芳基胺衍生物及其用途制造技术

由式(1)表示的芳基胺衍生物显示出在有机溶剂中的良好的溶解性，同时给予具有耐溶剂性的薄膜，而且在作为空穴传输层应用的情况下给予显示良好的特性的有机EL元件。

Aryl Amine Derivatives and Their Applications

The arylamine derivatives represented by Formula (1) show good solubility in organic solvents, while giving solvent-resistant films and organic EL elements with good properties when used as hole transport layers.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芳基胺衍生物及其用途
本专利技术涉及芳基胺衍生物及其用途。
技术介绍
在有机电致发光(以下称为有机EL)元件中，作为发光层、电荷注入层，使用包含有机化合物的电荷传输性薄膜。特别地，空穴注入层承担阳极与空穴传输层或发光层的电荷的授受，为了实现有机EL元件的低电压驱动和高亮度而发挥重要的功能。空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代表的湿法，将这些各方法进行比较，湿法能够大面积地高效率地制造平坦性高的薄膜。因此，在有机EL显示器的大面积化不断发展的现今，希望可采用湿法形成的空穴注入层。鉴于这样的实际情况，本专利技术人已开发出可适用于各种湿法、同时给予在应用于有机EL元件的空穴注入层的情况下能够实现优异的EL元件特性的薄膜的电荷传输性材料、用于其的对于有机溶剂的溶解性良好的化合物(例如参照专利文献1～4)。但是，近年来，不仅是空穴传输层、空穴注入层，发光层等也要求用湿法制作，此时，对于成为基底的空穴传输层、空穴注入/传输层要求发光层形成用组合物中使用的溶剂的耐性，对于上述专利文献1～4的材料，在这方面有改进的余地。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开2008/032616号专利文献2：国际公开2008/129947号专利文献3：国际公开2006/025342号专利文献4：国际公开2010/058777号
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供芳基胺衍生物，其显示出在有机溶剂中的良好的溶解性，并且给予具有耐溶剂性的薄膜，而且在作为空穴传输层应用的情况下给予显示良好的特性的有机EL元件。用于解决课题的手段本专利技术人为了实现上述目的反复认真研究，结果发现：具有含有交联基的芳基的规定的芳基胺衍生物具有在有机溶剂中的优异的溶解性，通过将使其在有机溶剂中溶解而制备的清漆加热，使上述芳基胺衍生物热交联，从而得到耐溶剂性优异的薄膜，以及在将该薄膜应用于有机EL元件的空穴传输层的情况下，得到显示良好的发光效率的元件，完成了本专利技术。即，本专利技术提供：1.芳基胺衍生物，其特征在于，由式(1)表示：[化1][式中，R相互独立地表示碳数1～5的含有氟原子的烷基，Ar1相互独立地表示在具有交联基的同时可被Z1取代的碳数6～20的芳基，Ar2相互独立地表示选自式(2)～(4)中的至少一个芳基，Z1表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数1～20的烷基。[化2](式中，Ar3表示氢原子或者可被Z2取代的碳数6～20的芳基，R1～R39相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、可被Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基、可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基、-NHY1、-NY2Y3、-OY4、或-SY5基，Y1～Y5各自独立地表示可被Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基、或者可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，Z2表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，Z3表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，Z4表示卤素原子、硝基、氰基或氨基。)]2.1的芳基胺衍生物，其中，上述R都为全氟烷基，R1～R39全部为氢原子，3.1或2的芳基胺衍生物，其中，上述交联基为乙烯基，4.1～3中任一项的芳基胺衍生物，其中，上述Ar1为4-乙烯基苯基，5.电荷传输性清漆，其包含：包含1～4中任一项的芳基胺衍生物的电荷传输性物质、和有机溶剂，6.电荷传输性薄膜，其由5的电荷传输性清漆制作，7.电荷传输性薄膜，其由5的电荷传输性清漆制作，其中具有由上述式(1)表示的芳基胺衍生物的交联基反应而成的交联结构，8.6或7的电荷传输性薄膜，其用于有机电致发光元件的空穴传输层，9.有机电致发光元件，其具备6或7的电荷传输性薄膜，10.有机电致发光元件，其具备阳极和阴极以及介于这些各极间的、包含空穴注入层、空穴传输层和发光层的多个功能层，上述空穴传输层由7的电荷传输性薄膜构成，11.有机电致发光元件的制造方法，其具有：在阳极上涂布空穴注入层形成用清漆、将其干燥而形成空穴注入层的工序；在该空穴注入层上涂布1～5中任一项的电荷传输性清漆、将其加热而使由上述式(1)表示的芳基胺衍生物具有的交联基热交联而形成空穴传输层的工序，12.11的有机电致发光元件的制造方法，其还包含：在上述空穴传输层上涂布发光层形成用组合物、将其干燥而形成发光层的工序，13.1的芳基胺衍生物的制造方法，其中，在催化剂存在下使由式(5)表示的二胺化合物与由式(6)或式(7)表示的芳基化合物反应，得到由式(8)或式(9)表示的化合物后，使这些由式(8)或式(9)表示的化合物与由上述式(7)或式(6)表示的芳基化合物反应。[化3](式中，R表示与上述相同的含义。)[化4]Ar1-X(6)Ar2-X(7)(式中，X表示卤素原子或拟卤素基团，Ar1和Ar2表示与上述相同的含义。)[化5](式中，R、Ar1和Ar2表示与上述相同的含义。)专利技术的效果本专利技术的芳基胺衍生物容易溶于有机溶剂，能够使其在有机溶剂中溶解而容易地制备电荷传输性清漆。由本专利技术的电荷传输性清漆制作的薄膜由于上述芳基胺衍生物中的交联基交联固化而显示高耐溶剂性，因此适于采用涂布法层叠其他功能层的涂布型器件的制作。特别地，通过将该薄膜应用于有机EL元件的空穴传输层，从而能够采用涂布法容易地形成发光层。另外，由本专利技术的电荷传输性清漆制作的薄膜由于显示高的电荷传输性，因此能够适合用作以有机EL元件为首的电子器件用薄膜。进而，本专利技术的电荷传输性清漆即使在使用了旋涂法、狭缝涂布法等可大面积地成膜的各种湿法的情况下也能够再现性良好地制造电荷传输性优异的薄膜，因此也能够充分地应对近年来的有机EL元件的领域中的进展。具体实施方式以下对本专利技术进一步详细地说明。本专利技术涉及的芳基胺衍生物由式(1)表示。[化6]式中，R相互独立地表示碳数1～5的含有氟原子的烷基，Ar1相互独立地表示在具有交联基的同时可被Z1取代的碳数6～20的芳基，Ar2相互独立地表示选自式(2)～(4)中的至少1个芳基，Z1表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数1～20的烷基。从合成的观点出发，优选Ar1彼此相同并且Ar2彼此相同，但并不限定于此。[化7]特别地，作为由式(2)～(4)表示的基团，从合成的容易性等观点出发，优选以下所示的基团，但并不限定于这些。[化8]式中，Ar3表示氢原子、或者可被Z2取代的碳数6～20的芳基，R1～R39相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、可被Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基、可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基、-NHY1、-NY2Y3、-OY4、或者-SY5基，Y1～Y5各自独立地表示可被Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基、或者可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，Z2表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.芳基胺衍生物，其特征在于，由式(1)表示：[化1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.24 JP 2016-060215;2016.06.22 JP 2016-123321.芳基胺衍生物，其特征在于，由式(1)表示：[化1]式中，R相互独立地表示碳数1～5的含有氟原子的烷基，Ar1相互独立地表示在具有交联基的同时可被Z1取代的碳数6～20的芳基，Ar2相互独立地表示选自式(2)～(4)中的至少一个芳基，Z1表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数1～20的烷基，[化2]式中，Ar3表示氢原子或者可被Z2取代的碳数6～20的芳基，R1～R39相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、可被Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基、可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基、-NHY1、-NY2Y3、-OY4、或-SY5基，Y1～Y5各自独立地表示可被Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基、或者可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，Z2表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，Z3表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、或者可被Z4取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，Z4表示卤素原子、硝基、氰基或氨基。2.根据权利要求1所述的芳基胺衍生物，其中，所述R都为全氟烷基，R1～R39全部为氢原子。3.根据权利要求1或2所述的芳基胺衍生物，其中，所述交联基为乙烯基。4.根据权利要求1～3中任一项所述的芳基胺衍生物，其中，所述Ar1为4-乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：大谷直树，寺井诚弥，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP