数据储存装置以及数据错误管理方法制造方法及图纸

技术编号:19691402 阅读:35 留言:0更新日期:2018-12-08 11:04
本发明专利技术提出一种高可靠度数据储存装置,其中非易失性存储器的储存空间包括多个第一阶单元,且该多个第一阶单元更分组为多个第二阶单元。控制单元使第一阶单元各自编有检正校验码,并在读取一指定的第一阶单元时,根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的检正校验码的数据状况,据以自我检测含括该指定的第一阶单元的一指定的第二阶单元的其他空间。

【技术实现步骤摘要】
数据储存装置以及数据错误管理方法
本专利技术是有关于数据储存装置。
技术介绍
数据储存装置所采用的非易失性存储器可以是快闪存储器(flashmemory)、磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRAM)、铁电随机存取存储器(FerroelectricRAM)、电阻式存储器(ResistiveRAM,RRAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(SpinTransferTorque-RAM,简称STT-RAM)…等,用于长时间数据保存。如何确保非易失性存储器储存内容的可靠度为本
一项重要课题。
技术实现思路
根据本专利技术一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一非易失性存储器以及一控制单元。该非易失性存储器提供划分为多个第一阶单元的储存空间,且这些第一阶单元更分组为多个第二阶单元,使一个上述第二阶单元包括多个上述第一阶单元。该控制单元使这些第一阶单元分别编有检正校验码,并在读取一指定的第一阶单元时,根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的数据状况,据以自我检测该非易失性存储器的其他数据。该指定的第一阶单元属于这些第二阶单元中一指定的第二阶单元。基于该指定的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据储存装置,包括:一非易失性存储器,提供划分为多个第一阶单元的储存空间,且该多个第一阶单元更分组为多个第二阶单元,使一个上述第二阶单元包括多个上述第一阶单元;以及一控制单元,使该多个第一阶单元分别编有检正校验码,并在读取一指定的第一阶单元时,根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的数据状况,据以自我检测该非易失性存储器的数据;其中:该指定的第一阶单元属于该多个第二阶单元中一指定的第二阶单元;基于该指定的第一阶单元的检正校验码判别该指定的第一阶单元的数据超过一第一临界错误量时,该控制单元检测其他N个第一阶单元,N为数量;上述N个第一阶单元属于该指定的第二阶单元;且上述...

【技术特征摘要】
1.一种数据储存装置,包括:一非易失性存储器,提供划分为多个第一阶单元的储存空间,且该多个第一阶单元更分组为多个第二阶单元,使一个上述第二阶单元包括多个上述第一阶单元;以及一控制单元,使该多个第一阶单元分别编有检正校验码,并在读取一指定的第一阶单元时,根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的数据状况,据以自我检测该非易失性存储器的数据;其中:该指定的第一阶单元属于该多个第二阶单元中一指定的第二阶单元;基于该指定的第一阶单元的检正校验码判别该指定的第一阶单元的数据超过一第一临界错误量时,该控制单元检测其他N个第一阶单元,N为数量;上述N个第一阶单元属于该指定的第二阶单元;且上述N个第一阶单元中多于M个的数据超过一第二临界错误量时,该控制单元标示该指定的第二阶单元为损毁,M为数量。2.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:该控制单元标示该指定的第二阶单元损毁时,更搬移该指定的第二阶单元的数据至另一上述第二阶单元。3.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:该多个第二阶单元更分组为多个第三阶单元,使一个上述第三阶单元包括多个上述第二阶单元;该控制单元在标示该指定的第二阶单元为损毁时,更检测分布于N1个第二阶单元的其他N2个第一阶单元,N1与N2为数量;且上述N1个第二阶单元与该指定的第二阶单元同属上述第三阶单元中一指定的第三阶单元。4.如权利要求3所述的数据储存装置,其特征在于:上述N2个第一阶单元中多于M2个的数据超过一第三临界错误量时,该控制单元标示该指定的第三阶单元为损毁,M2为数量。5.如权利要求4所述的数据储存装置,其特征在于:该控制单元标示该指定的第三阶单元为损毁时,更搬移该指定的第三阶单元的数据至另一上述第三阶单元。6.如权利要求5所述的数据储存装置,其特征在于:该非易失性存储器为快闪存储器;上述第一阶单元为物理页;上述第二阶单元为物理区块;且上述第三阶单元为管芯。7.如权利要求6所述的数据储存装置,其特征在于:上述管芯更各自包括多个面,上述面各自包括多个上述物理区块;该控制单元判别为损毁的物理区块属于一指定管芯的一指定面;且该控制单元包括自该指定管芯除上述指定面以外的其他面选择物理页做检测。8.如权利要求6所述的数据储存装置,其特征在于:上述检正校验码的检正能力为每千字节检正L位错误,L为数字;且上述第一、第二以及第三临界错误量全数小于L。9.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:该控制单元是根据一主机的一读取指令读取该指定的第一单元、或根据该主机对该指定的第一单元的一写入指令读取该指定的第一单元以回读写入之内容。10.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:该控制单元是在垃圾收集时读取该指定的第一单元。11.一种数据错误管理方法,可应用于一数据储存装置,该方法包括:对一非易失性存储器进行检正校验码编码,其中,该非易失性存储器提供划分为多个第一阶单元的储存空间,且该多个第一阶单元更分组为多个第二阶单元,使一个上述第二阶单元包括多个上述第一阶单元;使该多个第一阶单元分别编有上述检正校验码;且在读取一指定的第一阶单元时,根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的数据状况,据以自我检测该非易失性存储器的数据;其中:该指定的第一阶单元属于该多个第二阶单元中一指定的第二阶单元;基于该指定的第一阶单元的检正校验码判别该指...

【专利技术属性】
技术研发人员:阳学仕
申请(专利权)人:上海宝存信息科技有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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