【技术实现步骤摘要】
一种数据读取方法、装置、设备及可读存储介质
本专利技术涉及存储
,特别是涉及一种数据读取方法、装置、设备及可读存储介质。
技术介绍
闪存(Flashmemory)是一种具有许多理想特性的半导体计算装置内存,包括NOR闪存和NAND闪存两种。其中,NAND闪存,由于其非易失性特征以及低功耗、高存储容量、便于携带等优点,其应用领域从个人用电子设备延伸到了大规模数据处理中心。由于制造工艺的不断演进,闪存设备现已采用1×nmCMOS晶体管,以及更快的读写进程,使得每个闪存单元可以存储超过1bit的数据,称之为多级闪存(Multi-LevelCell,MLC)存储技术。由于CMOS晶体管的特殊结构,在闪存存储密度增加的同时,各个相邻存储单元之间的寄生电容耦合效应(cell-to-cellinterference,CCI)也在增加。CCI是引起闪存阈值电压分布发生改变的最主要干扰因素,进一步引起数据存储可靠性问题、增加信道检测难度以及闪存控制器中编译码器的设计复杂度。现有的,检测闪存单元阈值电压采用常规后补偿的方式来消除CCI,常规后补偿检测算法策略实际使用后补偿技术有 ...
【技术保护点】
1.一种数据读取方法,其特征在于,包括:接收数据读取请求,并利用预设有硬判决参考电压的上限估算法获取电压信号;其中,所述电压信号包括与所述数据读取请求对应的各个闪存单元的阈值电压;计算各个闪存单元阈值电压的偏移量,并利用各个闪存单元对应的偏移量对所述电压信号进行补偿,获得补偿电压信号;获取各个闪存单元对应的偏移值,并利用各个闪存单元对应的偏移值对所述补偿电压信号进行修复,获得修复电压信号;按照编码规则,对所述修复电压信号进行译码,获得目标数据。
【技术特征摘要】
1.一种数据读取方法,其特征在于,包括:接收数据读取请求,并利用预设有硬判决参考电压的上限估算法获取电压信号;其中,所述电压信号包括与所述数据读取请求对应的各个闪存单元的阈值电压;计算各个闪存单元阈值电压的偏移量,并利用各个闪存单元对应的偏移量对所述电压信号进行补偿,获得补偿电压信号;获取各个闪存单元对应的偏移值,并利用各个闪存单元对应的偏移值对所述补偿电压信号进行修复,获得修复电压信号;按照编码规则,对所述修复电压信号进行译码,获得目标数据。2.根据权利要求1所述的数据读取方法,其特征在于,所述获取各个闪存单元对应的偏移值,包括:计算各个干扰单元的先验信息;利用各个干扰单元的先验信息计算理论干扰量;计算各个闪存单元阈值电压的实际干扰量;利用高斯拟合法,确定所述理论干扰量与所述实际干扰量的差值分布的概率密度函数;利用所述概率密度函数,确定各个闪存单元对应的偏移值。3.根据权利要求2所述的数据读取方法,其特征在于,所述利用所述概率密度函数,确定各个闪存单元对应的偏移值,包括:将所述概率密度函数划分为若干个区间;确定各个区间的差值权重比例,并利用各个区间的差值权重比例分别计算各个闪存单元对应的偏移值。4.根据权利要求1所述的数据读取方法,其特征在于,利用预设有硬判决参考电压的上限估算法获取电压信号,包括:将各个闪存单元的阈值电压近似为相邻硬判决参考电压的上界值,得到包括各个干扰单元的阈值电压的电压信号。5.根据权利要求4所述的数据读取方法,其特征在于,当闪存单元为N比特/单元...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩国军,李艳福,彭子帅,方毅,蔡国发,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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