更耐电流冲击的LED接线结构制造技术

本实用新型专利技术涉及LED接线结构的技术领域，公开了更耐电流冲击的LED接线结构，包括具有与外部电源连通的正极件和负极件的金属基板，金属基板设有多组芯片组以及多个导电件；芯片组包括首位芯片组、中间芯片组以及尾位芯片组，首位芯片组分别连通正极件以及其一导电件，中间芯片组分别连通其一导电件以及另一导电件，尾位芯片组分别连通负极件以及另一导电件；电路流向沿正极件、首位芯片组、其一导电件、中间芯片组、另一导电件、尾位芯片组、负极件依次连通形成导电回路。在多个导电件的作用下，降低各个芯片组焊线的线径，从而提高整体线路的耐电路冲击能力；各组芯片组无需分次固晶，使各组芯片组固晶更加方便、快捷，从而提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
更耐电流冲击的LED接线结构
本技术涉及LED接线结构的
，特别涉及更耐电流冲击的LED接线结构。
技术介绍
在全球能源紧缺的大环境下，必须增强危机意识，树立绿色、环保发展理念，节能减排；LED照明相对于白炽灯照明，其具有更大的技术优势，其响应速度快、环保、寿命长等诸多优势；随着LED照明应用的范围越来越广泛，其渐渐取代了白炽灯照明等其他传统照明方式。目前，通过多个芯片通电发光实现LED灯照明，各个芯片通过线路连通形成回路，为了保证各个芯片的连通，LED灯的接线结构的线径往往需要设置较长，导致在冷热冲击实验抗应力能力不佳，而且，LED灯的接线结构无法承受更大电流冲击，影响LED灯的使用寿命。现有技术中，通过改变部分芯片的固晶方向，从而缩短LED灯的接线结构的线径，由于各个芯片存在固晶方向不一致，需要分次固晶来完成芯片的固晶，导致生产效率低下。
技术实现思路
本技术的目的在于提供更耐电流冲击的LED接线结构，旨在解决现有技术中LED灯的接线结构不耐电流冲击以及芯片不便于固晶的问题。本技术是这样实现的，更耐电流冲击的LED接线结构，包括具有与外部电源连通的正极件和负极件的金属基板，所述金属基板设有多组通电发光且相互串联形成回路的芯片组以及多个导电件；所述芯片组包括首位芯片组、中间芯片组以及尾位芯片组，所述首位芯片组分别连通所述正极件以及其一所述导电件，所述中间芯片组分别连通其一所述导电件以及另一所述导电件，所述尾位芯片组分别连通所述负极件以及另一所述导电件；电路流向沿所述正极件、所述首位芯片组、其一所述导电件、所述中间芯片组、另一所述导电件、所述尾位芯片组、所述负极件依次连通形成导电回路。进一步的，所述导电件的两端分别设有焊线部，所述焊线部大于所述导电件的宽度。进一步的，所述正极件和所述负极件分别形成凹陷槽，其一所述导电件的焊线部与所述凹陷槽呈对应分布。进一步的，所述更耐电流冲击的LED接线结构包括所述首位芯片组、所述中间芯片组、所述尾位芯片组以及两个所述导电件；所述首位芯片组与所述尾位芯片组沿所述中间芯片组呈对称分布。进一步的，所述导电件呈弧形状，两个所述导电件环绕包围各个所述芯片组。进一步的，所述正极件和所述负极件分别呈弧形状，所述正极件和所述负极件环绕包围各个所述导电件。进一步的，多个芯片串联形成各个所述芯片组，所述芯片具有正负极，各个所述芯片的正负极朝向一致。进一步的，所述导电件的件数比所述芯片组的组数少1个。与现有技术相比，本技术提供的更耐电流冲击的LED接线结构，电路流向沿正极件流至首位芯片组，再流至其一导电件，再流至中间芯片组，再流至另一导电件，再流至尾位芯片组，最后流至负极件，形成导电回路，实现LED的照明；在多个导电件的作用下，降低各个芯片组焊线的线径，从而提高整体线路的耐电路冲击能力；另外，各组芯片组通过与多个导电件连通，使各组芯片组的固晶方向一致，因此，各组芯片组无需分次固晶，使各组芯片组固晶更加方便、快捷，从而提高生产效率。附图说明图1是本技术实施例提供的更耐电流冲击的LED接线结构的线路布置示意图；图2是本技术实施例提供的更耐电流冲击的LED接线结构的其一导电件的立体示意图；图3是本技术实施例提供的更耐电流冲击的LED接线结构的另一导电件的立体示意图；图4是本技术实施例提供的更耐电流冲击的LED接线结构的正极件以及负极件的立体示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。以下结合具体实施例对本技术的实现进行详细的描述。参照图1-4所示，为本技术提供较佳实施例。更耐电流冲击的LED接线结构，用于解决LED灯的接线结构不耐电流冲击以及芯片不便于固晶的问题。更耐电流冲击的LED接线结构包括金属基板10，金属基板10具有与外部电源连通的正极件11和负极件12，金属基板10设有多组芯片组以及多个导电件，多组芯片组通电发光且相互串联形成回路；芯片组包括首位芯片组50、中间芯片组60以及尾位芯片组70，首位芯片组50分别连通正极件11以及其一导电件30，中间芯片组60分别连通其一导电件30以及另一导电件40，尾位芯片组70分别连通负极件12以及另一导电件40；电路流向沿正极件11、首位芯片组50、其一导电件30、中间芯片组60、另一导电件40、尾位芯片组70、负极件12依次连通形成导电回路。上述的更耐电流冲击的LED接线结构，电路流向沿正极件11流至首位芯片组50，再流至其一导电件30，再流至中间芯片组60，再流至另一导电件40，再流至尾位芯片组70，最后流至负极件12，形成导电回路，实现LED的照明；在多个导电件的作用下，降低各个芯片组焊线的线径，从而提高整体线路的耐冲击能力；另外，各组芯片组通过与多个导电件连通，使各组芯片组的固晶方向一致，因此，各组芯片组无需分次固晶，使各组芯片组固晶更加方便、快捷，从而提高生产效率。本实施例中，导电件的两端分别设有焊线部31，焊线部31大于导电件的宽度；首位芯片组50的一端通过金属线焊接固定在正极件11上，首位芯片组50的另一端通过金属线焊接固定在导电件的焊线部31，在焊线部31的作用下，便于金属线的焊接以及增强焊接稳固性。正极件11和负极件12分别形成凹陷槽13，其一导电件30的焊线部31与凹陷槽13呈对应分布；这样设置的好处在于，正极件11、负极件12与其一导电件30具有相互参照作用，便于对正极件11、负极件12与其一导电件30进行布置。焊线部31的前端嵌入凹陷槽13且与凹陷槽13具有间隙，增强其一导电件30的安设稳固性，另外，使整体结构更加紧凑，同时，最大程度减少线路的线径，增强线路的耐冲击能力。具体的，更耐电流冲击的LED接线结构包括首位芯片组50、中间芯片组60、尾位芯片组70以及两个导电件；首位芯片组50与尾位芯片组70沿中间芯片组60呈对称分布；便于首位芯片组50、中间芯片组60、尾位芯片组70以及两个导电件的设置，另外，使整体电路的电路较为均匀，提高线路的耐冲击能力。导电件呈弧形状，两个导电件环绕包围各个芯片组；这样，各个芯片组具有较大的设置空间，导电件不会影响各个芯片组的布置，另外，便于各个芯片组与导电件导通，减少线路的路径增强线路的耐冲击能力。正极件11和负极件12分别呈弧形状，正极件11和负极件12环绕包围各个导电件；这样设置便于正极件11和负极件12分别与导电件导通。具体的，各个芯片组由多个芯片串联形成，芯片具有正负极，各个芯片的正负极朝向一致；这样，对芯片进行固晶时，无需分次进行固晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.更耐电流冲击的LED接线结构，其特征在于，包括具有与外部电源连通的正极件和负极件的金属基板，所述金属基板设有多组通电发光且相互串联形成回路的芯片组以及多个导电件；所述芯片组包括首位芯片组、中间芯片组以及尾位芯片组，所述首位芯片组分别连通所述正极件以及其一所述导电件，所述中间芯片组分别连通其一所述导电件以及另一所述导电件，所述尾位芯片组分别连通所述负极件以及另一所述导电件；电路流向沿所述正极件、所述首位芯片组、其一所述导电件、所述中间芯片组、另一所述导电件、所述尾位芯片组、所述负极件依次连通形成导电回路。

【技术特征摘要】
1.更耐电流冲击的LED接线结构，其特征在于，包括具有与外部电源连通的正极件和负极件的金属基板，所述金属基板设有多组通电发光且相互串联形成回路的芯片组以及多个导电件；所述芯片组包括首位芯片组、中间芯片组以及尾位芯片组，所述首位芯片组分别连通所述正极件以及其一所述导电件，所述中间芯片组分别连通其一所述导电件以及另一所述导电件，所述尾位芯片组分别连通所述负极件以及另一所述导电件；电路流向沿所述正极件、所述首位芯片组、其一所述导电件、所述中间芯片组、另一所述导电件、所述尾位芯片组、所述负极件依次连通形成导电回路。2.如权利要求1所述的更耐电流冲击的LED接线结构，其特征在于，所述导电件的两端分别设有焊线部，所述焊线部大于所述导电件的宽度。3.如权利要求2所述的更耐电流冲击的LED接线结构，其特征在于，所述正极件和所述负极件分别形成凹陷槽，其一所述导电件的焊线部与所述凹陷槽呈对应分布。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶洪波，
申请(专利权)人：深圳市光盟电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44