鳍式场效应管及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种鳍式场效应管及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区，且所述衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极；在所述伪栅极露出的鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅极；去除所述伪栅极在所述层间介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口的初始金属栅极；对所述初始金属栅极进行图形化处理，在所述初始金属栅极内形成第二开口，在沿垂直于衬底表面的方向上，所述第二开口贯穿所述初始金属栅极；在所述第一器件区形成第一金属栅极，在所述第二器件区形成第二金属栅极。本发明专利技术形成的鳍式场效应管电学性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应管及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种鳍式场效应管及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的飞速发展，半导体器件的特征尺寸不断缩小，使得集成电路的集成度越来越高，这对器件的性能也提出了更高的要求。目前，随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断变小。为了适应工艺节点的减小，只能不断缩短MOSFET场效应管的沟道长度。沟道长度的缩短具有增加芯片的管芯密度、增加MOSFET场效应管的开关速度等好处。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，这样一来栅极对沟道的控制能力变差，栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大，使得亚阀值漏电现象，即短沟道效应(SCE：short-channeleffects)成为一个至关重要的技术问题。因此，为了更好的适应器件尺寸按比例缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应管(FinFET)。FinFET具有很好的沟道控制能力。现有技术形成的鳍式场效应管的电学性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区，且所述衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极；在所述伪栅极露出的鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅极；去除所述伪栅极，在所述层间介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口的初始金属栅极；对所述初始金属栅极进行图形化处理，在所述初始金属栅极内形成第二开口，在沿垂直于衬底表面的方向上，所述第二开口贯穿所述初始金属栅极；在所述第一器件区形成第一金属栅极，在所述第二器件区形成第二金属栅极，所述第二开口位于所述第一金属栅极与所述第二金属栅极之间。

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区，且所述衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极；在所述伪栅极露出的鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅极；去除所述伪栅极，在所述层间介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口的初始金属栅极；对所述初始金属栅极进行图形化处理，在所述初始金属栅极内形成第二开口，在沿垂直于衬底表面的方向上，所述第二开口贯穿所述初始金属栅极；在所述第一器件区形成第一金属栅极，在所述第二器件区形成第二金属栅极，所述第二开口位于所述第一金属栅极与所述第二金属栅极之间。2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在沿垂直于鳍部延伸方向上，所述第二开口的宽度在50埃至100埃范围内。3.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口的工艺为干法刻蚀。4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口之后，形成所述金属栅极之前，还包括：在所述第一开口的底部和侧壁以及层间介质层上形成高K介电层；在所述高K介电层上形成功函数层。5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述初始金属栅极上还形成有盖帽层。6.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述盖帽层的材料为：氮化硅、碳氮化硅、硼氮化硅、碳氮氧化硅、氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31