感测用基底和制造感测用基底的方法技术

公开了一种感测用基底，制造感测用基底的方法。感测用基底包括：支撑层；多个金属纳米微粒簇，布置在所述支撑层上；以及多个穿孔，布置在所述多个金属纳米微粒簇之间。所述多个金属纳米微粒簇各自包括以三维结构堆叠的多个金属纳米微粒。所述多个穿孔中的每一个中传送入射光。

Substrate for Sensing and Method of Making Substrate for Sensing

The invention discloses a sensing substrate and a method for manufacturing a sensing substrate. The sensing substrate includes a support layer, a plurality of metal nanoparticle clusters arranged on the support layer, and a plurality of perforations arranged between the plurality of metal nanoparticle clusters. The plurality of metal nanoparticle clusters each include a plurality of metal nanoparticles stacked in a three-dimensional structure. The incident light is transmitted in each of the plurality of perforations.

【技术实现步骤摘要】
感测用基底和制造感测用基底的方法相关专利申请的交叉引用本申请要求于2017年5月25日在美国专利和商标局提交的美国临时申请No.62/510,917的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
根据示例实施例的装置和方法涉及一种感测用基底、制造基底的方法以及包括基底的分析装置，更具体地涉及一种表面增强拉曼散射(SERS)基底、一种制造高度均匀的大面积SERS基底的方法以及包括SERS基底的生物信息分析装置。
技术介绍
拉曼光谱可以用于通过测量由于受到入射到对象的光的激发而在对象内部发生的非弹性散射来分析各种材料的组分。当光入射到待测样本时，可以检测并测量波长与入射光波长不同的非弹性散射光。入射光与散射光之间的最终波长位移被称为拉曼位移，该位移指示对象的分子振动或旋转能量状态。由于已知拉曼散射光的强度直接对应于目标分子的浓度，所以拉曼光谱对分子分析非常有用。特别地，由于发现了表面增强拉曼散射(SERS)现象(由经粗糙表面处理的金属基底吸附的分子的拉曼信号显著增强)，传统拉曼光谱中由非常小的拉曼散射光信号强度造成的检测灵敏度较低这一缺点得以改善。为了澄清SERS的原理，已经进行了许多研究。例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感测用基底，包括：支撑层；多个金属纳米微粒簇，布置在所述支撑层上，所述多个金属纳米微粒簇中的每一个包括以三维结构堆叠的多个导电金属纳米微粒；以及多个穿孔，布置在所述多个金属纳米微粒簇之间，其中所述多个穿孔中的每一个中传送入射光。

【技术特征摘要】
2017.05.25 US 62/510,9171.一种感测用基底，包括：支撑层；多个金属纳米微粒簇，布置在所述支撑层上，所述多个金属纳米微粒簇中的每一个包括以三维结构堆叠的多个导电金属纳米微粒；以及多个穿孔，布置在所述多个金属纳米微粒簇之间，其中所述多个穿孔中的每一个中传送入射光。2.根据权利要求1所述的感测用基底，其中所述支撑层包括半导体晶片。3.根据权利要求1所述的感测用基底，其中所述金属纳米微粒包括选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)和铝(Al)的至少一种导电金属。4.根据权利要求1所述的感测用基底，其中所述多个金属纳米微粒簇中的每一个从所述支撑层的表面竖直地延伸。5.根据权利要求4所述的感测用基底，其中所述多个金属纳米微粒簇中的每一个的厚度为50nm至1μm。6.根据权利要求1所述的感测用基底，其中所述多个穿孔中的每一个延伸到所述支撑层的表面，使得所述多个穿孔中的每一个将入射光传送到所述支撑层的表面。7.根据权利要求1所述的感测用基底，其中所述多个金属纳米微粒的平均直径为10nm至20nm。8.根据权利要求1所述的感测用基底，其中所述多个金属纳米微粒簇中的相邻金属纳米微粒簇之间的平均间距为8nm至20nm。9.一种分析装置，包括根据权利要求1至8中任一项所述的感测用基底。10.一种制造感测用基底的方法，所述方法包括：在支撑层上形成多个纳米线；形成各自包括以三维结构堆叠的多个导电金属纳米微粒的多个金属纳米微粒簇，其中所述形成多个金属纳米微粒簇包括将多个导电金属纳米微粒沉积在所述多个纳米线的表面上；以及通过至少部分地去除所述多个纳米线，在所述多个金属纳米微粒簇之间形成多个穿孔。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述支撑层包括半导体晶片。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个纳米线由硅(Si)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)或氧化锌(ZnO)形成。13.根据权利要求10所述的方法，其中所述形成所述多个纳米线包括：在所述支撑层上涂覆纳米线材料的种子层；将所述支撑层置于包含所述纳米线材料的前驱的溶液中；从所述溶液中去除所述支撑层；以及热处理所述支撑层。14.根据权利要求10所述的方法，其中沉积所述多个导电金属纳米微粒包括：液相沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁大钟，赵显俊，尹永竣，朱爀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，加利福尼亚州技术学院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR