【技术实现步骤摘要】
充电曲线获得方法、模组和显示装置
本专利技术涉及显示测试
，尤其涉及一种充电曲线获得方法、模组和显示装置。
技术介绍
在AMOLED(Active-matrixorganiclight-emittingdiode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置中，在进行电学补偿时，需要给外部补偿像素电路中的外部补偿线充电，理想的充电曲线是一条与数据电压直接相关的线性直线，这样才能通过数据电压来计算TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的特性参数。但是由于数据写入电路的控制端和驱动电路的第一端之间存在寄生电容，在数据写入电路关断时，会有电容耦合效应，使得所述驱动电路的第一端的电压不等于数据电压，这样计算出来的TFT特性参数就会存在误差，因此会出现补偿不准确的现象。如图1所示，横轴为充电时间t，纵轴为在充电时间段所述驱动电路的第二端的电压V，理想的充电曲线如第一直线L1所示，在实际工作时会出现的不理想曲线可以如第二直线L2、第一曲线Lq1和第三直线L3所示。为了解决上述问题，目前常见的方法有两种：一种方法是通过工艺减小所述寄生电容的容值，但是并不能使得该容...
【技术保护点】
1.一种充电曲线获得方法，应用于外部补偿像素电路，所述外部补偿像素电路包括数据写入电路、驱动电路和检测电路，所述数据写入电路与驱动电路的第一端耦接，所述检测电路与所述驱动电路的第二端耦接，其特征在于，所述充电曲线获得方法包括：获取补偿电压；在充电时间段内，数据写入电路将预定数据电压和所述补偿电压写入所述驱动电路的第一端，检测电路检测所述驱动电路的第二端的电压；根据所述检测电路检测到的所述驱动电路的第二端的电压得到充电曲线。
【技术特征摘要】
1.一种充电曲线获得方法，应用于外部补偿像素电路，所述外部补偿像素电路包括数据写入电路、驱动电路和检测电路，所述数据写入电路与驱动电路的第一端耦接，所述检测电路与所述驱动电路的第二端耦接，其特征在于，所述充电曲线获得方法包括：获取补偿电压；在充电时间段内，数据写入电路将预定数据电压和所述补偿电压写入所述驱动电路的第一端，检测电路检测所述驱动电路的第二端的电压；根据所述检测电路检测到的所述驱动电路的第二端的电压得到充电曲线。2.如权利要求1所述的充电曲线获得方法，其特征在于，在充电时间段之前设置有N个补偿电压测试时间段；第n补偿电压测试时间段包括依次设置的第n个第一测试阶段和第n个第二测试阶段；所述充电曲线获得方法还包括设置于所述获取补偿电压步骤之前的N个补偿电压检测步骤；N为正整数；n为小于或等于N的正整数；第n补偿电压检测步骤包括：第n个第一测试电压检测步骤：在第n个第一测试阶段开始时将所述驱动电路的第二端的电压置为第n起始电压；在所述第n个第一测试阶段，数据写入电路将预定数据电压写入所述驱动电路的第一端；在所述第n个第二测试阶段中的预定时间点，所述检测电路检测所述驱动电路的第二端的电压，该电压为第n个第一测试电压；第n个第二测试电压检测步骤：在所述第n个第一测试阶段开始时将所述驱动电路的第二端的电压置为第n起始电压；在所述第n个第一测试阶段和所述第n个第二测试阶段，数据写入电路将预定数据电压写入所述驱动电路的第一端；在所述第n个第二测试阶段中的所述预定时间点，所述检测电路检测所述驱动电路的第二端的电压，该电压为第n个第二测试电压；第n补偿电压计算步骤：选取第n个第一测试电压、第n个第二测试电压中电压值较大者作为第n目标测试电压，根据所述第n目标测试电压计算第n补偿电压斜率，根据所述第n补偿电压斜率得到第n测试补偿电压；所述补偿电压为第N测试补偿电压。3.如权利要求2所述的充电曲线获得方法，其特征在于，N大于1；n大于1，第n起始电压为第n-1测试补偿电压；或者，n等于1，第n起始电压为预先设定的起始电压。4.如权利要求2所述的充电曲线获得方法，其特征在于，所述根据所述第n目标测试电压计算第n补偿电压斜率步骤包括：根据下列公式计算第n补偿电压斜率：an＝(Vtn-V0n)/tcn；其中，an为所述第n补偿电压斜率，Vtn为所述第n目标测试电压，V0n为所述第n起始电压，tcn为从所述第n个第一测试阶段的开始时间点至所述第n个第二测试阶段中的所述预定时间点之间间隔的时间；所述根据所述第n补偿电压斜率得到第n测试补偿电压步骤包括：根据下列公式计算第n测试补偿电压：Vcn＝an×tch；其中，Vcn为第n测试补偿电压，Vdata0为所述预定数据电压，tch为所述充电时间段的开始时间点...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟松，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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