像素驱动电路感测方法及像素驱动电路技术

本发明专利技术提供一种像素驱动电路感测方法及像素驱动电路。该像素驱动电路感测方法在重新写入阶段中使公共电压先为一低于第一电位的第二电位而后切换为第一电位并写入第二节点，在公共电压为第二电位时感测线上的电压会由于过驱动充电而被迅速拉低至接近第一电位，而后公共电压切换至第一电位对感测线进行正确的电位写入，能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。

Sensing Method of Pixel Driving Circuit and Pixel Driving Circuit

The invention provides a sensing method of a pixel driving circuit and a pixel driving circuit. In the rewriting phase, the common voltage is first a second potential lower than the first potential, then switched to the first potential and written to the second node. When the common voltage is the second potential, the voltage on the sensing line will be rapidly lowered to near the first potential due to overdrive charging, and then common. Switching the voltage to the first potential to write the sensing line correctly can effectively reduce the time of rewriting stage, increase the time of charging stage, and improve the accuracy of sensing the pixel driving circuit.

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路感测方法及像素驱动电路
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素驱动电路感测方法及像素驱动电路。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最具有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光能效高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素驱动电路感测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一像素驱动电路；所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C1)、有机发光二极管(D1)、开关(K1)、感测线(10)、感测模块(20)、数据线(Data)、扫描线(WR)及感测控制线(RD)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接扫描线(WR)，源极电性连接数据线(Data)，漏极电性连接第一节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(G)，漏极接入电源正电压(VDD)，源极电性连接第二节点(S)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接感测控制线...

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路感测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一像素驱动电路；所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C1)、有机发光二极管(D1)、开关(K1)、感测线(10)、感测模块(20)、数据线(Data)、扫描线(WR)及感测控制线(RD)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接扫描线(WR)，源极电性连接数据线(Data)，漏极电性连接第一节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(G)，漏极接入电源正电压(VDD)，源极电性连接第二节点(S)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接感测控制线(RD)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接感测线(10)；所述电容(C1)的第一端及第二端分别电性连接第一节点(G)及第二节点(S)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(S)，阴极接入电源负电压(VSS)；所述开关(K1)为单刀双掷开关，其动触点(1)电性连接感测线(10)，第一静触点(2)接入公共电压(Vcm)，第二静触点(3)电性连接感测模块(20)；步骤S2、进入初始阶段(t1)；扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)导通，数据线(Data)将参考电位写入第一节点(G)，公共电压(Vcm)为一第一电位写入感测线(10)及第二节点(S)；所述参考电位大于第一电位；步骤S3、进入充电阶段(t2)；扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)及第二静触点(3)均断开，数据线(Data)将参考电位写入第一节点(G)，电源正电压(VDD)为第二节点(S)及感测线(10)进行充电，使第二节点(S)及感测线(10)上的电压不断上升直至第二节点(S)及感测线(10)的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管(T2)阈值电压的差值；步骤S4、进入感测阶段(t3)；扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)截止，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)截止，开关(K1)将其动触点(1)与第二静触点(3)导通，感测模块(20)对感测线(10)上的电压进行感测；步骤S5、进入重新写入阶段(t4)；扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)导通，数据线(Data)将显示电位写入第一节点(G)，公共电压(Vcm)先为一第二电位而后切换为第一电位并写入感测线(10)及第二节点(S)，将感测线(10)及第二节点(S)的电位下拉至第一电位；所述第二电位小于第一电位。2.如权利要求1所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述公共电压(Vcm)由第二电位切换为第一电位的具体方式为：所述公共电压(Vcm)先由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位；多个中间电位中奇数位的中间电位大于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金羽锋，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44