基于全复合板谐振腔的谐振器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于全复合板谐振腔的谐振器，包括多个侧板，所述多个侧板拼接形成封闭的谐振腔，其中，所述侧板为复合板，所述复合板包括基板和设置于所述基板的表面上的金属层。本发明专利技术的谐振器的谐振腔的每个表面均可以达到较低的表面粗糙度，并且腔体表面对微波的损耗较小，腔体表面可以实现更高的品质因子。

【技术实现步骤摘要】
基于全复合板谐振腔的谐振器
本专利技术属于微波器件领域，具体地，涉及一种基于全复合板谐振腔的谐振器。
技术介绍
在微波、超导量子电路、超导量子计算等许多领域，都需要用到谐振器，并且需要谐振器具有高品质因子的谐振腔。例如，在超导量子计算领域，具有高品质因子的谐振腔的谐振器可以作为量子比特或者量子寄存器。现有技术中，三维谐振腔通常采用在金属块上挖空的方法，然后两个挖空的金属块进行拼接或在挖空的金属块上加盖板的方式构成三维谐振腔，这样，谐振腔不容易进行处理，容易产生较大的微波损耗。腔体的加工精度、介质损耗、表面粗糙度受到加工工艺的限制，限制了腔体的品质因子的进一步提高。
技术实现思路
为解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种具有高品质因子的谐振腔的基于全复合板谐振腔的谐振器。为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用了如下的技术方案：根据本专利技术的一方面，提供了一种谐振器，包括多个侧板，所述多个侧板拼接形成封闭的谐振腔，所述侧板为复合板，所述复合板包括基板和设置于所述基板的表面上的金属层。进一步地，所述侧板的数量为六个，六个所述侧板拼接形成呈长方体状的谐振腔。进一步地，所述侧板彼此独立，或者至少两个侧板一体成型。进一步地，所述侧板采用螺钉紧固或者焊接的方式进行拼接。进一步地，所述谐振腔具有至少一个通孔，所述通孔分布于至少一个侧板上。进一步地，所述金属层的厚度为10nm-10μm。进一步地，所述金属层的表面粗糙度小于1nm。进一步地，所述基板由合金或电介质构成。进一步地，所述电介质包括高阻硅、聚合物、陶瓷或蓝宝石中的一种。进一步地，所述金属层通过电镀、溅射、蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延中的其中一种形成于所述基底的表面上。本专利技术的有益效果：本专利技术的谐振器的谐振腔的每个表面均可以达到较低的表面粗糙度，并且腔体表面对微波的损耗较小，腔体表面可以实现更高的品质因子。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的第一实施例的谐振器的结构示意图；图2是根据本专利技术的第一实施例的复合板的结构示意图；图3是根据本专利技术的第一实施例的谐振器的爆炸图；图4是根据本专利技术的第二实施例的谐振器的结构示意图；图5是根据本专利技术的第二实施例的谐振器的爆炸图；图6是根据本专利技术的第三实施例的谐振器的结构示意图；图7是根据本专利技术的第三实施例的谐振器的爆炸图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终被用于表示相同或相似的元件。本专利技术的实施例提出一种基于全复合板谐振腔的谐振器，所述谐振器100包括多个侧板。具体地，所述多个侧板拼接形成封闭的谐振腔，其中侧板为复合板110。复合板110包括基板111和设置于所述基板111的面向所述谐振腔的表面上的金属层112。现有技术中，谐振腔是将金属块直接挖空形成谐振腔，这样谐振腔的腔表面难以进行进一步的处理，导致腔表面的品质因子无法进一步提高。而本专利技术的实施例将谐振腔拆分成由多个侧板拼接组成，使得在加工工艺上，谐振腔的每个腔表面都可以方便、完整地进行处理，从而可以降低腔0表面的粗糙度。作为本专利技术的一种实施方式，谐振腔的形状可以为呈长方体状的谐振腔，由6个侧板拼接而成。作为本专利技术的其它的实施方式，谐振腔的形状还可以呈圆柱状等其它形状、侧板110的数量也可以是其它选择，本专利技术在此不作限制。作为本专利技术的一种实施方式，多个侧板彼此独立或者至少两个侧板一体成型。作为本专利技术的一种实施方式，多个侧板采用螺钉紧固或者焊接的方式进行拼接，但是本专利技术并不限制与此，还可以采用其它合适的连接方式拼接多个侧板110。作为本专利技术的一种实施方式，谐振器100具有至少一个通孔A。通孔A为微波的输入输出通道。通孔A分布于至少一个侧板上。作为本专利技术的一种实施方式，基板111有合金或电介质构成。优选地，基板111的机械强度大于200MPa。作为本专利技术的一种实施方式，基板111的面向腔体的表面被进行超精密抛光处理，以获得较小的表面粗糙度。作为本专利技术的一种实施方式，电介质包括聚合物、陶瓷、蓝宝石、高阻硅中的一种制成。当然，本专利技术并不限制于此，基板111还可以采用其它合适的电介质材料制成。优选地，金属层112采用铝、铌、铟、锡中的一种制成，当然本专利技术并不限制于此，金属层112还可以采用其它合适的超导金属材料制成。优选地，金属层112的的厚度为10nm-10μm。作为本专利技术的一种实施方式，金属层112的可以采用电镀、溅射、蒸发、化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积、分子束外延(MBE)等方法沉积于基板111的表面上。通过在基板111的粗糙度较小的表面沉积金属层，可进一步降低表面粗糙度，优选地，金属层112的表面粗糙度小于1nm。作为本专利技术的一种实施方式，在采用合金制成的基底111的表面上再沉积一层金属层112可获得更小的谐振腔的腔体表面粗糙度。本实施例的谐振器100的谐振腔的所有腔表面由设置于基板上的金属层构成，通过对基板表面进行抛光再电镀形成金属层，可获得表面粗糙度较小的谐振腔，从而使谐振腔达到更高的品质因子。降低腔表面对微波的损耗，从而使谐振腔达到更高的品质因子。下面结合具体的实施方式进行阐述。实施例一图1是根据本专利技术的第一实施例的谐振器的结构示意图。图2是根据本专利技术的第一实施例的金属板的结构示意图。图3是根据本专利技术的第一实施例的谐振器的爆炸图。参照图1至图3所示，本专利技术的第一实施例提出一种谐振器100。所述谐振器包括六个侧板拼接形成呈长方体状的谐振腔，每个侧板彼此独立，谐振器100具有两个通孔A，每个通孔A分布于一个侧板上。六个侧板均为复合板110。复合板110包括基板111以及设置于基板111的面向谐振腔的表面上的金属层112。进一步地，如图2所示，其中四个复合板的其中两条相对的边形成中间高、两边低的台阶状连接部。剩下的两个复合板110四边均形成中间高、四边低的台阶状连接部。台阶状连接部使复合板110拼接时更加牢固。实施例二图4是根据本专利技术的第二实施例的谐振器的结构示意图。图5是根据本专利技术的第二实施例的谐振器的爆炸图。参照图4、图5所示，本专利技术的第二实施例提出一种谐振器100，所述谐振器100包括六个侧板拼接形成呈长方体状的谐振腔，谐振器100具有两个通孔A，每个通孔A分布于一个侧板上。六个侧板均为复合板110。复合板110包括基板111以及设置于基板111的表面上的金属层112。其中，每两个复合板110一体成型形成双复合板结构110A，即三个双复合板结构110A拼接形成呈长方体状的谐振腔。实施例三图6是根据本专利技术的第三实施例的谐振器的结构示意图。图7是根据本专利技术的第三实施例的谐振器的爆炸图。参照图6、图7所示，本专利技术的第三实施例提出一种谐振器100，所述谐振器100包括六个侧板拼接形成呈长方体状的谐振腔，谐振器100具有两个通孔A，每个通孔A分布于一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于全复合板谐振腔的谐振器，其特征在于，包括多个侧板，所述多个侧板拼接形成封闭的谐振腔，所述侧板为复合板，所述复合板包括基板和设置于所述基板的表面上的金属层。

【技术特征摘要】
1.一种基于全复合板谐振腔的谐振器，其特征在于，包括多个侧板，所述多个侧板拼接形成封闭的谐振腔，所述侧板为复合板，所述复合板包括基板和设置于所述基板的表面上的金属层。2.一种谐振器，其特征在于，所述侧板的数量为六个，六个所述侧板拼接形成呈长方体状的谐振腔。3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述侧板彼此独立，或者至少两个侧板一体成型。4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述侧板采用螺钉紧固或者焊接的方式进行拼接。5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述谐振腔具有至少一个通孔，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊康林，孙骏逸，陆晓鸣，黄永丹，冯加贵，武彪，丁孙安，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32