一种MOSFET高频逆变功率单元制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOSFET高频逆变功率单元，包括水冷板和驱动板，所述水冷板的一侧固定有MOSFET组，两个MOSFET组通过汇流排输出，汇流排位于两个MOSFET组之间，水冷板的另一侧固定有阻容吸收组，阻容吸收组与汇流排电连，水冷板的内部设置有冷却用的水道；两个所述水冷板之间固定有PCB板，所述PCB板上设置有滤波电容，PCB板与正负极板电连；驱动板与MOSFET组电连。本实用新型专利技术采用上述结构的一种MOSFET高频逆变功率单元，能够解决MOSFET高频逆变功率单元水冷板体积大、滤波和阻容吸收效果差的问题，具有散热效果好的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET高频逆变功率单元
本技术涉及高频电气设备
，尤其是涉及一种MOSFET高频逆变功率单元。
技术介绍
高频感应加热设备是金属焊接、金属熔炼、热处理、热成型等工艺过程中广泛采用的加热方式，多用于金属直缝管材焊接、半导体单晶生长、各种金属制品的钎焊、有色金属熔炼的加热过程。基于MOSFET功率器件构成的高频逆变功率单元是高频感应加热设备中的重要组成部分，直接影响高频感应加热设备的电气性能，从而影响加高频感应加热设备的运行安全可靠性及工作效率。实际生产中大部分高频感应加热设备是由MOSFET功率器件组成的高频逆变功率单元，实现了电能的传输与变换。目前市场上的基于功率器件MOSFET高频逆变功率单元的水冷板是在薄壁铜板的一侧焊接铜管，作为冷却介质的通路，另一侧固定功率器件MOSFET与阻容吸收；由于此种结构水冷板表面不平，造成水冷板表面与功率器件MOSFET接触不良，功率器件MOSFET经常烧毁，产生严重事故。滤波电容直接与正负极板连接，滤波电容占据空间较大，滤波电容引线较长，滤波效果较差。功率器件MOSFET、阻容吸收固定在铜质焊接铜管水冷板的同一侧，水冷板体积较大，阻容吸收引线较长，阻容吸收效果较差。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种MOSFET高频逆变功率单元，解决MOSFET高频逆变功率单元水冷板体积大、滤波和阻容吸收效果差的问题。为实现上述目的，本技术提供了一种MOSFET高频逆变功率单元，包括水冷板和驱动板，所述水冷板的一侧固定有MOSFET组，两个MOSFET组通过汇流排输出，汇流排位于两个MOSFET组之间，水冷板的另一侧固定有阻容吸收组，阻容吸收组与汇流排电连，水冷板的内部设置有冷却用的水道；两个所述水冷板之间固定有PCB板，所述PCB板上设置有滤波电容，PCB板与正负极板电连；驱动板与MOSFET组电连。优选的，所述水冷板为铜板，水冷板上设置有连接阻容吸收组与汇流排的连接孔。优选的，所述水道在所述水冷板的内部呈蛇形分布。优选的，水冷板上设置有进水口和出水口，水道经进水口和出水口与外置的冷却装置相连通。本技术所述的一种MOSFET高频逆变功率单元，在水冷板的一侧设置MOSFET组，另一侧设置阻容吸收组，能够减小水冷板的体积，并且减小了阻容吸收的引线电感，提高了高频功率单元的尖峰吸收能力。在两个水冷板之间固定有PCB板，PCB板上设置有滤波电容，再将PCB板固定在正负极板间，能够减小滤波电容引线所占的外部空间，减小滤波电容引线电感，增加滤波电容数量，提高滤波能力。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的结构示意图；图2为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的截面图；图3为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的PCB板结构示意图；图4为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的水冷板结构示意图；附图标记1、水冷板；2、汇流排；3、MOSFET组；4、驱动板；5、PCB板；6、滤波电容；7、阻容吸收组；8、进水口；9、出水口；10、水道。具体实施方式实施例图1为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的结构示意图；图2为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的截面图；图3为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的PCB板结构示意图；图4为本技术一种MOSFET高频逆变功率单元实施例的水冷板结构示意图。如图1-4所示，一种MOSFET高频逆变功率单元，包括水冷板1和驱动板4。水冷板1设置有两个，水冷板1的一侧固定有MOSFET组3，两个MOSFET组3通过汇流排2输出，汇流排2位于两个MOSFET组3之间。水冷板1另一侧固定有阻容吸收组7，阻容吸收组7穿过水冷板1上的连接孔与汇流排2电连。将阻容吸收组7与MOSFET组3分别设置在水冷板1的两侧，水冷板1可以同时对其进行冷却，并且减小了水冷板1的体积和阻容吸收的引线电感，提高高频功率单元的尖峰吸收能力。水冷板1为铜板，水冷板1的内部设置有冷却用的水道10，水道10经水冷板1上的进水口8和出水口9与外置的冷却装置相连通。水道10在水冷板1的内部呈蛇形分布，这样水冷板1的表面可以进行精确加工、表面平整，与MOSFET散热底板良好接触，减小了热阻，提高了MOSFET的散热能力，保证MOSFET的功率输出。两个水冷板1之间固定有PCB板5，PCB板5上设置有滤波电容6，PCB板5固定在正负极板间与正负极板电连。将滤波电容6设置在PCB板5上，可以增加滤波电容6数量，减小滤波电容6引线所占的空间和引线电感，增加滤波能力。驱动板4位于MOSFET组3下方并与其电连。因此，本技术采用上述结构的一种MOSFET高频逆变功率单元，能够解决MOSFET高频逆变功率单元水冷板体积大、滤波和阻容吸收效果差的问题，具有散热效果好的优点。以上是本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围不应局限于此。任何熟悉本领域的技术人员在本技术所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内，因此本技术的保护范围应以权利要求书所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET高频逆变功率单元，其特征在于：包括水冷板和驱动板，所述水冷板的一侧固定有MOSFET组，两个MOSFET组通过汇流排输出，汇流排位于两个MOSFET组之间，水冷板的另一侧固定有阻容吸收组，阻容吸收组与汇流排电连，水冷板的内部设置有冷却用的水道；两个所述水冷板之间固定有PCB板，所述PCB板上设置有滤波电容，PCB板与正负极板电连；驱动板与MOSFET组电连。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET高频逆变功率单元，其特征在于：包括水冷板和驱动板，所述水冷板的一侧固定有MOSFET组，两个MOSFET组通过汇流排输出，汇流排位于两个MOSFET组之间，水冷板的另一侧固定有阻容吸收组，阻容吸收组与汇流排电连，水冷板的内部设置有冷却用的水道；两个所述水冷板之间固定有PCB板，所述PCB板上设置有滤波电容，PCB板与正负极板电连；驱动板与MOSFET组电连。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国民，李亚斌，贾春雨，刘志军，
申请(专利权)人：保定三正电气设备有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13