双光束超分辨光存储材料读写装置和读写方法制造方法及图纸

一种双光束超分辨光存储材料读写装置包括光路和计算机，所述的光路由记录光路、读出光路和荧光收集光路组成，以及读写方法。本发明专利技术采用脉冲光诱导‑连续光抑制的淬灭记录方式，可以快速读取信息，在超分辨光存储领域第一次同时解决材料记录和读取的问题，可以克服光致变色材料在超分辨记录时的擦除效应，可以获得更小的记录光斑和提高光盘的存储密度。

【技术实现步骤摘要】
双光束超分辨光存储材料读写装置和读写方法
本专利技术属于光存储
，特别是一种具有光致变色特性材料的双光束超分辨光存储材料读写装置和读写方法。
技术介绍
传统的存储技术，受限于材料本身的物理极限和技术限制，所读写的光斑尺寸大小多在衍射极限附近，存储密度无法进一步提高，另外，现有光存储技术所用于刻录的光波长大多在紫外范围，而这种波长的光源成本较高，并且也无法得到衍射极限之下的光斑。光盘存储的存储量受到很大的限制。双光束超分辨光存储技术可以有效提高记录密度，因为其外围空心涡旋光的光抑制作用可以有效减少中心高斯光对材料的光诱导作用，进而增加记录点的分辨率。但是所采用的光致变色材料由于本身的两种状态的可逆转换，在超分辨记录中，由于亮态和暗态的分子级可逆转换，在记录第二个点的同时，外围抑制光会将第一个点的信息擦除，如图2所示。所以除了可逆的光诱导-光抑制转化之外，还需要将亮态信息淬灭，实现信息的永久存储。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种具有光致变色特性材料的双光束超分辨光存储材料读写装置和读写方法，该装置和方法解决了光致变色材料记录过程的擦除效应，提高了记录分辨率，在超分辨光存储和光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双光束超分辨光存储材料读写装置，其特征在于包括光路和计算机(33)，所述光路由记录光路、读出光路和荧光收集光路组成：所述的记录光路包括脉冲激光器(1)，该脉冲激光器(1)输出的激光经所述的第一光纤耦合器(2)、倍频晶体(3)输出倍频脉冲光，该倍频脉冲光经过第一反射镜(4)、第一声光调制器(5)、第一扩束透镜组(6)后作为中心诱导光；第一连续激光器(7)输出的激光通过第二光纤耦合器(8)、第二声光调制器(9)、第二扩束透镜组(10)、第一涡旋相位片(11)、第二反射镜(12)、第一偏振分光棱镜(13)、第一1/4波片(14)后作为第一外围抑制光，该第一外围抑制光通过第一二相色镜(15)与...

【技术特征摘要】
1.一种双光束超分辨光存储材料读写装置，其特征在于包括光路和计算机(33)，所述光路由记录光路、读出光路和荧光收集光路组成：所述的记录光路包括脉冲激光器(1)，该脉冲激光器(1)输出的激光经所述的第一光纤耦合器(2)、倍频晶体(3)输出倍频脉冲光，该倍频脉冲光经过第一反射镜(4)、第一声光调制器(5)、第一扩束透镜组(6)后作为中心诱导光；第一连续激光器(7)输出的激光通过第二光纤耦合器(8)、第二声光调制器(9)、第二扩束透镜组(10)、第一涡旋相位片(11)、第二反射镜(12)、第一偏振分光棱镜(13)、第一1/4波片(14)后作为第一外围抑制光，该第一外围抑制光通过第一二相色镜(15)与所述的中心诱导光合束形成记录光束，该记录光束经第二二向色镜(24)、第三二向色镜(25)、1/2波片(26)、第三1/4波片(27)和物镜(28)后照射位于纳米位移台(29)上的光存储材料薄膜,该光存储材料薄膜为光致变色材料薄膜，以下简称为样品；所述的读出光路包括脉冲激光器(1)，该脉冲激光器(1)输出的激光经所述的第一光纤耦合器(2)、倍频晶体(3)输出倍频脉冲光，该倍频脉冲光经第一反射镜(4)、第一声光调制器(5)、第一扩束透镜组(6)后作为中心读出光；第二连续激光器(16)输出的激光经第三光纤耦合器(17)、第三声光调制器(18)、第三扩束透镜组(19)、第二涡旋相位片(20)、第三反射镜(21)、第二偏振分光棱镜(22)、第二1/4波片(23)后作为第二外围抑制光，该第二外围抑制光经第二二相色镜(24)与所述的中心读出光合束形成读出光束，该读出光束经第三二相色镜(25)、1/2波片(26)、第三1/4波片(27)和物镜(28)后照射位于纳米位移台(29)上的样品；荧光收集光路为：纳米位移台(29)上的材料薄膜产生的荧光通过物镜(28)、第三1/4波片(27)、1/2波片(26)、第三二向色镜(25)、聚焦透镜(30)、光纤(31)，输入单光子计数器(32)；所述的第一扩束透镜组(6)、第二扩束透镜组(10)、第三扩束透镜组(19)由一对正负透镜组成对光束进行扩束；所述的计算机(33)与所述的纳米位移台(32)、第一声光调制器(5)、第二声光调制器(9)、第三声光调制器(18)、第一涡旋相位片(11)、第二涡旋相位片(20)的控制端相连，所述的单光子计数器(32)的输出端与所述的计算机(33)的输入端相连。2.根据权利要求1所述的双光束超分辨光存储材料薄膜读写装置，其特征在于所述的光致变色材料薄膜，包括二芳基乙烯衍生物薄膜、俘精酸酐衍生物薄膜、偶氮类衍生物薄膜或螺吡喃材料薄膜。3.利用权利要求1所述的双光束超分辨光存储材料读写装置的读写方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铁诚，阮昊，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31