一种拨段开关复位电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种拨段开关复位电路，其包括拨段开关SW1、电容C1、C2、C3、电阻R1、R2、R3和三极管Q1，所述拨段开关SW1包括一固定触点、第一活动触点和第二活动触点，所述拨段开关SW1的固定触点与高电平VDD相连接，电阻R3和电容C3依次串联于所述拨段开关SW1的固定触点和地之间，电阻R3和电容C3的连接点与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1的集电极与芯片的复位引脚相连接以提供复位信号，三极管Q1的基极与电阻R2的一端相连接，三极管Q1的发射极接地。本实用新型专利技术的拨段开关复位电路在复位的过程中不会产生尖峰电压。

【技术实现步骤摘要】
一种拨段开关复位电路
本技术涉及电路领域，具体涉及一种拨段开关复位电路。
技术介绍
近年来，单片机、ARM及DSP等可编程逻辑器件在工业自动化生产、过程控制、智能化仪器仪表等领域的应用越来越广泛，有效地提高了生产效率、控制质量与经济效益，任何可编程逻辑器件都是通过可靠复位之后才可执行应用程序，因此复位电路的设计至关重要。对于一些电路系统来说，在进行复位时，通常只是主芯片需要复位，而系统中的其它芯片要保持供电，通常的按键开关复位电路的原理是在采用一个弹性按键开关，按下时开关弹起后有瞬间闭合，从而实现主芯片的复位。然而，这种按键开关在开关闭合的瞬间会产生尖峰电压，对主芯片的复位接口进行冲击，从而造成主芯片损坏。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种不产生尖峰电压的拨段开关复位电路。本技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种拨段开关复位电路，其包括拨段开关SW1、电容C1、C2、C3、电阻R1、R2、R3和三极管Q1，所述拨段开关SW1包括一固定触点、第一活动触点和第二活动触点，所述拨段开关SW1的固定触点与高电平VDD相连接，电阻R3和电容C3依次串联于所述拨段开关SW1的固定触点和地之间，电阻R3和电容C3的连接点与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1的集电极与芯片的复位引脚相连接以提供复位信号，三极管Q1的基极与电阻R2的一端相连接，电阻R2的另一端分别通过电阻R1接地、通过电容C1与所述拨段开关的第一活动触点相连接和通过电容C2与所述拨段开关的第二活动触点相连接，三极管Q1的发射极接地。本技术实施例中，所述拨段开关复位电路还包括连接于所述拨段开关的第一活动触点和地之间的电阻R4。本技术实施例中，所述拨段开关复位电路还包括连接于所述拨段开关的第二活动触点和地之间的电阻R5。本技术实施例中，所述三极管Q1的型号为2N3904。与现有技术相比较，本技术的拨段开关复位电路中，当所述拨段开关SW1从第一触点拨到第二触点的位置或者从第二触点拨到第一触点的位置时，三极管Q1的集电极电压由高变低，即芯片的复位引脚由高变低，然后三极管Q1的集电极电压又由低变高，即芯片的复位引脚由低变高，完成复位，在复位的过程中，由于三极管的集电极电压是一个渐变的过程，不会产生尖峰电压，不会对芯片造成冲击。附图说明图1为本技术的拨段开关复位电路的电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。以下结合具体实施例对本技术的实现进行详细描述。如图1所示，本专利技术实施例提供一种拨段开关复位电路，其包括拨段开关SW1、电容C1、C2、C3、电阻R1、R2、R3、R4、R5和三极管Q1。所述拨段开关SW1包括一固定触点2、第一活动触点1和第二活动触点3。所述拨段开关SW1的固定触点2与高电平VDD相连接，电阻R3和电容C3依次串联于所述拨段开关SW1的固定触点2和地之间。电阻R3和电容C3的连接点与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1的集电极为复位信号的采集点，其与芯片的复位引脚相连接。三极管Q1的基极与电阻R2的一端相连接，电阻R2的另一端分别通过电阻R1接地、通过电容C1与所述拨段开关SW1的第一活动触点1相连接和通过电容C2与所述拨段开关SW1的第二活动触点3相连接，三极管Q1的发射极接地。电阻R4连接于所述拨段开关SW1的第一活动触点1和地之间，电阻R5连接于所述拨段开关SW1的第二活动触点3和地之间。本技术实施例中，所述三极管Q1的型号为2N3904。本技术的拨段开关复位电路的工作原理如下：在系统上电瞬间MCU复位引脚为低，保持一段时间，当C3充电完成时，此引脚实现了由低变高的过程，使MCU完成了上电复位的过程。当所述拨段开关SW1从第一触点1拨到第二触点3的位置时，电容C2充电瞬间有电流流过，三极管Q1的基极有微弱的电流使三极管Q1导通，三极管Q1的集电极电压由高变低，即芯片的复位引脚由高变低，电容C2充电结束后没有电流流过，三极管Q1的基极由高变低，工作在截止状态，三极管Q1的集电极电压由低变高，即芯片的复位引脚由低变高，完成复位。同理，当所述拨段开关SW1从第二触点3拨到第一触点1的位置时，上述拨段开关复位电路重复上述过程，完成复位。在复位的过程中，由于三极管的集电极电压是一个渐变的过程，不会产生尖峰电压，不会对芯片造成冲击。当用户需要触发复位功能时，只需要拨动所述拨动开关SW1就能实现重新复位的功能，没必要重新断电重启主机。与现有技术相比较，本技术的拨段开关复位电路中，当所述拨段开关SW1从第一触点拨到第二触点的位置或者从第二触点拨到第一触点的位置时，三极管Q1的集电极电压由高变低，即芯片的复位引脚由高变低，然后三极管Q1的集电极电压又由低变高，即芯片的复位引脚由低变高，完成复位，在复位的过程中，由于三极管的集电极电压是一个渐变的过程，不会产生尖峰电压，不会对芯片造成冲击。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拨段开关复位电路，其特征在于，包括拨段开关SW1、电容C1、C2、C3、电阻R1、R2、R3和三极管Q1，所述拨段开关SW1包括一固定触点、第一活动触点和第二活动触点，所述拨段开关SW1的固定触点与高电平VDD相连接，电阻R3和电容C3依次串联于所述拨段开关SW1的固定触点和地之间，电阻R3和电容C3的连接点与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1的集电极与芯片的复位引脚相连接以提供复位信号，三极管Q1的基极与电阻R2的一端相连接，电阻R2的另一端分别通过电阻R1接地、通过电容C1与所述拨段开关的第一活动触点相连接和通过电容C2与所述拨段开关的第二活动触点相连接，三极管Q1的发射极接地。

【技术特征摘要】
1.一种拨段开关复位电路，其特征在于，包括拨段开关SW1、电容C1、C2、C3、电阻R1、R2、R3和三极管Q1，所述拨段开关SW1包括一固定触点、第一活动触点和第二活动触点，所述拨段开关SW1的固定触点与高电平VDD相连接，电阻R3和电容C3依次串联于所述拨段开关SW1的固定触点和地之间，电阻R3和电容C3的连接点与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1的集电极与芯片的复位引脚相连接以提供复位信号，三极管Q1的基极与电阻R2的一端相连接，电阻R2的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘进元，周敏君，刘瑞芳，
申请(专利权)人：深圳飞洋捷信电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44