通过变价离子掺杂提高钛酸钡介质材料抗还原性的方法技术

本发明专利技术公开了一种通过变价离子掺杂提高钛酸钡介质材料抗还原性的方法，以BaTiO3为基础，外加质量百分比含量为1～4％的变价离子化合物X，称量配料，所述变价离子化合物X为SnO2、MnO2或NH4VO3。经过球磨、烘干、过筛后于1000～1300℃下煅烧，合成主晶相，再进行造粒，压制成生坯，生坯于1300～1450℃烧结，制得BaTiO3介质材料。本发明专利技术介电常数与空气下烧结相近，介电损耗在1.0％～4.0％范围内，绝缘电阻率＞10

【技术实现步骤摘要】
通过变价离子掺杂提高钛酸钡介质材料抗还原性的方法
本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，特别涉及一种通过变价离子掺杂提高BaTiO3介质材料在还原气氛下介电性能的方法。
技术介绍
传统的MLCC(多层片式陶瓷电容器)一般选用贵金属Pt、Pd或Pd-Ag合金作为MLCC内电极，以满足介质材料的高烧结温度的要求。但随着MLCC层数的不断增加，内电极材料的成本逐渐加大，并造成了MLCC成本居高不下的严峻问题。为了实现制作工艺的低成本化，采用Cu、Ni等贱金属作为电极材料。而这将导致MLCC的制作工艺需要在还原气氛下进行。因此需要介质材料在满足能够与内电极匹配的要求下，还应在还原气氛下烧结后满足MLCC性能的要求。传统的BaTiO3基介质材料，在还原气氛下，由于氧空位的产生引起过多的自由电子，有半导化的趋势，即失去介质材料的绝缘性能。为抑制BaTiO3介质材料半导化，通过本专利阐述的变价离子掺杂实现自由电子的消耗，进而满足贱金属-MLCC对介质材料的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的，是为实现MLCC制作工艺的低成本化、采用贱金属作为电极材料，并为抑制BaTiO3介质材料在还原气氛下半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.通过变价离子掺杂提高钛酸钡介质材料抗还原性的方法，具有如下步骤：(1)以BaTiO3为基础，外加质量百分比含量为1～4％的变价离子化合物X，称量配料；所述变价离子化合物X为SnO2、MnO2或NH4VO3；(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；再将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)颗粒均匀的粉料于1000～1300℃下煅烧3小时，合成主晶相；(4)在步骤(3)合成主晶相的粉料外加质量百分比为7％的粘结剂，过80目分样筛，造粒；(5)将步骤(4)的造粒粉料压制成生坯，经排胶后，在还原气氛下，于13...

【技术特征摘要】
1.通过变价离子掺杂提高钛酸钡介质材料抗还原性的方法，具有如下步骤：(1)以BaTiO3为基础，外加质量百分比含量为1～4％的变价离子化合物X，称量配料；所述变价离子化合物X为SnO2、MnO2或NH4VO3；(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；再将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)颗粒均匀的粉料于1000～1300℃下煅烧3小时，合成主晶相；(4)在步骤(3)合成主晶相的粉料外加质量百分比为7％的粘结剂，过80目分样筛，造粒；(5)将步骤(4)的造粒粉料压制成生坯，经排胶后，在还原气氛下，于1300～...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，王瑞杰，毕越，于仕辉，王文波，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12