应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法技术

本发明专利技术提出的是一种应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，包括以下步骤：（1）通过流延工艺获得氧化铝生瓷带；（2）配制满足丝网印刷的WCu金属化浆料和W金属化浆料；（3）将WCu金属化浆料印制在氧化铝生瓷带表面；（4）采用相同的印刷图形，在WCu金属化图形表面印刷W金属化浆料；（5）采用层压叠片工艺实现多层氧化铝生瓷带结合得到金属化层；（6）通过生切和烧结获得单个熟瓷瓷件。优点：工艺过程简单，制备出的高温共烧基板表面金属化的方块电阻低至约5mΩ，同时兼具优良抗弯强度、可镀性及较好的经济性。

Preparation of High Conductivity Metallized Layer for High Temperature Co-fired Ceramics

The invention provides a preparation method for a high conductivity metallized layer applied to high temperature co-fired ceramics, including the following steps: (1) obtaining alumina raw ceramics strip by tape casting process; (2) preparing WCu metallized slurry and W metallized slurry for screen printing; (3) printing WCu metallized slurry on alumina raw ceramics. With the same printing pattern, (4) W metallized slurry is printed on the surface of WCu metallized pattern, (5) multi-layer alumina raw ceramics strip is bonded to obtain metallized layer by lamination technology, (6) single ripe ceramics are obtained by raw cutting and sintering. Advantages: The process is simple, the resistance of the metallized square on the surface of the prepared high temperature co-fired substrate is as low as about 5 megawatt, and it has excellent flexural strength, platability and good economy.

【技术实现步骤摘要】
应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法
本专利技术涉及的是一种应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，属于电子封装

技术介绍
超大功率固态微波器件封装的传输端引线电阻会带来插入损耗和管芯工作电压下降的问题，进而影响器件输出功率，特别是在超大功率固态微波器件中，这样的问题尤其明显。按照现有技术发展，未来3-5年内应用在X波段的射频功率管输出功率将能够达到5000W。通过计算发现，主流IK封装40mΩ的传输端口能够满足几十到上百瓦器件输出要求，但是超大功率固态微波器件中所引入的压降功率损耗达到0.6dB，严重影响器件的输出功率。高温共烧陶瓷（HTCC）技术是烧结温度大于1000℃的共烧技术。因烧成温度高，HTCC不能采用金、银、铜等低熔点金属材料，必须采用钨、钼、锰等难溶金属材料，这些材料不耐氧化、电导率低、可焊性差，难以满足大功率固态微波器件封装中由于引线电阻过大引入的损耗和管芯压降等问题。目前关于通过调整印刷金属化层成分以实现高温共烧陶瓷的高导电率金属化层制备的方法鲜有报道。因此，实现高温共烧陶瓷的高导电率金属化层制备以满足大功率及超大功率微波器件封装的传输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是包括如下步骤：（1）通过流延工艺获得氧化铝生瓷带；（2）配制满足丝网印刷的WCu金属化浆料和W金属化浆料；（3）将WCu金属化浆料印制在氧化铝生瓷带表面；（4）采用相同的印刷图形，在WCu金属化图形表面印刷W金属化浆料；（5）采用层压叠片工艺实现多层氧化铝生瓷带结合得到金属化层；（6）通过生切和烧结获得单个熟瓷瓷件。

【技术特征摘要】
1.应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是包括如下步骤：（1）通过流延工艺获得氧化铝生瓷带；（2）配制满足丝网印刷的WCu金属化浆料和W金属化浆料；（3）将WCu金属化浆料印制在氧化铝生瓷带表面；（4）采用相同的印刷图形，在WCu金属化图形表面印刷W金属化浆料；（5）采用层压叠片工艺实现多层氧化铝生瓷带结合得到金属化层；（6）通过生切和烧结获得单个熟瓷瓷件。2.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述的步骤（1）中的流延工艺为利用无水PVB体系的氧化铝流延工艺。3.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述的步骤（2）选择1μm以下的超细铜粉、0.7～2μm的金属钨粉作为导电相，以乙基纤维素、松油醇、DBP、CS12有机介质作为载体，以金属氧化物、非金属氧化物、镁硅酸盐、金属氧化物前驱体中的一种或者几种无机材料作为粘结相，通过搅拌的方式将导电金属和粘结相分散在有机载体中分别配制WCu金属化浆料和W金属化浆料。4.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏飞，夏庆水，唐利锋，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32