N型高效晶体硅太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种N型高效晶体硅太阳能电池及其制备方法。其结构包括正面金属栅线、正面ITO膜、正面硼掺杂多晶硅锗薄膜、正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅衬底、背面本征非晶硅薄膜、背面磷掺杂多晶硅锗薄膜、背面ITO膜、背面金属栅线。其制备方法为将N型晶体硅片双面制绒，并双面制备本征非晶硅薄膜作为钝化层，接着在晶体硅前表面和背表面分别制备P型多晶硅锗薄膜和N型多晶硅锗薄膜作为电池的发射极和背场，然后在双面制备透明导电薄膜ITO，最后再电池前后面制备金属栅线电极。本发明专利技术在工艺温度不超过300

【技术实现步骤摘要】
N型高效晶体硅太阳电池及其制备方法
本专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及一种N型高效晶体硅太阳电池的结构设计及制备方法。
技术介绍
光伏行业的迅速发展需求一种工艺流程简单，光电转换效率更高的产业化技术来降低发电成本，达到与市电同价甚至低于市电电价的目标。当前常规晶体硅太阳电池随着产业化的发展，转换效率提升和成本降低等各方面都有了较大的进步，但其结构和技术特点限制了其效率的进一步提高。于是，产业界出现了多种解决方案，包括选择性发射极太阳电池，背结背接触太阳电池(IBC)，异质结太阳电池(HIT)等。同时新的技术如激光技术、LIP技术及光刻技术等的出现也为太阳电池进一步的转换效率提升和成本降低提供了可能。在目前的高效太阳电池领域中，松下（三洋）的HIT电池以其高效和稳定的性能一直是太阳电池领域研究和发展的热点，该电池的结构不但效率比较高，而且可以减少晶体硅材料的厚度，有望开发出超薄晶体硅太阳电池。该电池分别使用磷掺杂非晶硅薄膜和硼掺杂非晶硅薄膜作为背场和发射极材料。因为非晶硅薄膜自身缺陷密度高，而且掺杂效率较低等因素导致掺杂非晶硅薄膜的电学特性不够理想，进而限制了电池填充因子的进一步提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型高效晶体硅太阳电池，包括作为基底的N型晶体硅片，其特征在于，在受光面方向从上至下依次为正面金属栅线、正面ITO膜、正面硼掺杂多晶硅锗薄膜、正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅衬底、背面本征非晶硅薄膜、背面磷掺杂多晶硅锗薄膜、背面ITO膜、背面金属栅线。

【技术特征摘要】
1.一种N型高效晶体硅太阳电池，包括作为基底的N型晶体硅片，其特征在于，在受光面方向从上至下依次为正面金属栅线、正面ITO膜、正面硼掺杂多晶硅锗薄膜、正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅衬底、背面本征非晶硅薄膜、背面磷掺杂多晶硅锗薄膜、背面ITO膜、背面金属栅线。2.根据权利要求1所述的一种N型高效晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的正面本征非晶硅薄膜厚度在3-6nm。3.根据权利要求1所述的一种N型高效晶体硅太阳电池，其特征在于：所述背面磷掺杂多晶硅锗薄膜的厚度在10-20nm，掺杂浓度在1×1019cm-3~1×1021cm-3。4.一种制备如...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾锐，陶科，孙恒超，瞿辉，徐春，曹玉甲，汤佳丽，刘斌，陈必华，周颖，
申请(专利权)人：江苏顺风光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32