一种高速缓存装置及数据高速读写终端制造方法及图纸

技术编号:19821531 阅读:37 留言:0更新日期:2018-12-19 14:36
本申请公开了一种由处理器主板、DDRSDRAM以及QDR SRAM组成的高速缓存装置,将QDR SRAM颗粒基于常规DDR SDRAM采用的DIMM接口封装方式得到的QDR SRAM能够直接通过处理器已经存在的DIMM接口与处理器主板建立连接,这是由于QDR SRAM与DDR SDRAM在对随机地址存取效率上的差别与接口类型并无直接关系,不会影响QDR SRAM拥有的高存取效率特性,且由于无需更换处理器主板上的接口类型,能够以较低的改造程度带来更高的存取效率,满足银行等特殊应用场景的需求。本申请还同时公开了一种设置有该高速缓存装置的数据高速读写终端,具有上述有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种高速缓存装置及数据高速读写终端
本申请涉及数据存储硬件领域,特别涉及一种高速缓存装置及数据高速读写终端。
技术介绍
为公众所熟悉的,一台数据终端通常包括集成有处理器的主板和单独的数据存储装置,且主板上也设置有一些片内寄存器用于暂时存放一些数据,但这些片内寄存器的存储容量较小,当需要存储更多的数据时就需要拥有更大存储容量的片外存储单元。本申请仅讨论当该片外存储单元为数据读写速度较快、用来高速缓存数据的内存的情况。绝大多数情况下选用SDRAM(SynchronousDynamicRandomAccessMemory,同步动态随机存取存储器)作为片外存储单元,SDRAM中的同步是指该类存储器工作时需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。但由于该类存储器只在上升沿进行读/写,使得读写效率较低,在对随机地址存取时效率更低。虽然采用DDR(DoubleDataRate,双倍速率,还能在下降沿进行读/写)方式得到的DDRSDRAM能将效率提升一倍,但依然不能满足银行等对随机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高速缓存装置,其特征在于,包括:处理器主板(10)、DDR SDRAM(20)以及QDR SRAM(30),所述处理器主板(10)上设置有预设数量的DIMM(11),所述QDR SRAM(30)是将QDR SRAM(31)颗粒基于所述DIMM接口封装得到的,所述DDR SRAM(20)和所述QDR SRAM(30)均通过所述DIMM(11)与所述处理器主板(10)建立连接。

【技术特征摘要】
1.一种高速缓存装置,其特征在于,包括:处理器主板(10)、DDRSDRAM(20)以及QDRSRAM(30),所述处理器主板(10)上设置有预设数量的DIMM(11),所述QDRSRAM(30)是将QDRSRAM(31)颗粒基于所述DIMM接口封装得到的,所述DDRSRAM(20)和所述QDRSRAM(30)均通过所述DIMM(11)与所述处理器主板(10)建立连接。2.根据权利要求1所述的高速缓存装置,其特征在于,所述处理器主板(10)上还设置有:与所述DIMM(11)数量相同的内存控制器(12),每个所述内存控制器(12)与一个对应的DIMM(11)相连,用于根据处理器的指令发起内存读/写请求命令。3.根据权利要求2所述的高速缓存装置,其特征在于,还包括:版本选择器,介于每个所述内存控制器(12)和所述DIMM(11)之间,一端与所述内存控制器(12)相连、另一端与所述DIMM(11)相连,用于识别每个连接于对应DIMM(11)的内存的种类,并将识别信息发送至对...

【专利技术属性】
技术研发人员:王江为任智新
申请(专利权)人:郑州云海信息技术有限公司
类型:发明
国别省市:河南,41

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