一种防腐蚀热电偶制造技术

本发明专利技术公开了一种防腐蚀钨铼热电偶，防腐蚀钨铼热电偶是由如下方法制备的：提供钨铼热电偶合金基体；在钨铼热电偶合金基体表面利用第一磁控溅射方法沉积金属Al层；在金属Al层表面利用第二磁控溅射方法沉积氧化铝层；在氧化铝层表面利用第三磁控溅射方法沉积金属Zr层；在金属Zr层表面利用第四磁控溅射方法沉积硼化锆层；在硼化锆层利用第五磁控溅射方法沉积TiAlSiN层。本发明专利技术由于沉积了TiAlSiN层，使得薄膜钨铼热电偶硬度大幅度提高；膜层结构丰富，增加了过渡金属层，使得膜层之间的结合力提高；溅射工艺先进，使得膜层之间的结合力提高，热电偶抗氧化的能力更高。

【技术实现步骤摘要】
一种防腐蚀热电偶
本专利技术属于热电偶
，涉及一种防腐蚀热电偶，尤其是一种防腐蚀钨铼热电偶。
技术介绍
钨铼热电偶是一种性能优异的金属热电偶，它价格低可部分取代铂铑热电偶。我国钨、铼资源丰富，热电偶丝生产技术比较先进，因此我国的钨铼热电偶已广泛应用于电子、冶金、化工、航空航天和原子能等领域。但是钨铼丝在空气中高温工作时易被空气中的氧氧化，当钨铼丝被氧化，热电偶测量温度的精度必然也随之降低。因此寻找到一种耐高温氧化的薄膜材料对钨铼热电偶在高温下的应用具有至关重要的作用。目前的薄膜材料研究中，氧化物薄膜具有抗氧化、熔点高、导热系数低、耐磨耐腐蚀性能好、电绝缘等一系列优良性能，作为抗高温氧化薄膜较为合适。由于氧化物材料的优异特性，现有技术提出了利用氧化物在钨铼热电偶表面镀敷氧化物层的技术，以此来提高钨铼热电偶的抗氧化性。但是该现有技术仍然存在如下缺陷：1、镀敷层结构简单，仅仅沉积氧化锆和氧化铝层并不能很好的阻隔氧气；2、膜层硬度不够，导致钨铼热电偶极易损坏；3、溅射工艺较差，导致合金膜与基片的结合力不够强。公开于该
技术介绍
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【技术保护点】
1.一种防腐蚀钨铼热电偶，其特征在于：所述防腐蚀钨铼热电偶是由如下方法制备的：提供钨铼热电偶合金基体；在所述钨铼热电偶合金基体表面利用第一磁控溅射方法沉积金属Al层；在所述金属Al层表面利用第二磁控溅射方法沉积氧化铝层；在所述氧化铝层表面利用第三磁控溅射方法沉积金属Zr层；在所述金属Zr层表面利用第四磁控溅射方法沉积硼化锆层；在所述硼化锆层利用第五磁控溅射方法沉积TiAlSiN层。

【技术特征摘要】
1.一种防腐蚀钨铼热电偶，其特征在于：所述防腐蚀钨铼热电偶是由如下方法制备的：提供钨铼热电偶合金基体；在所述钨铼热电偶合金基体表面利用第一磁控溅射方法沉积金属Al层；在所述金属Al层表面利用第二磁控溅射方法沉积氧化铝层；在所述氧化铝层表面利用第三磁控溅射方法沉积金属Zr层；在所述金属Zr层表面利用第四磁控溅射方法沉积硼化锆层；在所述硼化锆层利用第五磁控溅射方法沉积TiAlSiN层。2.如权利要求1所述的防腐蚀钨铼热电偶，其特征在于：所述金属Al层的厚度为10-20nm，所述第一磁控溅射方法具体为：采用直流磁控溅射，溅射温度为200-300℃，溅射电流为0.5-1A，溅射功率为100-120W，氩气流量为50-100sccm。3.如权利要求1所述的防腐蚀钨铼热电偶，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30-50nm，所述第二磁控溅射方法具体为：采用射频溅射方法，溅射靶材为氧化铝靶材，溅射温度为400-500℃，溅射功率为300-350W，氩气流量为50-100sccm。4.如权利要求1所述的防腐蚀钨铼热电偶，其特征在于：所述金属Zr层的厚度为10-20nm，所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕崇新，
申请(专利权)人：深圳万佳互动科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44