一种FU自保护直流偏磁接地装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种FU自保护直流偏磁接地装置，包括隔离开关G1、保护型熔丝FU、放电阻尼器RL、电容器C、高速涡流开关K0和可控硅SCR；所述隔离开关G1的进线端与变压器的中性点连接，隔离开关G1的出线端与保护型熔丝FU的进线端相连接，保护型熔丝FU的出线端分别与高速涡流开关K0的进线端、放电阻尼器RL的进线端相联，放电阻尼器RL的出线端与电容器C的进线端相联，高速涡流开关K0的出线端与电容器C的出线端共地，可控硅SCR并联在高速涡流开关K0的两端。本实用新型专利技术具有安全性较高、隔直效率较高、运行稳定可靠、使用寿命长等优点，且对电力系统影响很小，可保证变压器中性点为小阻抗接地。

A FU self-protection DC bias grounding device

The utility model relates to a FU self-protection DC bias grounding device, which comprises a disconnector G1, a protective fuse FU, a discharge damper RL, a capacitor C, a high-speed eddy current switch K0 and a silicon controlled SCR; the incoming end of the disconnector G1 is connected with the neutral point of the transformer; and the outgoing end of the disconnector G1 is connected with the incoming line of the protective fuse FU. The outlet of the protective fuse FU is connected with the inlet end of the high-speed eddy current switch K0 and the inlet end of the discharge damper RL respectively. The outlet end of the discharge damper RL is connected with the inlet end of the capacitor C. The outlet end of the high-speed eddy current switch K0 is connected with the outlet end of the capacitor C, and the SCR is connected in parallel with the outlet end of the high-speed eddy current switch K0. Both ends. The utility model has the advantages of high safety, high isolation efficiency, stable and reliable operation and long service life, and has little influence on the power system, and can ensure that the neutral point of transformer is grounded with small impedance.

【技术实现步骤摘要】
一种FU自保护直流偏磁接地装置
本技术涉及电网变压器中性点
，尤其是一种FU自保护直流偏磁接地装置。
技术介绍
随着高压及特高压直流输电技术在我国的发展，投入运行的直流工程日益增多。当直流输电系统采用单极大地回线运行方式时，电流经接地极注入大地，在极址土壤中形成一个恒定的直流电流场，分布在直流接极地附近的交流变电站和发电厂处于不同的直流电势点上，各站内主接线地网之间存在直流电势差。如果两站之间有交流线路相联，且两站主变压器中性点直接接地，则两站内主接地网之间将通过主变压器中性点、站内设备连线、站间交流线路、地电阻等形成直流回路，导致直流电流流过主变压器，经中性点或经主变压器中性点流入变压器。当变压器发生直流偏磁时，变压器的励磁电流和谐波将急剧增加，铁心饱和，温升、噪声和振动增大，并产生高次谐波，危害变压器和电力系统的稳定运行。目前市场使用的直流偏磁隔离装置都是通过开关进行直接短接电容器，这种直流偏磁隔离装置对电容器的伤害较大，减小电容器的正常使用寿命，影响直流偏磁隔离装置的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种当变压器中性点的直流电流超过设定值时，系统立即接入本装置，从而抑制直流电流流入主变压器中性点的FU自保护直流偏磁接地装置。为实现上述目的，本技术采用了以下技术方案：一种FU自保护直流偏磁接地装置，包括用于检修时形成明显电气断口的隔离开关G1、用于短路时限制电容器C投入运行时间的保护型熔丝FU、用于限制电容器C放电电流强度的放电阻尼器RL、电容器C、高速涡流开关K0和用于短路时快速短接电容器C的可控硅SCR；所述隔离开关G1的进线端与变压器的中性点连接，隔离开关G1的出线端与保护型熔丝FU的进线端相连接，保护型熔丝FU的出线端分别与高速涡流开关K0的进线端、放电阻尼器RL的进线端相联，放电阻尼器RL的出线端与电容器C的进线端相联，高速涡流开关K0的出线端与电容器C的出线端共地，可控硅SCR并联在高速涡流开关K0的两端。所述隔离开关G1与安装在配电柜中的操作机构相连接，通过人工控制隔离开关G1的开断。所述放电阻尼器RL由电感L和电阻R并联组成。所述高速涡流开关K0为真空灭弧断路器，高速涡流开关K0通过安装在配电柜中的控制器控制其开断。所述可控硅SCR为由两组快速可控硅反并联组成，通过安装在配电柜中的控制器控制其开断。由上述技术方案可知，本技术的有益效果为：本技术具有安全性较高、隔直效率较高、运行稳定可靠、使用寿命长等优点，且对电力系统影响很小，可保证变压器中性点为小阻抗接地。附图说明图1为本技术的电气原理图。具体实施方式如图1所示，一种FU自保护直流偏磁接地装置，包括用于检修时形成明显电气断口的隔离开关G1、用于短路时限制电容器C投入运行时间并有效防止电容器C因过流而损坏的保护型熔丝FU、用于限制电容器C放电电流强度的放电阻尼器RL、电容器C、高速涡流开关K0和用于短路时快速短接电容器C的可控硅SCR；所述隔离开关G1的进线端与变压器的中性点连接，隔离开关G1的出线端与保护型熔丝FU的进线端相连接，保护型熔丝FU的出线端分别与高速涡流开关K0的进线端、放电阻尼器RL的进线端相联，放电阻尼器RL的出线端与电容器C的进线端相联，高速涡流开关K0的出线端与电容器C的出线端共地，可控硅SCR并联在高速涡流开关K0的两端。如图1所示，所述隔离开关G1与安装在配电柜中的操作机构相连接，通过人工控制隔离开关G1的开断。所述放电阻尼器RL由电感L和电阻R并联组成。所述高速涡流开关K0为真空灭弧断路器，高速涡流开关K0通过安装在配电柜中的控制器控制其开断。所述可控硅SCR为由两组快速可控硅反并联组成，通过安装在配电柜中的控制器控制其开断。本技术的工作原理如下：当变压器中性点直流电流超过设定值时，配电柜中控制器立即向高速涡流开关K0发出分闸命令，高速涡流开关K0立即分闸，将电容器C串联到回路中，电容器C起到抑制直流电流流入主变压器中性点的作用；当装置处于工作状态下，线路发生故障时，变压器中性点交流电流超过设定值时，控制器立即向可高速涡流开关K0、可控硅SCR发出合闸指令，可控硅SCR在200us内将电容器C短接，高速涡流开关K0在2ms内将电容器C短接，当高速涡流开关K0合闸后，由高速涡流开关K0继续短接电容器C，实现电容器C的双重保护；通过可控硅SCR与高速涡流开关K0的双重保护，能有效防止电容器C由于过压而损坏；当电容器C被保护后，放电阻尼器RL用于限制对电容器C的放电冲击电流，防止电容器C由于过流而损坏；当电容器C被短接后，变压器中性点立即转为直接接地状态，以抑制电容器C上的暂态电压，在故障排除后电容器C重新投入运行。综上所述，本技术具有安全性较高、隔直效率较高、运行稳定可靠、使用寿命长等优点，且对电力系统影响很小，可保证变压器中性点为小阻抗接地。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种FU自保护直流偏磁接地装置，其特征在于：包括用于检修时形成明显电气断口的隔离开关G1、用于短路时限制电容器C投入运行时间的保护型熔丝FU、用于限制电容器C放电电流强度的放电阻尼器RL、电容器C、高速涡流开关K0和用于短路时快速短接电容器C的可控硅SCR；所述隔离开关G1的进线端与变压器的中性点连接，隔离开关G1的出线端与保护型熔丝FU的进线端相连接，保护型熔丝FU的出线端分别与高速涡流开关K0的进线端、放电阻尼器RL的进线端相联，放电阻尼器RL的出线端与电容器C的进线端相联，高速涡流开关K0的出线端与电容器C的出线端共地，可控硅SCR并联在高速涡流开关K0的两端。

【技术特征摘要】
1.一种FU自保护直流偏磁接地装置，其特征在于：包括用于检修时形成明显电气断口的隔离开关G1、用于短路时限制电容器C投入运行时间的保护型熔丝FU、用于限制电容器C放电电流强度的放电阻尼器RL、电容器C、高速涡流开关K0和用于短路时快速短接电容器C的可控硅SCR；所述隔离开关G1的进线端与变压器的中性点连接，隔离开关G1的出线端与保护型熔丝FU的进线端相连接，保护型熔丝FU的出线端分别与高速涡流开关K0的进线端、放电阻尼器RL的进线端相联，放电阻尼器RL的出线端与电容器C的进线端相联，高速涡流开关K0的出线端与电容器C的出线端共地，可控硅SCR并联在高速涡流开关K0的两端...

【专利技术属性】
技术研发人员：王炎，张国勇，茅东，虞江华，宋安超，
申请(专利权)人：安徽伊格瑞德电气设备有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34