微LED显示器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种微LED显示器及其制造方法，基底的第一表面形成有多个电极结构，所述基底中形成有电路结构，所述电路结构与所述电极结构电连接；LED功能层位于所述基底上，所述LED功能层包括多个相互隔离的LED功能结构，所述LED功能结构与所述电极结构对应电连接；电极层覆盖所述LED功能层且与所述LED功能结构电连接；微透镜位于所述电极层上且所述微透镜与所述LED功能结构对应，由此，整个所述LED功能结构都可以作为一个像素的发光区域，从而提高了微LED显示器的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
微LED显示器及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种微LED显示器及其制造方法。
技术介绍
相比传统的被动发光液晶显示技术，主动发光显示技术具有更高的能效，更高的对比度，更广的色域。目前主动发光的OLED显示技术已经出现在手机、电视屏等产品中，表现出了优异的色彩性能，但是OLED在能效和寿命方面还与LED有较大的差距。高效长寿命的微LED显示阵列作为另一种主动发光的显示技术已成为新技术开发的一大热点。但是目前高分辨率的微LED显示器发光效率较差且制造工艺要比OLED显示器复杂、困难得多。如何提供一种高发光效率的微LED显示器且能够降低制备难度，成了本领域技术人员需要解决的一个技术难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种微LED显示器及其制造方法，以解决现有技术中的微LED显示器发光效率较差的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种微LED显示器，所述微LED显示器包括：基底，所述基底的第一表面形成有多个电极结构，所述基底中形成有电路结构，所述电路结构与所述电极结构电连接；LED功能层，所述LED功能层位于所述基底上，所述LED功能层包括多个相互隔离的LED功能结构，所述LED功能结构与所述电极结构对应电连接；电极层，所述电极层覆盖所述LED功能层且与所述LED功能结构电连接；及多个微透镜，所述微透镜位于所述电极层上且所述微透镜与所述LED功能结构对应。可选的，在所述的微LED显示器中，所述基底的第二表面形成有重配线层，所述微LED显示器还包括金属柱，所述金属柱贯穿所述LED功能层及所述基底，与所述重配线层和所述电极层电连接。可选的，在所述的微LED显示器中，所述微LED显示器还包括隔离侧墙，所述隔离侧墙介于所述金属柱和所述LED功能层及所述基底之间。可选的，在所述的微LED显示器中，所述微LED显示器的侧边缘为倾斜面，所述基底的第二表面形成有重配线层，所述重配线层延伸经过所述微LED显示器的侧边缘与所述电极层电连接。可选的，在所述的微LED显示器中，所述电极层的边缘区域覆盖有所述微透镜。可选的，在所述的微LED显示器中，所述微LED显示器还包括PCB板，所述电路结构还与所述PCB板电连接。可选的，在所述的微LED显示器中，所述微LED显示器还包括多个隔离结构，所述隔离结构贯穿所述LED功能层并位于相邻的两个所述LED功能结构之间。可选的，在所述的微LED显示器中，所述微LED显示器还包括连接层，所述连接层介于所述基底和所述LED功能层之间。可选的，在所述的微LED显示器中，所述连接层的材质选自于导电胶。可选的，在所述的微LED显示器中，所述LED功能结构包括P型半导体层、N型半导体层及位于所述P型半导体层和所述N型半导体层之间的过渡层。可选的，在所述的微LED显示器中，所述电极层的材质选自于透明导电材料。本专利技术还提供一种微LED显示器的制造方法，所述微LED显示器的制造方法包括：提供基底，所述基底具有多个芯片区，所述基底的第一表面形成有多个电极结构，所述基底中形成有电路结构，所述电路结构与所述电极结构电连接；在所述基底上形成LED功能材料层，所述LED功能材料层覆盖各所述芯片区；刻蚀所述LED功能材料层，以形成多个LED功能结构及贯穿所述LED功能材料层并位于相邻的两个所述LED功能结构之间的第一开口；在所述第一开口中形成隔离结构，所述隔离结构填满所述第一开口；在所述LED功能结构上覆盖电极层，所述电极层还覆盖所述隔离结构；在所述电极层上形成多个微透镜，所述微透镜与所述LED功能结构对应；及分割多个所述芯片区以形成多个独立的芯片结构。可选的，在所述的微LED显示器的制造方法中，所述LED功能材料层为一整层结构覆盖各所述芯片区；或者，所述LED功能材料层包括多个LED功能材料区，各所述LED功能材料区相应覆盖各所述芯片区。可选的，在所述的微LED显示器的制造方法中，分割多个所述芯片区以形成多个独立的芯片结构后，所述微LED显示器的制造方法还包括：将所述独立的芯片结构安装于一PCB板上，所述电路结构还与所述PCB板电连接。可选的，在所述的微LED显示器的制造方法中，在形成所述第一开口的同时或者在形成所述第一开口之前或者在形成所述第一开口之后，所述微LED显示器的制造方法还包括：刻蚀所述LED功能材料层和所述基底以形成贯穿所述所述LED功能材料层和所述基底的第二开口；在形成所述电极层之前，所述微LED显示器的制造方法还包括：在所述第二开口中形成金属柱，所述金属柱填满所述第二开口。可选的，在所述的微LED显示器的制造方法中，在形成所述微透镜之后，所述微LED显示器的制造方法还包括：在相邻的两个所述芯片区之间形成V型切口，所述V型切口贯穿所述基底和所述LED功能材料层以露出所述电极层；及在所述基底的第二表面形成重配线层，所述重配线层延伸经过所述V型切口的侧壁与所述电极层电连接。在本专利技术提供的微LED显示器及其制造方法中，基底的第一表面形成有多个电极结构，所述基底中形成有电路结构，所述电路结构与所述电极结构电连接；LED功能层位于所述基底上，所述LED功能层包括多个相互隔离的LED功能结构，所述LED功能结构与所述电极结构对应电连接；电极层覆盖所述LED功能层且与所述LED功能结构电连接；微透镜位于所述电极层上且所述微透镜与所述LED功能结构对应，由此，整个所述LED功能结构都可以作为一个像素的发光区域，从而提高了微LED显示器的发光效率。进一步的，在本专利技术提供的微LED显示器的制造方法中，在所基底上形成LED功能材料层，所述LED功能材料层覆盖各所述芯片区；刻蚀所述LED功能材料层，以形成多个LED功能结构及贯穿所述LED功能层并位于相邻的两个所述LED功能结构之间的第一开口，由此能够避免LED功能结构和基底之间的对位问题，从而能够降低微LED显示器的制造难度，提高所形成的微LED显示器的质量和可靠性。附图说明图1是本专利技术实施例的微LED显示器的一部分结构示意图；图2是本专利技术实施例的微LED显示器的另一部分结构示意图；图3是本专利技术实施例的微LED显示器的另一部分结构示意图；图4至图14是本专利技术实施例的微LED显示器的制造方法中所形成的器件的部分结构示意图；其中，100-微LED显示器；100a-独立的芯片结构；110-基底；111-芯片区；120-电极结构；130-电路结构；140-LED功能层；141-LED功能材料层；150-LED功能结构；150a-P型半导体层；150b-N型半导体层；150c-过渡层；151-第一开口；160-电极层；161-色阻层；161a-白色荧光粉层；161b彩色滤光片；161c-黑挡墙；170-微透镜；180-隔离结构；181-隔离层；190-连接层；200-重配线层；210-金属柱；220-金属垫；230-隔离侧墙；240-PCB板。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的微LED显示器及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。特别的，由于图示的效果等因素，各附图往往采用了不同的显示比例。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微LED显示器，其特征在于，所述微LED显示器包括：基底，所述基底的第一表面形成有多个电极结构，所述基底中形成有电路结构，所述电路结构与所述电极结构电连接；LED功能层，所述LED功能层位于所述基底上，所述LED功能层包括多个相互隔离的LED功能结构，所述LED功能结构与所述电极结构对应电连接；电极层，所述电极层覆盖所述LED功能层且与所述LED功能结构电连接；及多个微透镜，所述微透镜位于所述电极层上且所述微透镜与所述LED功能结构对应。

【技术特征摘要】
1.一种微LED显示器，其特征在于，所述微LED显示器包括：基底，所述基底的第一表面形成有多个电极结构，所述基底中形成有电路结构，所述电路结构与所述电极结构电连接；LED功能层，所述LED功能层位于所述基底上，所述LED功能层包括多个相互隔离的LED功能结构，所述LED功能结构与所述电极结构对应电连接；电极层，所述电极层覆盖所述LED功能层且与所述LED功能结构电连接；及多个微透镜，所述微透镜位于所述电极层上且所述微透镜与所述LED功能结构对应。2.如权利要求1所述的微LED显示器，其特征在于，所述基底的第二表面形成有重配线层，所述微LED显示器还包括金属柱，所述金属柱贯穿所述LED功能层及所述基底，与所述重配线层和所述电极层电连接。3.如权利要求2所述的微LED显示器，其特征在于，所述微LED显示器还包括隔离侧墙，所述隔离侧墙介于所述金属柱和所述LED功能层及所述基底之间。4.如权利要求1所述的微LED显示器，其特征在于，所述微LED显示器的侧边缘为倾斜面，所述基底的第二表面形成有重配线层，所述重配线层延伸经过所述微LED显示器的侧边缘与所述电极层电连接。5.如权利要求4所述的微LED显示器，其特征在于，所述电极层的边缘区域覆盖有所述微透镜。6.如权利要求1所述的微LED显示器，其特征在于，所述微LED显示器还包括PCB板，所述电路结构还与所述PCB板电连接。7.如权利要求1～6中任一项所述的微LED显示器，其特征在于，所述微LED显示器还包括多个隔离结构，所述隔离结构贯穿所述LED功能层并位于相邻的两个所述LED功能结构之间。8.如权利要求1～6中任一项所述的微LED显示器，其特征在于，所述微LED显示器还包括连接层，所述连接层介于所述基底和所述LED功能层之间。9.如权利要求8所述的微LED显示器，其特征在于，所述连接层的材质选自于导电胶。10.如权利要求1～6中任一项所述的微LED显示器，其特征在于，所述LED功能结构包括P型半导体层、N型半导体层及位于所述P型半导体层和所述N型半导体层之间的过渡层。11.一种微LED显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：范世伦，格培文，范纯圣，
申请(专利权)人：豪威半导体上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：上海,31