【技术实现步骤摘要】
存储器中数据读取的错误纠正方法、装置、设备及介质
本专利技术属于计算机
，尤其涉及一种存储器中数据读取错误的纠正方法、装置、设备及介质。
技术介绍
摩尔定律推动下的集成电路工艺不仅增加了存储器的集成密度，还使得存储器的工作电压和节点电容降低，大幅度减小了节点翻转所需的临界电荷。地面环境中的α粒子、中子或者辐射环境中的重离子、质子，它们撞击存储器表面后会以直接或间接电离的方式产生大量的电子空穴对，一旦被收集的电子空穴对超过节点的临界电荷，造成节点内容的翻转，容易引起存储器SEU或MBU。针对存储器的SEU问题，除了从物理上防御和基于电路的加固外，三模冗余(TMR)和检错纠错码(ECC)技术是最常用的两种方法。三模冗余方法可以纠正每位错误，甚至一个数据全错，也能得到正确的结果，而且速度快，只是增加的硬件较多。检错纠错码(ECC)技术包括多种编码技术，不同的编码技术有不同的检错和纠错能力。例如，奇偶校验码只能检测出一个码字中的一位或奇数位错，但是不能定位错误，因而也不能纠正错误；汉明码可以纠正一个码字中任何一位错误，检测出两位错误。还有许多高阶的ECC编码算法，例...
【技术保护点】
1.一种存储器中数据读取错误的纠正方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：当接收到数据读取指令时，从存储器中读取目标数据和所述目标数据关联的对角线元素，所述目标数据关联的对角线元素包括所述目标数据所对应原始数据内积矩阵和类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素；计算所述目标数据的内积矩阵、类内积矩阵，根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素，判断读取的所述目标数据是否发生错误；当确定读取的所述目标数据发生错误时，根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素，确定所述目标数据中的...
【技术特征摘要】
1.一种存储器中数据读取错误的纠正方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：当接收到数据读取指令时，从存储器中读取目标数据和所述目标数据关联的对角线元素，所述目标数据关联的对角线元素包括所述目标数据所对应原始数据内积矩阵和类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素；计算所述目标数据的内积矩阵、类内积矩阵，根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素，判断读取的所述目标数据是否发生错误；当确定读取的所述目标数据发生错误时，根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第一对角线元素，确定所述目标数据中的出错位置；根据所述目标数据关联的对角线元素和所述目标数据内积矩阵、类内积矩阵的第二对角线元素，计算所述出错位置对应的错误偏差量，根据所述错误偏差量对所述目标数据中所述出错位置处的错误数据进行纠正。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，判断读取的所述目标数据是否发生错误的步骤，包括：判断所述目标数据内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素是否分别与所述原始数据内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素一致；或者判断所述目标数据类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素是否分别与所述原始数据类内积矩阵的第一对角线元素、第二对角线元素一致。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述目标数据中的出错位置的步骤，包括：将所述目标数据内积矩阵的第一对角线元素与所述原始数据内积矩阵的第一对角线元素中元素值不同的位置，设置为所述出错位置的列坐标；将所述目标数据类内积矩阵的第一对角线元素与所述原始数据类内积矩阵的第一对角线元素中元素值不同的位置，设置为所述出错位置的行坐标。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从存储器中读取目标数据和所述目标数据关联的对角线元素的步骤之前，所述方法还包括：当接收到数据存储指令时，获取所述数据存储指令中的待存储数据，并计算所述待存储数据的内积矩阵、类内积矩阵；将所述待存储数据写入所述存储器中，同时将所述待存储数据内积矩阵的、类内积矩阵的第一对角线元素和第二对角线元素写入所述存储器中。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一对角线元素为主对角元素、所述第二对角线元素为主对角元素上...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵翠萍，李慧云，方嘉言，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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