【技术实现步骤摘要】
控深孔的测量方法及测量装置
本专利技术涉及钻孔
,特别是涉及一种控深孔的测量方法及测量装置。
技术介绍
控深孔,即采用控深钻在PCB产品指定位置上钻要求深度的孔,有严格的深度要求,并不要求钻穿。然而,在采用控深钻进行钻孔作业时,为了精确地控制钻孔的深度,通常控深钻以板面导电介质,如基板的铝片、铜面等,接触初始位置为零点开始计算深度h,再继续按机器计算给定值往下钻到目标深度H。此控制关键为接触触发信号翻转时的Z轴位置,信号未到达提前触发则漏孔或孔浅,信号滞后触发则导致孔过深乃至于钻成通孔。为了校正控深钻实际使用中的误差,目前需要通过预先采用控深钻进行试钻,根据试钻出来的孔深来对控深钻进行变更补偿,补偿之后再进行批量作业。而在对试钻出的控深孔进行分析的过程中,对于孔径较小的孔,通常只能沿孔直径方向切开工件,即采取切片的操作,对孔的剖面进行测量得到孔深。切片分析的过程,操作过程较为繁琐,且需要耗费大量的时间与人员精力,并且在切片结果出来之前,控深钻无法继续作业,严重影响生产效率。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种操作过程较为便捷、能够缩短测量等待时间以及能够提高生 ...
【技术保护点】
1.一种控深孔的测量方法,其特征在于,包括如下步骤:采用激光传感器采集控深孔的光学图像;根据控深孔的光学图像,确定控深孔的深度。
【技术特征摘要】
1.一种控深孔的测量方法,其特征在于,包括如下步骤:采用激光传感器采集控深孔的光学图像;根据控深孔的光学图像,确定控深孔的深度。2.根据权利要求1所述的控深孔的测量方法,其特征在于,所述激光传感器为激光测距传感器。3.根据权利要求2所述的控深孔的测量方法,其特征在于,所述激光测距传感器发射的激光的波长为670纳米。4.根据权利要求2所述的控深孔的测量方法,其特征在于,所述激光测距传感器为LMS型双脉冲激光测距传感器。5.根据权利要求1所述的控深孔的测量方法,其特征在于,所述控深孔的光学图像为控深孔的激光光斑图像。6.根据权利要求1所述的控深孔的测量方法,其特征在于,所述根据控深孔的光学图像,确定控深孔的深度,具...
【专利技术属性】
技术研发人员:许校彬,陈金星,罗夕华,周美繁,林伟东,
申请(专利权)人:惠州市特创电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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