一种用于制备太阳能电池的衬底制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于制备太阳能电池的衬底，是在砷化镓衬底的背面沉积至少一层保护膜，所述保护膜的材质为氮化硅或氮化碳。本实用新型专利技术采用氮化硅薄膜保护砷化镓衬底背面，延长了衬底的重复使用次数，降低了衬底在加工过程中的破损风险，大大地降低了电池的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备太阳能电池的衬底
本技术光伏
，具体涉及一种用于制备太阳能电池的衬底及其加工方法。
技术介绍
砷化镓(GaAs)薄膜太阳能电池以其较高的光电转换效率(单结理论效率达27％，多结理论效率超过50％)而极具应用前景，但是，用于制造电池的砷化镓衬底本身较为昂贵，目前，市场上同样尺寸的砷化镓衬底的价格大约是硅衬底的10倍，为了进一步降低砷化镓薄膜太阳能电池的制造成本，通常会采用外延层剥离技术，以达到对砷化镓衬底重复使用降低成本的目的。目前，砷化镓薄膜太阳能电池的制造工艺流程是：抛光后的砷化镓衬底通过MOCVD外延生长功能层薄膜，之后经过化学液的腐蚀作用，刻蚀掉牺牲层，使功能层薄膜与砷化镓衬底分离开，随后功能层薄膜会进入后续工序直到被组装成各种规格的电池组件；而剥离后的衬底依次经过预清洗、抛光、最终清洗烘干，再次进入MOCVD外延生长功能层薄膜，后续重复上述加工步骤从而使砷化镓衬底反复使用以降低生产成本。砷化镓衬底在上述的重复使用过程中，其表面和背面都要经历多次的刻蚀、抛光，每次循环中衬底的单面掉量大约2-10μm；在各工序之间传送时衬底背面也不可避免地会被擦伤、污染，增加了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备太阳能电池的衬底，其特征在于，在砷化镓衬底的背面沉积至少一层保护膜，所述保护膜的材质为氮化硅或氮化碳。

【技术特征摘要】
1.一种用于制备太阳能电池的衬底，其特征在于，在砷化镓衬底的背面沉积至少一层保护膜，所述保护膜的材质为氮化硅或氮化碳。2.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂勇，杨涛，宋士佳，李琳琳，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11