减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构制造技术

技术编号:19402160 阅读:23 留言:0更新日期:2018-11-10 06:52
本实用新型专利技术提供一种减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,包括圆柱形筒体,圆柱形筒体的侧壁上设置有环向缝隙和轴向缝隙中的至少一种。较佳地,环向缝隙为环向切缝。距离侧壁的顶部或底部0.5m。长度为圆柱形筒体的横截面的外周长度的八分之一。数目为多条,沿圆柱形筒体的其中一个横截面的外周方向等距离间隔设置。轴向缝隙为轴向切缝。距离侧壁的顶部或底部0.5m。长度为300mm~500mm。数目为多条,沿圆柱形筒体的其中一个横截面的外周方向等距离间隔设置。圆柱形筒体是50K圆柱形筒体。本实用新型专利技术能够减小涡流对梯度线圈的影响,从而提高图像质量,为准确诊断提供准确依据,设计巧妙,结构简洁,制造简便,成本低,适于大规模推广应用。

【技术实现步骤摘要】
减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构
本技术涉及超导磁体
,特别涉及超导磁体梯度线圈
,具体是指一种减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构。
技术介绍
磁共振成像(MagneticResonanceImaging,MRI)是一种生物磁学核自旋成像技术。十多年来,随着超导、低温、磁体、射频及计算机图像处理等高新技术的发展,MRI已成为当今医学领域最先进的诊断设备之一。按照MRI系统主磁体磁场的产生方式,通常将其分为永磁型、常导型(阻抗型)、混合型和超导型四类。由于超导型MRI具有场强高、功耗小(磁体基本无功耗)、磁场均匀稳定和系统信噪比高等优点,近年来发展非常迅速。在磁共振成像和分光镜检查(MRIS)系统中通常包括多个可安置患者区域周围的同心线圈。这些线圈包括用来提供恒定强磁场的最外层DC线圈、同心设置在DC线圈内的内层RF线圈以及位于内层RF线圈与外层DC线圈之间的梯度线圈组件。设置梯度线圈组件用来产生时变音频磁场,该磁场导致患者体内核子的反应频率依赖于核子在磁场中的位置。梯度线圈组件通常包括一组三个线圈,被称为X梯度线圈、Y梯度线圈和Z梯度线圈。可将这三个梯度线圈绕制在一圆柱体表面来形成导体图案从而获得未屏蔽的梯度。但是通常,该圆柱体上的每个梯度线圈都将被沿围绕梯度线圈的另一圆柱体缠绕的三个梯度线圈所形成的导体图案所屏蔽。在这种情况下,称第一个圆柱体上的线圈为内部线圈或初级线圈,称第二个圆柱体上的线圈为外部线圈、次级线圈或屏蔽线圈。涡流是梯度线圈最重要的指标之一,影响图像的质量,而且很难校正。因此,需要提供一种磁体结构,其能够减小涡流对梯度线圈的影响,从而提高图像质量,为准确诊断提供准确依据。
技术实现思路
为了克服上述现有技术中的缺点,本技术的一个目的在于提供一种减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其能够减小涡流对梯度线圈的影响,从而提高图像质量,为准确诊断提供准确依据,适于大规模推广应用。本技术的另一目的在于提供一种减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其设计巧妙,结构简洁,制造简便,成本低,适于大规模推广应用。为达到以上目的,本技术的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其特点是,包括圆柱形筒体,所述圆柱形筒体的侧壁上设置有环向缝隙和轴向缝隙中的至少一种。较佳地,所述环向缝隙为环向切缝。较佳地,所述环向缝隙距离所述侧壁的顶部0.5m;或者,所述环向缝隙距离所述侧壁的底部0.5m。较佳地,所述环向缝隙的长度为所述圆柱形筒体的横截面的外周长度的八分之一。较佳地,所述环向缝隙的数目为多条,多条所述环向缝隙沿所述圆柱形筒体的其中一个横截面的外周方向等距离间隔设置。较佳地,所述轴向缝隙为轴向切缝。较佳地,所述轴向缝隙距离所述侧壁的顶部0.5m;或者,所述轴向缝隙距离所述侧壁的底部0.5m。较佳地,所述轴向缝隙的长度为300mm~500mm。较佳地,所述轴向缝隙的数目为多条,多条所述轴向缝隙沿所述圆柱形筒体的其中一个横截面的外周方向等距离间隔设置。较佳地,所述圆柱形筒体是50K圆柱形筒体。本技术的有益效果主要在于:1、本技术的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构包括圆柱形筒体,圆柱形筒体的侧壁上设置有环向缝隙和轴向缝隙中的至少一种,由于涡流分布形式与线圈的绕线形式相似,从而通过环向缝隙和/或轴向缝隙将涡电流回路截断来减小涡流对梯度线圈的影响,因此,其能够减小涡流对梯度线圈的影响,从而提高图像质量,为准确诊断提供准确依据,适于大规模推广应用。2、本技术的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构包括圆柱形筒体,圆柱形筒体的侧壁上设置有环向缝隙和轴向缝隙中的至少一种,由于涡流分布形式与线圈的绕线形式相似,从而通过环向缝隙和/或轴向缝隙将涡电流回路截断来减小涡流对梯度线圈的影响,因此,其设计巧妙,结构简洁,制造简便,成本低,适于大规模推广应用。本技术的这些和其它目的、特点和优势,通过下述的详细说明,附图和权利要求得以充分体现,并可通过所附权利要求中特地指出的手段、装置和它们的组合得以实现。附图说明图1是本技术的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构的一具体实施例的立体示意图。图2是X梯度线圈的立体示意图,其中坐标单位是。(请补充横纵竖轴坐标单位)图3是Y梯度线圈的立体示意图,其中坐标单位是。(请补充横纵竖轴坐标单位)图4是Z梯度线圈的立体示意图,其中坐标单位是。(请补充横纵竖轴坐标单位)(符号说明)1圆柱形筒体;2侧壁;3环向缝隙;4轴向缝隙;5X梯度线圈;6Y梯度线圈;7Z梯度线圈。具体实施方式为了能够更清楚地理解本技术的
技术实现思路
,特举以下实施例详细说明。请参见图1所示,在本技术的一具体实施例中,本技术的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构包括圆柱形筒体1,所述圆柱形筒体1的侧壁2上设置有环向缝隙3和轴向缝隙4。所谓环向缝隙3是指沿所述圆柱形筒体1的其中一个横截面的外周方向设置的缝隙,所述轴向缝隙4是指沿所述圆柱形筒体1的轴向设置的缝隙。需要指出的是,所述圆柱形筒体1的侧壁2上也可以只设置环向缝隙3,或者只设置轴向缝隙4,同样可以实现本技术的目的。所述环向缝隙3可以采用任何合适方式形成,在本技术的一具体实施例中,所述环向缝隙3为环向切缝。即所述环向缝隙3是切割而成的。所述环向缝隙3可以设置在所述侧壁2的任何合适的位置,较佳地,所述环向缝隙3距离所述侧壁2的顶部0.5m;或者,所述环向缝隙3距离所述侧壁2的底部0.5m。在本技术的一具体实施例中,设置有两种环向缝隙3,其中一种环向缝隙3距离所述侧壁2的顶部0.5m,另一种环向缝隙3距离所述侧壁2的底部0.5m。所述环向缝隙3的长度可以根据需要确定,在本技术的一具体实施例中,所述环向缝隙3的长度为所述圆柱形筒体1的横截面的外周长度的八分之一所述环向缝隙3的数目可以根据需要确定,较佳地,所述环向缝隙3的数目为多条,多条所述环向缝隙3沿所述圆柱形筒体1的其中一个横截面的外周方向等距离间隔设置。请参见图1所示,在本技术的一具体实施例中,在设置有两种环向缝隙3的情况下,每种环向缝隙3的数目为4条,4条所述环向缝隙3沿所述圆柱形筒体1的其中一个横截面的外周方向等距离间隔设置。所述轴向缝隙4可以采用任何合适方式形成,在本技术的一具体实施例中,所述轴向缝隙4为轴向切缝。即所述轴向缝隙4是切割而成的。所述轴向缝隙4可以设置在所述侧壁2的任何合适的位置,较佳地,所述轴向缝隙4距离所述侧壁2的顶部0.5m;或者,所述轴向缝隙4距离所述侧壁2的底部0.5m。在本技术的一具体实施例中,设置有两种轴向缝隙4,其中一种轴向缝隙4距离所述侧壁2的顶部0.5m,另一种轴向缝隙4距离所述侧壁2的底部0.5m。所述轴向缝隙4的长度可以根据需要确定,较佳地,所述轴向缝隙4的长度为300mm~500mm。所述轴向缝隙4的长度为300mm。所述轴向缝隙4的数目可以根据需要确定,较佳地,所述轴向缝隙4的数目为多条,多条所述轴向缝隙4沿所述圆柱形筒体1的其中一个横截面的外周方向等距离间隔设置。请参见图1所示,在本技术的一具体实施例中,在设置有两种轴向缝隙4的情况下,每种轴向缝隙4的数目为4条,4条所述轴向缝隙4沿所述圆柱形筒体1的其中一个横截面的外本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其特征在于,包括圆柱形筒体,所述圆柱形筒体的侧壁上设置有环向缝隙和轴向缝隙中的至少一种。

【技术特征摘要】
1.一种减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其特征在于,包括圆柱形筒体,所述圆柱形筒体的侧壁上设置有环向缝隙和轴向缝隙中的至少一种。2.如权利要求1所述的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其特征在于,所述环向缝隙为环向切缝。3.如权利要求1所述的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其特征在于,所述环向缝隙距离所述侧壁的顶部0.5m;或者,所述环向缝隙距离所述侧壁的底部0.5m。4.如权利要求1所述的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其特征在于,所述环向缝隙的长度为所述圆柱形筒体的横截面的外周长度的八分之一。5.如权利要求1所述的减小涡流对梯度线圈影响的磁体结构,其特征在于,所述环向缝隙的数目为多条,多条所述环向缝隙沿所述圆柱形筒体的其中一个横截面的...

【专利技术属性】
技术研发人员:范洪郭如勇黄廷庆李兰凯
申请(专利权)人:上海辰光医疗科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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