OLED显示基板、显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种OLED显示基板、显示装置及其制作方法，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板，包括位于衬底基板上的驱动电路层和多个发光单元，所述发光单元包括透光的阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层，所述阴极包括层叠设置的透明导电层和反光金属层，所述反光金属层的透光率大于预设的第一阈值小于预设第二阈值。通过本发明专利技术的技术方案，能够实现对底发光OLED显示产品的光学补偿。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板、显示装置及其制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是指一种OLED显示基板、显示装置及其制作方法。
技术介绍
大尺寸OLED(有机电致发光发光二极管)显示产品采用光学补偿的方式进行发光以及有机发光层老化造成的显示不良的补偿，光学补偿方式中，采用光电检测器件检测OLED显示产品每个像素发出的光线，并根据接收到的光线生成电信号输出给OELD显示产品的驱动电路，从而实现对OLED显示产品的实时光学补偿。在底发光OLED显示产品中，可以将封装基板作为光电检测器件的搭载载体，利用透过OLED显示基板的阴极的光进行发光检测。该种方案的优势是光电检测器件不需要制备在OLED显示基板上，光电检测器件所用的薄膜晶体管可以采用漏电流较小的薄膜晶体管，而不需要同时考虑OLED显示基板的制备工艺。但是对于底发光的OLED显示产品，需要将阴极的部分区域设计为透光的，不然有机发光层发出的光线无法透过阴极照射到光电检测器件上，而底发光OLED显示基板的阴极一般反光电极且为整面蒸镀的，对阴极进行图案化比较困难。另外，由于封装基板与OLED显示基板是通过贴合胶封装在一起，由于贴合胶的存在，光电检测器件与有机发光层之间存在一定距离，在进行光学检测时，光电检测器件与底发光OLED显示基板的像素是一一对应的关系，每一光电检测器件检测对应像素的光线，但光电检测器件与有机发光层之间的距离会使得光电检测器件可能接收到相邻像素的光线，造成对光学检测的干扰。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板、显示装置及其制作方法，能够实现对底发光OLED显示产品的光学补偿。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的驱动电路层和多个发光单元，所述发光单元包括透光的阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层，所述阴极包括层叠设置的透明导电层和反光金属层，所述反光金属层的透光率大于预设的第一阈值小于预设第二阈值。进一步地，所述第一阈值为5％，所述第二阈值为10％。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法，所述OLED显示基板包括位于衬底基板上的驱动电路层和多个发光单元，所述发光单元包括透光的阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层，形成所述阴极包括：形成层叠设置的透明导电层和反光金属层，所述反光金属层的透光率大于预设的第一阈值小于预设第二阈值。进一步地，所述第一阈值为5％，所述第二阈值为10％。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示装置，包括：如上所述的OLED显示基板；与所述OLED显示基板封装在一起的封装基板，所述封装基板上设置有光电检测器件阵列，所述光电检测器件阵列中的光电检测器件与所述OLED显示基板的像素一一对应。进一步地，所述显示装置还包括：位于所述封装基板和所述OLED显示基板之间的准直光学结构，所述准直光学结构用于防止除与光电检测器件对应的像素之外的其他像素发出的光线进入光电检测器件中。进一步地，所述准直光学结构包括：位于相邻光电检测器件之间的遮光挡墙，所述遮光挡墙包围每个光电检测器件；或与所述光电检测器件一一对应的凸透镜，所述凸透镜的中心与对应的光电检测器件的中心重合，所述凸透镜的尺寸不大于所述光电检测器件的尺寸；位于所述封装基板用以与所述OLED显示基板封装的一面上的准直器；或贴附在所述封装基板用以与所述OLED显示基板封装的一面上的基底以及位于所述基底上的准直器。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示装置的制作方法，包括：利用如上所述的制作方法制作OLED显示基板；提供一封装基板，在所述封装基板上制作光电检测器件阵列，所述光电检测器件阵列中的光电检测器件与所述OLED显示基板的像素一一对应；将所述封装基板与所述OLED显示基板封装在一起。进一步地，所述制作方法还包括：在所述封装基板和所述OLED显示基板之间制作准直光学结构，所述准直光学结构用于防止除与光电检测器件对应的像素之外的其他像素发出的光线进入光电检测器件中。进一步地，制作所述准直光学结构包括：在相邻光电检测器件之间制作遮光挡墙，所述遮光挡墙包围每个光电检测器件；或制作与所述光电检测器件一一对应的凸透镜，所述凸透镜的中心与对应的光电检测器件的中心重合，所述凸透镜的尺寸不大于所述光电检测器件的尺寸；或在所述封装基板用以与所述OLED显示基板封装的一面上形成准直器；或提供一基底，在所述基底上形成准直器，将所述基底贴附在所述封装基板用以与所述OLED显示基板封装的一面上。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，阴极由层叠设置的透明导电层和反光金属层组成，其中，所述反光金属层的透光率大于预设的第一阈值，这样使得像素发出的光线可以穿过反光金属层到达阴极背向阳极的一侧，这样位于阴极背向阳极的一侧的光电检测器件能够接收到像素发出的光线，对像素发出的光线进行检测，进而可以实现对底发光OLED显示基板的光学补偿。另外，反光金属层的透光率小于预设第二阈值，使得反光金属层可以将像素发出的光线反射至透光的阳极一侧出射，不影响OLED显示基板的显示。附图说明图1为现有OLED显示产品的示意图；图2为本专利技术一具体实施例OLED显示装置的示意图；图3为本专利技术另一具体实施例OLED显示装置的示意图；图4为本专利技术实施例准直光学结构包括凸透镜的示意图；图5为本专利技术实施例准直光学结构包括遮光挡墙的示意图；图6为本专利技术实施例准直光学结构包括基底以及位于基底上的遮光挡墙的示意图。附图标记1第一衬底基板2光电检测器件3贴合胶4阴极5有机发光层6驱动电路层和阳极7第二衬底基板8遮光挡墙9准直光学层10凸透镜11准直器12基底具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图1所示，现有的底发光OLED显示基板包括位于第二衬底基板7上的驱动电路层和多个发光单元，所述发光单元包括透光的阳极、阴极4以及位于阳极和阴极4之间的有机发光层5，其中，图中所示的6包括驱动电路层和阳极。为了对底发光OLED显示基板进行光学补偿，在阴极4背向第二衬底基板7的一侧设置有封装基板，封装基板包括第一衬底基板1和位于第一衬底基板1上阵列排布的多个光电检测器件2，封装基板通过贴合胶3与OLED显示基板封装在一起。光电检测器件2根据接收到的光信号生成电信号，并将电信号传递给驱动电路层，进而实现对OLED显示基板的光学补偿。其中，阴极4一般反光电极且为整面蒸镀的，对阴极4进行图案化比较困难，但如果不对阴极4进行图案化会很难使得有机发光层5发出的光线能够透射至光电检测器件2。另外，由于封装基板与OLED显示基板是通过贴合胶3封装在一起，由于贴合胶3的存在，光电检测器件2与有机发光层5之间存在一定距离，在进行光学检测时，光电检测器件2与底发光OLED显示基板的像素是一一对应的关系，每一光电检测器件2检测对应像素的光线，但光电检测器件2与有机发光层5之间的距离会使得光电检测器件2可能接收到相邻像素的光线，造成对光学检测的干扰。从目前的仿真结果来看，缩小光电检测器件2的尺寸可以减小相邻像素对光学检测的干扰，在OLED显示基板的发光角为70度左右，光电检测器件2的尺寸缩小为20*本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的驱动电路层和多个发光单元，所述发光单元包括透光的阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层，其特征在于，所述阴极包括层叠设置的透明导电层和反光金属层，所述反光金属层的透光率大于预设的第一阈值小于预设第二阈值。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的驱动电路层和多个发光单元，所述发光单元包括透光的阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层，其特征在于，所述阴极包括层叠设置的透明导电层和反光金属层，所述反光金属层的透光率大于预设的第一阈值小于预设第二阈值。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述第一阈值为5％，所述第二阈值为10％。3.一种OLED显示基板的制作方法，所述OLED显示基板包括位于衬底基板上的驱动电路层和多个发光单元，所述发光单元包括透光的阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层，其特征在于，形成所述阴极包括：形成层叠设置的透明导电层和反光金属层，所述反光金属层的透光率大于预设的第一阈值小于预设第二阈值。4.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一阈值为5％，所述第二阈值为10％。5.一种OLED显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的OLED显示基板；与所述OLED显示基板封装在一起的封装基板，所述封装基板上设置有光电检测器件阵列，所述光电检测器件阵列中的光电检测器件与所述OLED显示基板的像素一一对应。6.根据权利要求5所述的OLED显示装置，其特征在于，还包括：位于所述封装基板和所述OLED显示基板之间的准直光学结构，所述准直光学结构用于防止除与光电检测器件对应的像素之外的其他像素发出的光线进入光电检测器件中。7.根据权利要求6所述的OLED显示装置，其特征在于，所述准直光学结构包括：位于相邻光电检测器件之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁小梁，王海生，董学，陈小川，刘英明，张粲，祝明，玄明花，杨盛际，邓立凯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11