偏置启动电路、集成高压电路及集成低压电路制造技术

一种偏置启动电路、集成高压电路及集成低压电路，所述偏置启动电路包括：相互耦接的启动电路以及偏置信号产生电路，其中：所述启动电路，用于向所述偏置信号产生电路输出控制信号，以控制所述偏置信号产生电路启动；所述启动电路包括启动电路单元，所述启动电路单元包括：第一电阻、第一电容和第一NMOS管；所述偏置信号产生电路，用于在接收到所述控制信号时，生成并输出偏置信号，并将所述偏置信号作为反馈信号反馈至所述启动电路以关闭所述启动电路。应用上述偏置启动电路，一方面可以有效降低启动电路的稳态电流，从而节省功耗；另一方面可以降低启动电路的器件面积，从而有效降低成本。

【技术实现步骤摘要】
偏置启动电路、集成高压电路及集成低压电路
本专利技术涉及芯片电路领域，尤其涉及一种偏置启动电路、集成高压电路及集成低压电路。
技术介绍
随着电动汽车、电动自行车等应用的飞速发展，集成高压电路的应用变得越来越广泛。在模拟集成高压电路中，偏置电路为芯片内部的其他电路提供偏置电压与偏置电流，其可靠性是非常重要的。在实际应用中，需要严格设计偏置启动电路，以保证偏置启动电路正常启动。现有的偏置启动电路的启动电流较大，功耗较高，而且面积也比较大，导致偏置启动电路的成本较高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是如何降低偏置启动电路的启动电流和减少电路面积。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种偏置启动电路，所述偏置启动电路包括：相互耦接的启动电路以及偏置信号产生电路，其中：所述启动电路，用于向所述偏置信号产生电路输出控制信号，以控制所述偏置信号产生电路启动；所述启动电路包括启动电路单元，所述启动电路单元包括：第一电阻、第一电容和第一NMOS管，其中：所述第一电容，所述第一电容的第一端口与所述第一NMOS管的漏极耦接，所述第一电容的第二端口与所述第一NMOS管的栅极、所述第一电阻的第一端口耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏置启动电路，其特征在于，包括：相互耦接的启动电路以及偏置信号产生电路，其中：所述启动电路，用于向所述偏置信号产生电路输出控制信号，以控制所述偏置信号产生电路启动；所述启动电路包括启动电路单元，所述启动电路单元包括：第一电阻、第一电容和第一NMOS管，其中：所述第一电容，所述第一电容的第一端口与所述第一NMOS管的漏极耦接，所述第一电容的第二端口与所述第一NMOS管的栅极、所述第一电阻的第一端口耦接；所述第一电容的第一端口为所述启动电路单元的第一端口；所述第一电阻，所述第一电阻的第二端口与所述第一NMOS管的源极、所述第一NMOS管的衬底耦接；所述第一电阻的第二端口为所述启动电路单元的...

【技术特征摘要】
1.一种偏置启动电路，其特征在于，包括：相互耦接的启动电路以及偏置信号产生电路，其中：所述启动电路，用于向所述偏置信号产生电路输出控制信号，以控制所述偏置信号产生电路启动；所述启动电路包括启动电路单元，所述启动电路单元包括：第一电阻、第一电容和第一NMOS管，其中：所述第一电容，所述第一电容的第一端口与所述第一NMOS管的漏极耦接，所述第一电容的第二端口与所述第一NMOS管的栅极、所述第一电阻的第一端口耦接；所述第一电容的第一端口为所述启动电路单元的第一端口；所述第一电阻，所述第一电阻的第二端口与所述第一NMOS管的源极、所述第一NMOS管的衬底耦接；所述第一电阻的第二端口为所述启动电路单元的第二端口；所述偏置信号产生电路，用于在接收到所述控制信号时，生成并输出偏置信号，并将所述偏置信号作为反馈信号反馈至所述启动电路以关闭所述启动电路。2.根据权利要求1所述的偏置启动电路，其特征在于，所述启动电路还包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一稳压二极管、第二稳压二极管和第三稳压二极管，其中：所述第三电阻，所述第三电阻的第一端口与所述第一稳压二极管的第一端口、所述第二稳压二极管的第一端口、所述偏置信号产生电路的电源，均相互耦接至电源电压，所述第三电阻的第二端口与所述启动电路单元的第一端口耦接；所述启动电路单元的第二端口与所述第三NMOS管的漏极、所述第三稳压二极管的第一端口、所述第四NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的栅极均相互耦接；所述第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述第三NMOS管的衬底、所述第四NMOS管的衬底、所述第五NMOS管的衬底、所述第三稳压二极管的第二端口、所述第四电阻的第二端口、所述第五电阻的第二端口、所述偏置信号产生电路的地，均相互耦接至地，所述第三NMOS管的栅极与所述偏置信号产生电路的第一输出端耦接；所述第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极与所述第四电阻的第一端口耦接，所述第四NMOS管的漏极与所述第一稳压二极管的第二端口、所述偏置信号产生电路的第二输出端均相互耦接；所述第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与所述第五电阻的第一端口耦接，所述第五NMOS管的漏极与所述第二稳压二极管的第二端口、所述偏置信号产生电路的第三输出端均相互耦接。3.根据权利要求2所述的偏置启动电路，其特征在于，所述启动电路还包括：串联在所述第四NMOS管的源极和所述第四电阻的第一端口之间的一个或者多个NMOS管；串联在所述第五NMOS管的源极和所述第五电阻的第一端口之间的一个或者多个NMOS管。4.根据权利要求3所述的偏置启动电路，其特征在于，所述串联在所述第四NMOS管的源极和所述第四电阻的第一端口之间的多个NMOS管分别为：第十二NMOS管、第十四NMOS管、第十六NMOS管；所述串联在所述第五NMOS管的源极和所述第五电阻的第一端口之间的多个NMOS管分别为：第十三NMOS管、第十五NMOS管、第十七NMOS管；其中：所述第十二NMOS管，所述第十二NMOS管的栅极与所述第十二NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的源极均相互耦接，所述第十二NMOS管的源极与所述第十四NMOS管的栅极、所述第十四NMOS管的漏极均相互耦接，所述第十二NMOS管的衬底与所述第十三NMOS管的衬底、所述第十四NMOS管的衬底、所述第十五NMOS管的衬底、所述第十六NMOS管的衬底、所述第十七NMOS管的衬底、所述第四NMOS管的衬底、所述第五NMOS管的衬底、所述第三稳压二极管的第二端口、所述第四电阻的第二端口、所述第五电阻的第二端口、所述偏置信号产生电路的地，均相互耦接至地；所述第十四NMOS管，所述第十四NMOS管的源极与所述第十六NMOS管的栅极、所述第十六NMOS管的漏极均相互耦接；所述第十六NMOS管，所述第十六NMOS管的源极与所述第四电阻的第一端口耦接；所述第十三NMOS管，所述第十三NMOS管的栅极与所述第十三NMOS管的漏极、所述第五NMOS管的源极均相互耦接，所述第十三NMOS管的源极与所述第十五NMOS管的栅极、所述第十五NMOS管的漏极均相互耦接；所述第十五NMOS管，所述第十五NMOS管的源极与所述第十七NMOS管的栅极、所述第十七NMOS管的漏极均相互耦接；所述第十七NMOS管，所述第十七NMOS管的源极与所述第五电阻的第一端口耦接。5.根据权利要求1所述的偏置启动电路，其特征在于，所述启动电路还包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第四NMOS管、第五NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第十七NMOS管、第一稳压二极管、第二稳压二极管和第三稳压二极管，其中：所述第三电阻，所述第三电阻的第一端口与所述第一稳压二极管的第一端口、所述第二稳压二极管的第一端口、所述偏置信号产生电路的电源，均相互耦接至电源电压，所述第三电阻的第二端口与所述启动电路单元的第一端口耦接；所述启动电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇江，袁俊，陈光胜，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31