【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片的电源瞬态过压保护电路
本技术涉及通信及电子
，具体涉及一种集成芯片的电源瞬态过压保护电路。
技术介绍
随着微电子技术的发展，数字电路越来越集成化，芯片工艺从100nm降低到7nm，集成芯片出现以下两种特点：(1)集成芯片对电源电压要求越来越低，核电源电压从3.3V降到了1V以下，对供电电压的精准度要求也越来越高，工作电压范围从标称电压的105％降低到102％；(2)集成芯片的电流越来越大，从以前几A达到现在的100A，并且电流瞬变较大，某些CPU可能达到百A/us。在集成芯片作为负载时，当负载的电流发生瞬变时，供电电源输出电压会发生瞬变，负载电流增大瞬间，输出电压出现负过冲，负载电流减小瞬间，输出电压会出现正过冲，正负过冲幅度与电流变化速度有关，如果负载电流急剧较小，正过冲幅度就会增大，此时电源电压可能超出负载的安全工作电压范围，从而导致集成芯片存在被烧毁的隐患。现有技术中，参见专利申请号为CN201220657625.1的专利，该专利公开了一种电源过压保护电路，包括过压检查电路、场效应管Q1、钳位电路，所述场效应管Q1的栅极经串接的电阻R1和...
【技术保护点】
1.一种集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：包括电流泄放电路，所述电流泄放电路包括场效应管Q1和电阻R1，所述场效应管Q1的源极与集成芯片的供电端相连，所述场效应管Q1的漏极经过电阻R1后接地，且所述场效应管Q1的栅极连接有一电压驱动电路；当集成芯片的电源瞬态电压升高时，所述电压驱动电路驱动所述场效应管Q1导通，所述电流泄放电路进行电流泄放；当集成芯片的电源瞬态电压恒定或降低时，所述电压驱动电路驱动所述场效应管Q1不导通。
【技术特征摘要】
1.一种集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：包括电流泄放电路，所述电流泄放电路包括场效应管Q1和电阻R1，所述场效应管Q1的源极与集成芯片的供电端相连，所述场效应管Q1的漏极经过电阻R1后接地，且所述场效应管Q1的栅极连接有一电压驱动电路；当集成芯片的电源瞬态电压升高时，所述电压驱动电路驱动所述场效应管Q1导通，所述电流泄放电路进行电流泄放；当集成芯片的电源瞬态电压恒定或降低时，所述电压驱动电路驱动所述场效应管Q1不导通。2.如权利要求1所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述电压驱动电路包括运算放大器A1、电容C1、电阻R2和电阻R3，所述运算放大器A1的输出端串联所述电阻R3后与所述场效应管Q1的栅极相连，所述电容C1两端分别连接所述运算放大器A1的反向输入端和输出端，所述电阻R2一端与所述运算放大器A1的反向输入端相连，另一端连接所述场效应管Q1的源极。3.如权利要求2所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述电压驱动电路还包括一用于设置所述运算放大器A1参考电压的参考电压电路，所述参考电压电路与运算放大器A1的正向输入...
【专利技术属性】
技术研发人员：周芳，
申请(专利权)人：烽火通信科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42
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