一种过流过压保护电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于电子技术领域，公开了一种过流过压保护电路及装置，通过第一恒流源的负极与开关模块的输入端、第四电阻的第一端、第四场效应管的栅极以及第五场效应管的栅极连接，第二恒流源的正极与第一二极管的负极、第二二极管的负极以及第三二极管的负极连接，第二恒流源的负极与稳压管的负极连接，开关模块的控制端与稳压管正极和第三电阻的第一端连接，开关模块的输出端与第三电阻的第二端、第四电阻的第二端、第四场效应管的源极以及第五场效应管的源极连接。本实用新型专利技术在降低制成成本的同时，保证了过流过压保护电路可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种过流过压保护电路及装置
本技术属于电子
，尤其涉及一种过流过压保护电路及装置。
技术介绍
传统的过流过压保护单元有以下几种：1、压敏电阻与热敏电阻的技术方案，如图1所示。当T、R线出现异常电压(如雷击、电力线搭接、电力线感应等)时，压敏电阻的钳位特性能保护SLIC(SubscriberLineInterfaceCircuit，用户接口电路)免遭损坏。其缺点是，当异常信号功率过大或者时间过长时，热敏电阻阻值增大甚至断开，容易造成永久损坏；且反应速度慢。2、PTC(PositiveTemperatureCoefficient，正温度系数很大的半导体材料或元器件)和半导体放电管的技术方案，如图2所示，与图1相比，基本原理相同，只是将压敏电阻换成了体积更小、反应更快、阈值参考电位范围可设置的半导体放电器件(如型号为TISP61089的半导体放电器件)，将热敏电阻换成可靠性更高的PTC。当T、R线出现异常电圧(如雷击、电力线搭接等)时，该电压一旦超出地到电压VBAT的范围，半导体放电器件会快速短路形成大电流，该电流流经PTC时，其阻值迅速增大，直至断开，从而保护SLIC免遭损坏。与图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过流过压保护电路，其特征在于，所述过流过压保护电路包括第一恒流源、第二恒流源、开关模块、稳压管、第四场效应管、第五场效应管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第三电阻以及第四电阻；所述第一恒流源的正极为所述过流过压保护电路的电源正极端且与电源正极连接，所述第一恒流源的负极与所述开关模块的输入端、所述第四电阻的第一端、所述第四场效应管的栅极以及所述第五场效应管的栅极连接，所述第二恒流源的正极与所述第一二极管的负极、所述第二二极管的负极以及所述第三二极管的负极连接，所述第二恒流源的负极与所述稳压管的负极连接，所述开关模块的控制端与所述稳压管正极和所述第三电阻的第一端连接，所述开关模块的输...

【技术特征摘要】
1.一种过流过压保护电路，其特征在于，所述过流过压保护电路包括第一恒流源、第二恒流源、开关模块、稳压管、第四场效应管、第五场效应管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第三电阻以及第四电阻；所述第一恒流源的正极为所述过流过压保护电路的电源正极端且与电源正极连接，所述第一恒流源的负极与所述开关模块的输入端、所述第四电阻的第一端、所述第四场效应管的栅极以及所述第五场效应管的栅极连接，所述第二恒流源的正极与所述第一二极管的负极、所述第二二极管的负极以及所述第三二极管的负极连接，所述第二恒流源的负极与所述稳压管的负极连接，所述开关模块的控制端与所述稳压管正极和所述第三电阻的第一端连接，所述开关模块的输出端与所述第三电阻的第二端、所述第四电阻的第二端、所述第四场效应管的源极以及所述第五场效应管的源极连接，所述第四场效应管的漏极和所述第一二极管的正极共同构成所述过流过压保护电路的第一输入输出端，所述第五场效应管的漏极和所述第二二极管的正极共同构成所述过流过压保护电路的第二输入输出端，所述第三二极管的正极为所述过流过压保护电路的电源负极端且与电源负极连接。2.如权利要求1所述的过流过压保护电路，其特征在于，所述第一恒流源包括第一场效应管和第一电阻；所述第一场效应管的漏极为所述第一恒流源的正极，所述第一场效应管的栅极和所述第一电阻的第一端共同构成所述第一恒流源的负极，所述第一场效应管的源极与所述第一电阻的第二端连接。3.如权利要求1所述的过流过压保护电路，其特征在于，所述第二恒流源包括第二场效应管和第二电阻；所述第二场效应管的漏极为...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐哲，
申请(专利权)人：深圳市千行电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44