一种基于新型连接层的叠层光电探测器制造技术

技术编号:19620551 阅读:53 留言:0更新日期:2018-12-01 05:02
本实用新型专利技术属于光电探测技术领域,具体为一种基于新型连接层的叠层光电探测器,包括前探测器、连接层和后探测器,其特征在于:所述的连接层层叠于前探测器之上,所述的后探测器层叠于连接层之上,所述的连接层为四层结构,包括第一连接层,第二连接层,第三连接层和第四连接层,所述的第二连接层层叠于第一连接层之上,所述的第三连接层层叠于第二连接层之上,所述的第四连接层层叠于第三连接层之上。

A New Type of Laminated Photodetector Based on Connecting Layer

The utility model belongs to the field of photoelectric detection technology, in particular to a stacked photoelectric detector based on a new connecting layer, including a front detector, a connecting layer and a rear detector. The utility model is characterized in that the connecting layer is stacked on the front detector, the rear detector is stacked on the connecting layer, and the connecting layer is four. The layer structure includes the first connecting layer, the second connecting layer, the third connecting layer and the fourth connecting layer. The second connecting layer is superimposed on the first connecting layer, the third connecting layer is superimposed on the second connecting layer, and the fourth connecting layer is superimposed on the third connecting layer.

【技术实现步骤摘要】
一种基于新型连接层的叠层光电探测器
本技术属于光电探测
,具体为一种基于新型连接层的叠层光电探测器。
技术介绍
光探测器在国民经济和军事领域具有重要的应用。光电探测可分为光电流探测和光电压的探测。有机光电探测具有柔性成本低易于制成大面积器件等诸多优点。有机光电压探测器的研究目前还比较少,提高有机光电压探测器的光电压响应度是促使有机光电压探测器产业化的必由之路,但是目前的有机光电压探测器的光电压响应度还不是非常理想,串联叠层器件的电压是子器件的电压之和,因此可以利用叠层结构提高有机光电压探测器的光电压响应度。但是,叠层器件的连接层对于叠层器件的性能具有至关重要的影响。所以,提供一种高电压响应度的基于新型连接层的叠层光电探测器成为我们要解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于新型连接层的叠层光电探测器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种基于新型连接层的叠层光电探测器,包括前探测器、连接层和后探测器,其特征在于:所述的连接层层叠于前探测器之上,所述的后探测器层叠于连接层之上,所述的连接层为四层结构,包括第一连接层,第二连接层,第三连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于新型连接层的叠层光电探测器,包括前探测器、连接层和后探测器,其特征在于:所述的连接层层叠于前探测器之上,所述的后探测器层叠于连接层之上,所述的连接层为四层结构,包括第一连接层,第二连接层,第三连接层和第四连接层,所述的第二连接层层叠于第一连接层之上,所述的第三连接层层叠于第二连接层之上,所述的第四连接层层叠于第三连接层之上;所述的第一连接层为MoO3,第一连接层的厚度为1 nm,所述的第二连接层为CuPc,第二连接层的厚度为2 nm,所述的第三连接层为C60,第三连接层的厚度为3 nm,所述的第四连接层为Ag,第四连接层的厚度为0.25 nm;所述的前探测器包括依次层叠的基底、第一...

【技术特征摘要】
1.一种基于新型连接层的叠层光电探测器,包括前探测器、连接层和后探测器,其特征在于:所述的连接层层叠于前探测器之上,所述的后探测器层叠于连接层之上,所述的连接层为四层结构,包括第一连接层,第二连接层,第三连接层和第四连接层,所述的第二连接层层叠于第一连接层之上,所述的第三连接层层叠于第二连接层之上,所述的第四连接层层叠于第三连接层之上;所述的第一连接层为MoO3,第一连接层的厚度为1nm,所述的第二连接层为CuPc,第二连接层的厚度为2nm,所述的第三连接层为C60,第三连接层的厚度为3nm,所述的第四连接层为Ag,第四连接层的厚度为0.25nm;所述的前探测器包括依次层叠的基底、第一阳极修饰层、第一光吸收层和第一阴极修饰层,所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员:晋小琴
申请(专利权)人:长泰县华晟光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建,35

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