【技术实现步骤摘要】
磁饱和状态反馈式磁通门传感器
：本专利技术涉及一种磁通门传感器，尤其是一种磁芯磁饱和状态反馈的磁通门传感器。
技术介绍
：磁通门现象是一种普遍存在的电磁感应现象，磁通门传感器的基本原理服从于法拉第电磁感应定律，利用磁芯的磁滞饱和特性将磁信号转换成电信号进行测量。磁通门传感器具有分辨率高、测量范围大和剩磁误差小的优点，是一种综合性能很好的弱磁测量传感器。目前磁通门传感器按照检测方式主要可以分为两类，一类为谐波型磁通门传感器，另一类为时间差型磁通门传感器。谐波型磁通门传感器是通过检测磁场引起的探头输出信号中的谐波幅值变化以进行磁场检测，具有噪声低、稳定性好等优点，因此被广泛研究和应用。但是其工作原理要求探头结构严格对称，并且其谐波检出电路涉及到高品质因数带通滤波、相敏检波等复杂电路结构，造成该类传感器不可避免遇到制作成本高、电路结构复杂等问题，限制了其在传感器组网检测等低成本领域的应用。时间差型磁通门传感器通过检测磁场引起的磁芯处于正负饱和状态时间的差异进行磁场的测量，探头和电路结构相对比较简单，但是由于噪声等性能参数较差，并且需要微处理器进行相应的时间计数，造成电路...
【技术保护点】
1.磁饱和状态反馈式磁通门传感器，其特征在于，包括信号地线(5)分别连接激励线圈(1)、感应线圈(2)和反馈线圈(3)，晶振(6)经带通滤波电路(7)、功率放大电路(8)与激励线圈(1)连接，感应线圈(2)经前置放大电路(9)与磁饱和状态检测电路(10)连接构成磁芯磁饱和状态检出电路，反馈微调电阻(11)经反馈精密电阻(12)与反馈线圈(3)连接构成磁饱和状态反馈电路。
【技术特征摘要】
1.磁饱和状态反馈式磁通门传感器，其特征在于，包括信号地线(5)分别连接激励线圈(1)、感应线圈(2)和反馈线圈(3)，晶振(6)经带通滤波电路(7)、功率放大电路(8)与激励线圈(1)连接，感应线圈(2)经前置放大电路(9)与磁饱和状态检测电路(10)连接构成磁芯磁饱和状态检出电路，反馈微调电阻(11)经反馈精密电阻(12)与反馈线圈(3)连接构成磁饱和状态反馈电路。2.按照权利要求1所述的磁饱和状态反馈式磁通门传感器，其特征在于，磁通门传感器，包括无磁骨架(13)的两端加工成长方体结构，无磁骨架(13)的两端分别设有安装孔a(15)和安装孔b(16)，无磁骨架(13)的线圈区域为空心圆柱体，在空心圆柱上开有与磁芯(4)直径相同宽的槽，取下开槽条块，将磁芯(4)下入到空心圆柱体的空腔中，并用开槽取下的条块压在磁芯(4)上，使磁芯(4)在空腔内固定，且无磁骨架(13)的线圈区...
【专利技术属性】
技术研发人员：王言章，李京杰，石佳晴，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22
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