【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示面板的检修方法及显示装置
本专利技术涉及显示
,更具体地,涉及一种显示面板、显示面板的检修方法及显示装置。
技术介绍
随着微型发光二极管发光二极管(MicroLED)和次毫米发光二极管(MiniLED)的技术持续发展,MicroLED和MinLED被越来越多的应用到显示装置中。其中,有源矩阵发光二极管(ActiveMatrix/MicroLightEmittingDiode,AMMicroLED)面板不管是在画质还是在效能上,都具有TFTLCD不可比拟的优势。在显示效能方面,AMMicroLED反应速度较快、对比度更高、视角也更广,而且AMMircoLED具有自发光的特色,因此不需要背光源,比TFTLCD能够做的更轻薄,更省电。因此,AMMicroLED被称为下一代显示技术。现阶段,如何提升显示面板的修复成功率成为现阶段亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种显示面板、显示面板的检修方法及显示装置,在每个子像素单元中设置一个第一发光二极管和至少一个第二发光二极管,当第一发光二极管出现异常时,第二发光二极管能够发挥显示功能, ...
【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,设置有显示区和围绕所述显示区的非显示区,在所述显示区设置有多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元;包括:衬底基板;阵列基板,设置在所述衬底基板上,包括多个驱动薄膜晶体管;多个第一电极,设置在所述阵列基板远离所述衬底基板的一侧并与所述驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接;发光结构,设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,包括多个第一发光二极管和多个第二发光二极管,所述第一发光二极管的第一LED电极和所述第二发光二极管的第二LED电极靠近所述阵列基板设置,所述第一发光二极管的第三LED电极和所述第二发光二极管的第四LED电极远离所述阵列基板 ...
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,设置有显示区和围绕所述显示区的非显示区,在所述显示区设置有多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元;包括:衬底基板;阵列基板,设置在所述衬底基板上,包括多个驱动薄膜晶体管;多个第一电极,设置在所述阵列基板远离所述衬底基板的一侧并与所述驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接;发光结构,设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,包括多个第一发光二极管和多个第二发光二极管,所述第一发光二极管的第一LED电极和所述第二发光二极管的第二LED电极靠近所述阵列基板设置,所述第一发光二极管的第三LED电极和所述第二发光二极管的第四LED电极远离所述阵列基板设置;第二电极,设置在所述发光结构远离所述阵列基板的一侧;其中,各所述子像素单元设置有一个所述驱动薄膜晶体管、一个所述第一发光二极管和至少一个所述第二发光二极管;各所述子像素单元中,所述第一发光二极管的第一LED电极与所述第一电极电连接,第三LED电极与所述第二电极电连接;所述第二发光二极管的第二LED电极与所述第一电极之间设置有第一绝缘层,第四LED电极与所述第二电极电连接;或者,所述第二发光二极管的第四LED电极与所述第二电极之间设置有第二绝缘层,第二LED电极与所述第一电极电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述第一电极与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管之间的第三电极,所述第三电极包括与所述第一LED电极电连接的第三甲电极和与所述第二LED电极电连接的第三乙电极;所述第三甲电极与所述第一电极接触,所述第三乙电极与所述第一电极之间设置有所述第一绝缘层。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在同一所述子像素单元内,所述第三乙电极和所述第一绝缘层在所述衬底基板所在平面的正投影的面积大于所述第二LED电极在所述衬底基板所在平面的正投影的面积。4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极和所述第三乙电极均为透明电极。5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极为对应所述显示区的整面状电极。6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述第二电极与所述第一发光二极管和第二发光二极管之间的第四电极,所述第四电极包括与所述第三LED电极电连接的第四甲电极和与所述第四LED电极电连接的第四乙电极;所述第四甲电极与所述第二电极直接接触,所述第四乙电极与所述第二电极之间设置有所述第二绝缘层。7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,在同一所述子像素单元内,所述第四乙电极和所述第二绝缘层在所述衬底基板所在平面的正投影的面积大于所述第四LED电极在所述衬底基板所在平面的正投影的面积。8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极为透明电极。9.一种显示面板的检修方法,其特征在于,所述显示面板设置有显示区和围绕所述显示区的非显示区,在所述显示区设置有多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元;包括:衬底基板;阵列基板,设置在所述衬底基板上,包括多个驱动薄膜晶体管;多个第一电极,设置在所述阵列基板远离所述衬底基板的一侧并与所述驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接;发光结构,设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,包括多个第一发光二极管和多个第二发光二极管,所述第一发光二极管的第一LED电极和所述第二发光二极...
【专利技术属性】
技术研发人员:李飞,
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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