【技术实现步骤摘要】
一种基于LDPC和循环冗余校验码的NANDFLASH差错控制方法
本专利技术涉及信息存储
，尤其是涉及一种对NANDFLASH存储器差错控制的方法。
技术介绍
在NANDFLASH的实际运用中，随着NANDFLASH读取数据次数、P/E循环次数的增加，以及NANDFLASH放置时间的延长，NANDFLASH中存储数据的错误概率也随之增加。为了保证存储数据的可靠性，通常的方法是采用纠错编码来纠正存储过程中产生的错误。在纠错码领域中最常用的纠错码是低密度奇偶检验码(LowDensityParityCheckCode，LDPC)。传统的纠错过程是把读取的数据直接经过LDPC迭代译码来实现纠错。事实上，在NANDFLASH的实际运用中数据存储产生错误的比例较小，有些flashpage甚至不存在错误。如果读取的存储数据中不存在错误，对没有错误的数据进行译码是没有意义的，即使读取的存储数据存在错误，对错误的数据直接进行LDPC迭代译码，迭代译码的次数会较多，甚至会导致迭代译码失败。所以，将读取的数据直接进行LDPC迭代译码，这样的做法不仅会降低NANDFLASH纠错过程...
【技术保护点】
1.一种基于LDPC和循环冗余校验码的NAND FLASH差错控制方法，其特征在于，包括以下：步骤一：对从NAND FLASH读取的CRC码字进行一次CRC校验判断，区分出有和没有错误的flash page，没有错误的flash page直接输出用户数据信息；步骤二：根据错误的flash page的物理地址，再去存储器中查找相关的比特位置信息，如果找到，根据此信息，从NAND FLASH读取的LDPC码字中找到相应的位置，并对该位置上的值进行取反，得到一个纠正部分错误的码字，进行LDPC迭代译码，如果找不到，把从NAND FLASH读取的LDPC码字直接作为LDPC迭代译码...
【技术特征摘要】
1.一种基于LDPC和循环冗余校验码的NANDFLASH差错控制方法，其特征在于，包括以下：步骤一：对从NANDFLASH读取的CRC码字进行一次CRC校验判断，区分出有和没有错误的flashpage，没有错误的flashpage直接输出用户数据信息；步骤二：根据错误的flashpage的物理地址，再去存储器中查找相关的比特位置信息，如果找到，根据此信息，从NANDFLASH读取的LDPC码字中找到相应的位置，并对该位置上的值进行取反，得到一个纠正部分错误的码字，进行LDPC迭代译码，如果找不到，把从NANDFLASH读取的LDPC码字直接作为LDPC迭代译码算法的输入数据，进行LDPC迭代译码；步骤三：把译码后的译码序列再进行一次CRC校验判断，如果CRC值为0，则直接输出用户数据信息，并以该信息为参考，再从NANDFLASH读取的数据信息中找出不同于参考数据的比特位置，并把这些位置信息存储在SRAM中，更新SRA...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭锐，陈康妮，吴颖婕，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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