一种n型太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种n型太阳能电池制备方法，在制作完成选择性发射极之后，会在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案，并在设置第一栅线时，先将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，从而将印刷网板与选择性发射极对位；再通过对位好的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线，从而通过上述第一标记图案与第二标记图案实现选择性发射极与第一栅线的精确定位，即通过设置第一标记图案与第二标记图案提高栅线与选择性发射极之间对位的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种n型太阳能电池制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种n型太阳能电池制备方法。
技术介绍
随着太阳能行业的不断发展，n型太阳能电池因具有较高的光电转化效率，较低的光致衰减，良好的稳定性和双面发电等特性而备受关注。为了进一步提升电池的光电转化效率，降低生产成本，越来越多的公司开始采用选择性发射极技术。所谓选择性发射极，是在栅线与硅片接触的部位进行重掺杂，在栅线之间位置进行轻掺杂所构成的发射极。选择性发射极可降低掺杂层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少栅线与硅片的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。通常情况下，会先在掺杂层中制作选择性发射极，再在制作有选择性发射极的掺杂层表面印刷并烧结成与选择性发射极对应的栅线，以最终制备而成太阳能电池。但是在制备过程中，经常出现栅线与选择性发射极之间发生错位，从而导致太阳能电池效率较低的情况。所以如何提高栅线与选择性发射极之间对位的精度是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种n型太阳能电池制备方法，可以有效提高栅线与选择性发射极之间对位的精度。为解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层；在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极；在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案；将预设在印刷网板的第二标记图案与所述第一标记图案对位，以将所述印刷网板与所述选择性发射极对位；通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线；并在所述p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层；在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极；在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案；将预设在印刷网板的第二标记图案与所述第一标记图案对位，以将所述印刷网板与所述选择性发射极对位；通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线；并在所述p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括：通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案包括：通过所述激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案；其中，所述激光机的输出功率的取值范围为90W至105W之间，包括端点值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极包括：在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层；通过刻蚀液刻蚀所述n型掺杂层表面的非预设栅线区域，以提高所述非预设栅线区域的方阻，制成所述选择性发射极；在制成所述选择性发射极之后，去除所述保护层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括：在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布石蜡层；所述去除所述保护层包括：去除所述石蜡层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极之后，所述方法还包括：在所述p型掺杂层背向所述n型衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：左严严，包健，徐冠群，廖辉，李明，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33