一种采用晶闸管和IGBT的新型双电平逆变器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种采用晶闸管和IGBT的新型双电平逆变器，包括直流电源、ABC三条相同支路，所述支路的两端均分别连接直流电源的正负输出；将逆变器支路中传统的6个IGBT结构变更为晶闸管与3个IGBT的组合，并且通过验证能完全实现6个IGBT结构的功能和性能，节约了成本，在工业领域有一定意义。

【技术实现步骤摘要】
一种采用晶闸管和IGBT的新型双电平逆变器
本技术涉及逆变器领域，具体涉及一种采用晶闸管和IGBT的新型双电平逆变器。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅，其成本低于IGBT，在很多领域可以进行取代，无需采用IGBT的方案。目前双电平逆变器一般采用六个IGBT元件组成三个支路，虽然电路结构简单，但IGBT元件价格较高，在考虑成本时，是一个比较重要的组成部分。用晶闸管代替IGBT可以进行成本控制。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中IGBT成本高的本技术所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种采用晶闸管和IGBT的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用晶闸管和IGBT的新型双电平逆变器，包括直流电源、A、B、C三条相同支路，所述支路的正负输入端均分别连接直流电源的正负输出，其特征在于：所述支路包括第一至第四二极管，一个IGBT、第一至第三电容，第一至第二晶闸管；所述第一晶闸管的正极连接第一二极管的负极，构成支路的正输入端；所述第二晶闸管的负极连接第二二极管的正极，构成支路的负输入端；所述IGBT具有G、C、E三个极，G为PWM信号输入端，C极连接第一晶闸管的负极与第一二极管的正极、第三二极管的负极；E极连接第二晶闸管的正极与第二二极管的负极、第四二极管的正极；第三二极管的正极连接第四二极管的负极，构成该支路的输出端；第一电容并联...

【技术特征摘要】
1.一种采用晶闸管和IGBT的新型双电平逆变器，包括直流电源、A、B、C三条相同支路，所述支路的正负输入端均分别连接直流电源的正负输出，其特征在于：所述支路包括第一至第四二极管，一个IGBT、第一至第三电容，第一至第二晶闸管；所述第一晶闸管的正极连接第一二极管的负极，构成支路的正输入端；所述第二晶闸管的负极连接第二二极管的正极，构成支路的负输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：李培，牛学洲，赵娜，王明同，李晓明，
申请(专利权)人：国网山东省电力公司菏泽供电公司，国家电网公司，
类型：新型
国别省市：山东,37