【技术实现步骤摘要】
一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法
本专利技术属于光伏设备
，特别是涉及一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法。
技术介绍
对于掺硼单晶电池，由于存在未激活的缺陷，在正常工作条件下，缺陷会被逐渐激活，形成复合中心，导致效率下降，这就是光致衰减，生产线上对于电池片的光致衰减程度有一个严格标准，通过抽样检测来把控产品质量，而完成光衰之后的电池片，由于转换效率的下降，通常不能继续作为产品入库以进行后续工艺，针对该问题，现有的处理方式是退火，而退火工艺包含光退火和电退火这两种，其分别是采用光注入和电注入的方式来钝化缺陷，实现降低光致衰减的目的，然而，这两种手段只是改善光衰后电池片的光衰性能，而不能令其效率提升至原来的水平，电池片还是只能被当作低效片处理掉，可见光致衰减的检测操作造成了大量经济成本和人工成本的浪费。一个具体的例子就是：选取烧结后的P型掺硼单晶电池片50片，测量其AM1.5标准太阳辐照条件下IV输出特性，得到平均初始效率21.37％，然后使用光衰箱进行光衰处理(5kwh；70℃)，衰减后效率下降1.28％(绝对效率)，此时电池片效率为20.09％，属于低...
【技术保护点】
1.一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，包括：将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。
【技术特征摘要】
1.一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，包括：将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。2.根据权利要求1所述的掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，将所述掺硼单晶电池与金属平台紧密接触，利用所述金属平台传导的热量将所述光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃。3.根据权利要求1所述的掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁雪婷，金井升，张昕宇，金浩，张艳鹤，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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