硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法技术

本发明专利技术公开了硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，解决了现有的太赫兹波调控技术存在插入损耗大、调制深度较窄、响应速度较慢和单元串扰大的问题，其技术方案要点是：包括以下步骤：通过光泵浦技术，使硅层产生光生载流子；将所述光生载流子扩散到石墨烯层，使所述硅层与所述石墨烯层之间界面处形成耗尽层；将所述石墨烯层的费米能级升高进入导带；在所述石墨烯层与所述硅层衬底之间施加反向偏压，使所述耗尽层展宽，具有使太赫兹波调控的调制深度增大、响应速度加快、插入损耗降低和单元串扰降低的效果。

【技术实现步骤摘要】
硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法
本专利技术涉及太赫兹波调控
，更具体地说，它涉及硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法。
技术介绍
太赫兹波是指频率为0.1～10THz的电磁波，该波段包含丰富的光谱信息，如蛋白质在内的大分子转动/振荡频谱、固体材料晶格振动能谱等。与微波和光波相比，太赫兹波具有能量低、穿透力强、安全性高、光谱信息丰富等特性，在无损检测、安检、医学成像和通信等领域具有重要的应用前景。现有的太赫兹波调控技术，一般为电压调控技术、全光调控技术和温度调控技术。电压调控方式利用人工微结构的谐振增强特性提高透射率，但其调制带宽明显较窄，电极本身存在大量自由电子，对太赫兹波有较强的吸收效果，通常调制器的插入损耗较大。太赫兹全光调控器件均是较大面积的单元器件，如要制作阵列，需采用可见光空间光调制器提供特殊光场模板，将大大增加系统复杂度。温控太赫兹调制器有实现较大的调制深度的潜力，但是其插入损耗大、调制速率慢、单元串扰大以及功耗很大。综上，现有的太赫兹波调控技术存在插入损耗大、调制深度较窄、响应速度较慢和单元串扰大的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供硅基石墨烯的光泵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：包括以下步骤：S1：通过光泵浦技术，使硅层(3)产生光生载流子；S2：将所述光生载流子扩散到石墨烯层(1)，使所述硅层(3)与所述石墨烯层(1)之间界面处形成耗尽层(2)；S3：将所述石墨烯层(1)的费米能级升高进入导带；S4：在所述石墨烯层(1)与所述硅层(3)衬底之间施加反向偏压，使所述耗尽层(2)展宽。

【技术特征摘要】
1.硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：包括以下步骤：S1：通过光泵浦技术，使硅层(3)产生光生载流子；S2：将所述光生载流子扩散到石墨烯层(1)，使所述硅层(3)与所述石墨烯层(1)之间界面处形成耗尽层(2)；S3：将所述石墨烯层(1)的费米能级升高进入导带；S4：在所述石墨烯层(1)与所述硅层(3)衬底之间施加反向偏压，使所述耗尽层(2)展宽。2.根据权利要求1所述的硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：所述硅层(3)为N型高阻硅，...

【专利技术属性】
技术研发人员：温中泉，陈刚，张智海，梁高峰，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：重庆,50