一种基于STT-MRAM加速固态存储器件启动的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于STT‑MRAM加速固态存储器件启动的方法，利用STT‑MRAM的高速读写性能和掉电非易失性能，在STT‑MRAM中存储被压缩后的LBA映射HASH表，从而在上电过程中，若接到主机的读写命令，则利用HASH key值在STT‑MRAM中搜索被压缩后的LBA映射HASH表，根据搜索结果处理收到的主机读写命令。本发明专利技术解决了SSD控制器正常掉电后启动速度慢的问题，增加了系统性能，简化系统设计复杂度。

【技术实现步骤摘要】
一种基于STT-MRAM加速固态存储器件启动的方法
本专利技术属于计算机存储设备
，尤其涉及一种基于STT-MRAM加速固态存储器件启动的方法。
技术介绍
计算机外部存储器目前主要有两种，磁盘(HDD)和固态硬盘(SSD)。SSD中的主要存储介质为闪存(FLASHMEMORY)，相比HDD，SSD的读写速度更快，随机访问性能更优秀，读写功耗更低，因此随着FLASHMEMORY制造工艺的提升和成本降低，SSD得到了越来越广泛的应用。目前商用的SSD中的存储介质FLASH主要有两种结构：NOR和NAND。相比NORFLASH，NANDFLASH具有更高的存储密度，更低的成本，是目前SSD的主流存储介质。但无论是NANDFLASH还是NORFLASH，其存储介质的读、擦写速度分别在微秒级和毫秒级，无法与纳秒级的主机端处理器(HOSTCPU)直接通信。磁性随机存储器STT-MRAM(SpinTransferTorqueMagneticRandomAccessMemory)是一种新型高速高可靠的存储器，具备纳秒级的读写速度，可以兼容各类DRAM接口协议，具备1015级别的擦写寿命，而且掉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于STT‑MRAM加速固态存储器件启动的方法，所述固态存储器件包括系统内存DRAM、存储介质NAND flash和磁性随机存储器STT‑MRAM，其特征在于，所述基于STT‑MRAM加速固态存储器件启动的方法，包括：在收到断电信号时，将存放于DRAM中的LBA映射表，使用HASH算法压缩至STT‑MRAM中，在STT‑MRAM中存储被压缩后的LBA映射HASH表；在上电过程中，先初始化硬件，然后从NAND flash读取LBA映射表，在DRAM中加载LBA映射表，并在初始化时，若接到主机的读写命令，则利用HASH key值在STT‑MRAM中搜索被压缩后的LBA映射HASH表，根据搜...

【技术特征摘要】
1.一种基于STT-MRAM加速固态存储器件启动的方法，所述固态存储器件包括系统内存DRAM、存储介质NANDflash和磁性随机存储器STT-MRAM，其特征在于，所述基于STT-MRAM加速固态存储器件启动的方法，包括：在收到断电信号时，将存放于DRAM中的LBA映射表，使用HASH算法压缩至STT-MRAM中，在STT-MRAM中存储被压缩后的LBA映射HASH表；在上电过程中，先初始化硬件，然后从NANDflash读取LBA映射表，在DRAM中加载LBA映射表，并在初始化时，若接到主机的读写命令，则利用HASHkey值在STT-MRAM中搜索被压缩后的LBA映射HASH表，根据搜索结果处理收到的主机读写命令，在STT-MRAM中存储响应写操作命令产生的LBA增量表；当从NANDflash读取LBA映射表，在DRAM中加载LBA...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡晓晰，李炜，丁钢波，杨杰，曹学成，徐庶，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33