基于薄膜晶体管的光敏传感器与显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于薄膜晶体管的光敏传感器与显示器，光敏传感器包括薄膜晶体管、电容及检测电路，电容与薄膜晶体管连接；检测电路每隔预置时长，检测电容两端的电压值，并利用检测到的电压值确定光敏传感器感应到的触发信号。其中，当光敏传感器吸收到光辐射信号时，薄膜晶体管中的暗电流增加，电容两端的电压值的大小与薄膜晶体管中暗电流的大小呈比例关系。相较于现有技术而言，由于薄膜晶体管的制造工艺简单，能够有效地降低触摸感应系统的成本，同时，如果设定薄膜晶体管只感应特定波段(紫外到红外波段)的光辐射信号，将薄膜晶体管应用于触摸感应系统后，还能降低发生误触的概率。

【技术实现步骤摘要】
基于薄膜晶体管的光敏传感器与显示器
本专利技术涉及传感器
，尤其涉及一种基于薄膜晶体管的光敏传感器与显示器。
技术介绍
随着触摸感应技术的发展，触摸感应开关已开始渗透到各个行业，其中，现有的触摸感应技术主要包括基于感应物理参数变化的电容和电阻式触摸感应技术，以及基于主动红外传感器的触摸感应技术，由于这两种感应技术都需要特制的传感器元器件来实现，因此利用这两种感应技术实现的触摸感应系统成本较高，且还容易发生误触。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种基于薄膜晶体管的光敏传感器与显示器，旨在解决现有技术中的触摸感应系统成本较高且容易误触的技术问题。为实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种基于薄膜晶体管的光敏传感器，该光敏传感器包括薄膜晶体管、电容及检测电路，所述电容与所述薄膜晶体管连接，所述检测电路与所述电容连接；所述检测电路每隔预置时长，检测所述电容两端的电压值，并利用检测到的电压值确定所述光敏传感器感应到的触发信号，其中，当所述光敏传感器吸收到光辐射信号时，所述薄膜晶体管中的暗电流增加，所述电容两端的电压值的大小与所述薄膜晶体管中暗电流的大小呈比例关系。可选的，所述光辐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于薄膜晶体管的光敏传感器，其特征在于，所述光敏传感器包括薄膜晶体管、电容及检测电路，所述电容与薄膜晶体管连接，所述检测电路与所述电容连接；所述检测电路每隔预置时长，检测所述电容两端的电压值，并利用检测到的电压值确定所述光敏传感器感应到的触发信号，其中，当所述光敏传感器吸收到光辐射信号时，所述薄膜晶体管中的暗电流增加，所述电容两端的电压值的大小与所述薄膜晶体管中暗电流的大小呈比例关系。

【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜晶体管的光敏传感器，其特征在于，所述光敏传感器包括薄膜晶体管、电容及检测电路，所述电容与薄膜晶体管连接，所述检测电路与所述电容连接；所述检测电路每隔预置时长，检测所述电容两端的电压值，并利用检测到的电压值确定所述光敏传感器感应到的触发信号，其中，当所述光敏传感器吸收到光辐射信号时，所述薄膜晶体管中的暗电流增加，所述电容两端的电压值的大小与所述薄膜晶体管中暗电流的大小呈比例关系。2.如权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述光辐射信号的波长取值区间为近红外光的波长取值区间。3.如权利要求1所述的多光谱光敏传感器，其特征在于，所述光敏传感器还包括一个或两个辅薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一连接端口与第二连接端口，所述辅薄膜晶体管为一个时，所述辅薄膜晶体管与所述第一连接端口或所述第二连接端口连接，所述辅薄膜晶体管为两个时，两个辅薄膜晶体管分别与所述第一连接端口与第二连接端口连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张源，黄建军，
申请(专利权)人：上海易密值半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31