
像素补偿电路及显示装置
本专利技术涉及显示领域，特别是一种提高驱动发光器件的驱动晶体管栅极电压稳定性的像素补偿电路及显示装置。
技术介绍
近来，已经开发出与阴极射线管显示器相比具有较小重量和体积的各种平板显示器包括液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示面板和有机发光显示器。在平板显示器中，有机发光显示器使用通过电子和空穴的重组产生光的有机发光二极管(OLED)显示图像。有机发光显示器具有较快的响应速度并且以较低的功耗驱动。一个典型的有机发光显示器通过形成在像素中的晶体管向OLED发光器件提供根据数据信号的电流，从而由OLED发光器件发射出光。有机发光显示器根据驱动类型进行区分，可以分为无源驱动型(PMOLED)和有源驱动型(AMOLED)，其中无源驱动型不采用薄膜晶体管基板，有源驱动型则采用薄膜晶体管基板。有源驱动的有机发光显示器的每个像素配备具有开关功能的低温多晶硅薄膜晶体管，而且每个像素配备一个存储电容，外围驱动电路和显示组件集成在同一玻璃基板上。每个像素依据一数据信号产生一驱动电流，通过调整OLED发光器件的驱动电流来控制有机发光二极管的亮度。OLED发光器件是电流驱动器件，需要通过像素驱动电路中的驱动TFT(薄膜晶体管)来控制OLED发光器件的工作状态。因此驱动TFT的栅极电压稳定性十分重要，特别是在黑态时，如果不稳定，会影响黑态的亮度，降低对比度。如图1所示，为现有技术中一种像素驱动电路的结构示意图。其中，ELVDD为提供给OLED发光器件的电源正极，ELVSS为电源负极，dl为数据信号，Sn为第一扫描信号，Sn-1为第二扫描信号，Sn-2为第三扫描信号，En为使能信号。在该像素驱动电路中，采用了存储电容Cst，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7，其中T5和T6处可以分别采用两个串联连接的晶体管。采用该种像素驱动电路时，电路中的N2节点会因为晶体管T5和T6的漏电造成电压变化，而且晶体管T5和T6的漏电方向是一样的，均是从N2节点流向更负的电压节点，因此晶体管T5和T6的漏电不仅不能抵消，还因为相互叠加而增加漏电情况。在该
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部分公开的上述信息仅是为了增进对本专利技术
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的理解，因此它可能包含在这个国家对本领域的普通技术人员来说未知的、不构成现有技术的信息。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种像素补偿电路及显示装置，克服了现有技术的缺点，提高驱动晶体管栅极电压稳定性，降低存储电容的值，进而可以减少存储电容所占的空间，提高显示效果。根据本专利技术的一个方面，提供一种像素补偿电路，包括：第一晶体管，其用于响应于一第一扫描信号对一第一节点和一第二节点之间的电流路径进行切换；第四晶体管，其用于响应于所述第二节点处的电压信号对所述第一节点和一第三节点之间的电流路径进行切换；第七晶体管，其用于响应于一使能信号对所述第三节点和一第四节点之间的电流路径进行切换；一电容器，其耦接于一电源正极电压信号和所述第二节点之间；以及一发光二极管，其阳极耦接所述第四节点，阴极耦接一电源负极；所述第一节点输入一电源正极电压信号，所述第二节点输入一初始化信号，所述第三节点输入一数据信号。可选地，所述第一晶体管、所述第四晶体管和第七晶体管均为PMOS晶体管。可选地，还包括：第三晶体管，其用于响应于一第二扫描信号对所述第二节点和所述初始化信号之间的电流路径进行切换。可选地，还包括：第五晶体管，其用于响应于所述第二扫描信号对所述第二节点和所述初始化信号之间的电流路径进行切换。可选地，所述第三晶体管和第五晶体管均为PMOS管。可选地，还包括：第二晶体管，其用于响应于所述第一扫描信号对所述第三节点和所述数据信号之间的电流路径进行切换。可选地，所述第二晶体管为PMOS管。可选地，还包括：第八晶体管，其用于响应于所述使能信号对所述电源正极和所述第一节点之间的电流路径进行切换。可选地，还包括：第六晶体管，其用于响应于一第三扫描信号对所述初始化信号与所述第四节点之间的电流路径进行切换。可选地，所述第六晶体管和所述第八晶体管均为PMOS晶体管。本专利技术还提供一种显示装置，包括所述的像素补偿电路。与现有技术相比，由于使用了以上技术，本专利技术中OLED显示器件的驱动电路的漏电情况得到了很好的补偿，提高驱动OLED发光器件的薄膜晶体管栅极电压稳定性，不会因漏电而影响黑态的亮度和降低对比度；降低存储电容的值，进而可以减少存储电容所占的空间，增加可用布局空间，在同样的总布局空间中，可以增加产品的显示像素个数，从而提高显示效果。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1示出现有技术的像素驱动电路的结构示意图；图2示出本专利技术一实施例的像素补偿电路的结构示意图；图3示出本专利技术一实施例的像素补偿电路的驱动波形图；图4示出图3中R1阶段的像素补偿电路的导通状态示意图；图5示出图3中R2阶段中第一扫描信号为低电平时的导通状态示意图；图6示出图3中R2阶段中第一扫描信号为高电平时的导通状态示意图；图7示出图3中R3阶段的像素补偿电路的导通状态示意图；图8示出本专利技术另一实施例的像素补偿电路的结构示意图；图9示出了采用本专利技术一实施例的像素补偿电路与采用现有技术的像素驱动电路的白画面漏电压差的对比图；图10示出了采用本专利技术一实施例的像素补偿电路与采用现有技术的像素驱动电路的灰画面漏电压差的对比图；图11示出了采用本专利技术一实施例的像素补偿电路与采用现有技术的像素驱动电路的黑画面漏电压差的对比图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本专利技术的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，也可以实践本专利技术的技术方案。如图2所示，本专利技术一实施例提供了一种像素补偿电路。所述电路包括一第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第七晶体管M7、第八晶体管M8、一电容器Cst以及一发光二极管XD。其中：所述第一晶体管M1用于响应于一第一扫描信号Sn对一第一节点N1和一第二节点N2之间的电流路径进行切换；所述第二晶体管M2用于响应于所述第一扫描信号Sn对一第三节点N3和一数据信号dl之间的电流路径进行切换；所述第三晶体管M3用于响应于一第二扫描信号Sn-1对所述第二节点N2和一初始化信号Vin之间的电流路径进行切换；所述第四晶体管M4用于响应于所述第二节点N2处的电压信号对所述第一节点N1和所述第三节点N3之间的电流路径进行切换；所述第七晶体管M7用于响应于一使能信号En对所述第三节点N3和一第四节点N4之间的电流路径进行切换；所述第八晶体管M8用于响应于所述使能信号En对一电源正极电压信号ELVDD和所述第一节点N1之间的电流路径进行切换；所述电容器Cst连接于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素补偿电路，其特征在于，包括：第一晶体管(M1)，其用于响应于一第一扫描信号(Sn)对一第一节点(N1)和一第二节点(N2)之间的电流路径进行切换；第四晶体管(M4)，其用于响应于所述第二节点(N2)处的电压信号对所述第一节点(N1)和一第三节点(N3)之间的电流路径进行切换；第七晶体管(M7)，其用于响应于一使能信号(En)对所述第三节点(N3)和一第四节点(N4)之间的电流路径进行切换；一电容器(Cst)，其耦接于一电源正极电压信号(ELVDD)和所述第二节点(N2)之间；以及一发光二极管(XD)，其阳极耦接所述第四节点(N4)，阴极耦接一电源负极(ELVSS)；所述第一节点(N1)输入所述电源正极电压信号(ELVDD)，所述第二节点(N2)输入一初始化信号(Vin)，所述第三节点(N3)输入一数据信号(dl)。

【技术特征摘要】
1.一种像素补偿电路，其特征在于，包括：第一晶体管(M1)，其用于响应于一第一扫描信号(Sn)对一第一节点(N1)和一第二节点(N2)之间的电流路径进行切换；第四晶体管(M4)，其用于响应于所述第二节点(N2)处的电压信号对所述第一节点(N1)和一第三节点(N3)之间的电流路径进行切换；第七晶体管(M7)，其用于响应于一使能信号(En)对所述第三节点(N3)和一第四节点(N4)之间的电流路径进行切换；一电容器(Cst)，其耦接于一电源正极电压信号(ELVDD)和所述第二节点(N2)之间；以及一发光二极管(XD)，其阳极耦接所述第四节点(N4)，阴极耦接一电源负极(ELVSS)；所述第一节点(N1)输入所述电源正极电压信号(ELVDD)，所述第二节点(N2)输入一初始化信号(Vin)，所述第三节点(N3)输入一数据信号(dl)。2.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管(M1)、所述第四晶体管(M4)和第七晶体管(M7)均为PMOS晶体管。3.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，还包括：第三晶体管(M3)，其用于响应于一第二扫描信号(Sn-1)对所述第二节点(N2)和所述初始化信号(Vin)之间的电流路径进行切换。4.根据权利要求3所述的像素补偿电路，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：周兴雨，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31