【技术实现步骤摘要】
一种小型扁平压力传感器的制作方法
本专利技术涉及一种压力传感器的制作技术,尤其是可以保证测量不影响被测流场,保证测试数据的准确性的一种小型扁平压力传感器的制作方法。
技术介绍
目前现有的压力传感器主要采用螺纹接口安装,需要安装的空间大,但是在空气动力学研究中,需要对风洞试验模型表面压力场分布进行测试;还有一种是微型探针型传感器,这种传感器要求安装的纵向深度较大,但有些模型很薄,无法用打孔安装微型探针传感器的应用工况。有一种扁平式传感器芯片部分采用硅衬底,中间为静电封接玻璃层,最上层为玻璃或陶瓷封装层。这种封装形式存在的问题与本专利技术相比是三层结构,多了中间的玻璃层,无法保证传感器做得很薄,同时上层的玻璃或陶瓷与中间层的玻璃气密性封装存在着较大的技术难度,不易实现封装。因此在要求压力传感器很小很薄,需要将极薄的压力传感器直接贴装或挖浅坑埋下齐平贴装在模型表面的情况下,现有技术无法满足使用要求。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本专利技术专利提供一种小型扁平压力传感器的制作方法,可以保证测量不影响被测流场,保证测试数据的准确性。在小型扁平压力传感器的芯片结构中包含敏 ...
【技术保护点】
1.一种小型扁平压力传感器的制作方法,压力敏感芯片的敏感电阻面与带有硅导电柱的玻璃直接静电键合,芯片部分只有两层材料,可以做得很薄,封装衬底采用玻璃基座,将封接好的芯体倒装焊在玻璃基座上。
【技术特征摘要】
1.一种小型扁平压力传感器的制作方法,压力敏感芯片的敏感电阻面与带有硅导电柱的玻璃直接静电键合,芯片部分只有两层材料,可以做得很薄,封装衬底采用玻璃基座,将封接好的芯体倒装焊在玻璃基座上。2.根据权利要求1所述的一种小型扁平压力传感器的制作方法,其特征是:敏感芯片采用SOI材料,压阻式原理感压,背面使用KOH腐蚀液加工成需要深度的敏感膜;正面在应力最大区域制作敏感电阻,敏感电阻刻蚀到SOI材料的氧化层处,电阻与电阻之间形成完全隔离,电阻的引出电极与上盖封接琉璃的导电硅柱位置相对应,引出电极周围形成密闭键合区域,使引出电极与真空密封腔形成隔离,在敏感膜的中部是绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:北京天创金农科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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